K7N803609B
K7N801809B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
8MB NtRAM
TM
规范
100 TQFP与铅&无铅
（符合RoHS ）
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
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2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者西米用
LAR应用在生活中还是个人或人身伤害，或任何军事损失产品故障couldresult
或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
-1-
修订版5.0 2006年4月
K7N803609B
K7N801809B
文档标题
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
历史
1.初始文件。
1.添加X32有机组成部分和工业温度部分
1.更改扫描顺序（ 1 ）的形式来4T 6T在119BGA （ X18 ）
1.最终规范发布
2.更改我
SB2
形式50毫安至60mA
1.删除TCYC 225MHz （ -22 ）
1.删除119BGA包
1.删除X32组织
2.拆下-20速度斌
1.添加超调时间
1.更改订购信息
草案日期
五月。 18. 2001
8月11日2001年
8月28日2001年
11月16日2001年
备注
初步
初步
初步
最终科幻
2.0
2.1
3.0
四月。 01. 2002年
四月。 04. 2003
11月17日2003
最终科幻
最终科幻
最终科幻
4.0
5.0
2月16日2006年
四月03. 2006年
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
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K7N803609B
K7N801809B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
8MB NtRAM （流水线）订购信息
组织。
512Kx18
256Kx36
Vdd的（V）的
3.3
3.3
速度快（纳秒）
4.0
4.0
访问时间（纳秒）
2.6
2.6
产品型号
K7N801809B-P(Q)
1
C（ I）
2
25
K7N803609B-P(Q)
1
C（ I）
2
25
RoHS库存。
√
√
注1： P（ Q） 【包装类型】 ： P-无铅， Q-铅
2. C（ I） [工作温度] ： C-商业， I-工业
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修订版5.0 2006年4月
K7N803609B
K7N801809B
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
256Kx36 & 512Kx18位流水线NtRAM
TM
特点
3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
I / O电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V用于3.3VI / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据conten-
化。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
100-TQFP-1420A
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7N803609B和K7N801809B是9437184位
同步静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取的MEM
储器利用在operat-的任意组合的所有带宽
荷兰国际集团循环。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到输入
时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的，由发起
时钟输入的上升沿。此功能消除的COM
丛片的写脉冲的产生
并提供输入信号进行时间增加灵活性
良。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据是tempo-
由边缘rarily存储的触发输出寄存器，然后
释放到输出缓冲器时的下一次上升边缘
时钟。
该K7N803609B和K7N801809B实施
与三星的高性能CMOS技术
而在100引脚TQFP和多电源和可用
接地引脚尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-25
4.0
2.6
2.6
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:17 ]或
A [0:18]
LBO
地址
注册
A
2
~A
17
或A2 A18
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
256Kx36 ， 512Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb8
DQPa DQPd
36或18
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
其体系结构和功能由NEC和东芝的支持。
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K7N803609B
K7N801809B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
256Kx36 & 512Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,99,100
85
ADV
地址前进/负载
WE
读/写控制输入88
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
BWX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
电源（ + 3.3V ） 14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
地
38,39,42,43,84
无连接
数据输入/输出
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 3.3V或2.5V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1.引脚84为地址位为16Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
84
81
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N803609B(256Kx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
-5-
修订版5.0 2006年4月
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