K7N403609B
K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
4Mb
TM
NtRAM
规范
100 TQFP与铅&无铅
（符合RoHS ）
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者西米用
LAR应用在生活中还是个人或人身伤害，或任何军事损失产品故障couldresult
或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
-1-
3.0修订版2006年7月
K7N403609B
K7N401809B
文档标题
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
128Kx36 & 256Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始文件。
1.改变直流参数
ICC ;从470毫安400mA的电流在-25 ，
从440毫安360mA的-22 ，
从400mA，用于330毫安在-20℃ ，
从370毫安到310毫安在-18 ，
I
SB
;从180毫安
从170毫安
从160毫安
从150毫安
I
SB1
;从100毫安
0.2
1.0
to
to
to
to
to
160毫安在-25 ，
155毫安在-22 ，
150毫安-20 ，
140毫安-18 ，
80mA
8月11日2001年
11月15日2001年
初步
最终科幻
草案日期
五月。 15. 2001年
六月。 12. 2001年
备注
初步
初步
1.添加X32组织。和工业温度
1.最终规范发布
2.更改引脚电容
- Cin的;从5pF的到4PF
- Cout的;从7pF的要为6.0pF
1.删除X32组织。
2.拆下-25 / -22速度斌
1.添加无铅封装类型
2.0
11月17日2003
最终科幻
3.0
七月03. 2006年
最终科幻
-2-
3.0修订版2006年7月
K7N403609B
K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
4MB NtRAM （流水线）订购信息
组织。
256Kx18
128Kx36
注1： P（ Q） 【包装类型】 ： P-无铅， Q-铅
2. C（ I）
[工作温度] ： C-商业， I-工业
Vdd的（V）的
3.3
速度快（纳秒）
5.0
访问时间（纳秒）
2.8
产品型号
K7N401809B-P(Q)
1
C（ I）
2
20
K7N403609B-P(Q)
1
C（ I）
2
20
RoHS库存。
√
√
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3.0修订版2006年7月
K7N403609B
K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
128Kx36 & 256Kx18位流水线NtRAM
TM
特点
V
DD
= 3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
V
DDQ
电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V为3.3V的I / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有datacon-
张力。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A包装。
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7N403609B和K7N401809B是4718592位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或无周转随机存取存储器
利用在工作中任意组合的所有带宽
周期。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
芯片的写入脉冲生成
并提供了显进来的时机增加灵活性
良。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘trigered输出寄存器存储，然后被释放
到输出bufferes在时钟的下一个上升沿。
该K7N403609B和K7N401809B与实现
三星的高性能CMOS技术，是
提供100引脚TQFP封装。多个电源和
接地引脚尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-20
5.0
2.8
2.8
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:16 ]或
A [0:17]
LBO
地址
注册
A
2
~A
16
OR A
2
~A
17
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
128Kx36 ， 256Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
36或18
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
-4-
3.0修订版2006年7月
K7N403609B
K7N401809B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
ADV
CKE
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
LBO
北卡罗来纳州
V
SS
引脚名称
符号
A
0
- A
16
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37
44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94,95,96
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
38,39,42,43,83,84
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX （ X = A，B ， C，D ）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
注意事项：
1.引脚83为地址位为8Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
A
11
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N403609B(128Kx36)
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
-5-
3.0修订版2006年7月
K7N403609B
K7N401809B
文档标题
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
128Kx36 & 256Kx18位流水线NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始文件。
1.改变直流参数
ICC ;从470毫安400mA的电流在-25 ，
从440毫安360mA的-22 ，
从400mA，用于330毫安在-20℃ ，
从370毫安到310毫安在-18 ，
I
SB
;从180毫安
从170毫安
从160毫安
从150毫安
I
SB1
;从100毫安
0.2
1.0
to
to
to
to
to
160毫安在-25 ，
155毫安在-22 ，
150毫安-20 ，
140毫安-18 ，
80mA
8月11日2001年
11月15日2001年
初步
最终科幻
草案日期
五月。 15. 2001年
六月。 12. 2001年
备注
初步
初步
1.添加X32组织。和工业温度
1.最终规范发布
2.更改引脚电容
- Cin的;从5pF的到4PF
- Cout的;从7pF的要为6.0pF
1.删除X32组织。
2.拆下-25 / -22速度斌
2.0
11月17日2003
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版2.0
K7N403609B
K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
4MB NtRAM流水线订购信息
组织。
产品型号
K7N401801B-QC(I)13
256Kx18
K7N401809B-QC(I)20
K7N403601B-QC(I)13
流水线
流水线
3.3
3.3
200兆赫
133兆赫
问： 100TQFP
128Kx36
K7N403609B-QC(I)20
流水线
3.3
200兆赫
模式
流水线
VDD
3.3
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
133兆赫
C
（商业
温度
范围）
I:
（工业
温度
范围）
PKG
温度
-2-
2003年11月
修订版2.0
K7N403609B
K7N401809B
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
128Kx36 & 256Kx18位流水线NtRAM
TM
特点
V
DD
= 3.3V + 0.165V / -0.165V电源。
V
DDQ
电源电压3.3V + 0.165V / -0.165V为3.3V的I / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有datacon-
张力。
Α
交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A包装。
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7N403609B和K7N401809B是4718592位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或无周转随机存取存储器
利用在工作中任意组合的所有带宽
周期。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
芯片的写入脉冲生成
并提供了显进来的时机增加灵活性
良。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘trigered输出寄存器存储，然后被释放
到输出bufferes在时钟的下一个上升沿。
该K7N403609B和K7N401809B与实现
三星的高性能CMOS技术，是
提供100引脚TQFP封装。多个电源和
接地引脚尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-20
5.0
2.8
2.8
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
A [ 0:16 ]或
A [0:17]
LBO
地址
注册
A
2
~A
16
OR A
2
~A
17
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
128Kx36 ， 256Kx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
控制
逻辑
K
数据在
注册
数据在
注册
K
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
36或18
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
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2003年11月
修订版2.0
K7N403609B
K7N401809B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
BWC
CKE
ADV
北卡罗来纳州
A
6
北卡罗来纳州
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
16
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37
44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94,95,96
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
38,39,42,43,83,84
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX （ X = A，B ， C，D ）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
注意事项：
1.引脚83为地址位为8Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
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A
11
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
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V
SSQ
DQD
2
DQD
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DQD
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DQD
5
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SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
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25
26
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28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N403609B(128Kx36)
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
2003年11月
修订版2.0
K7N403609B
K7N401809B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWB
128Kx36 & 256Kx18流水线NtRAM
TM
BWA
CKE
ADV
北卡罗来纳州
CS
2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
6
北卡罗来纳州
83
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49
50,80,81,82,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
TQFP PIN NO 。
电源（ + 3.3V ） 14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
地
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
无连接
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,83,84
95,96
数据输入/输出
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWX （ X = A ，二）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
A
11
V
DDQ
V
SSQ
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 2.5V或3.3V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1.引脚83为地址位为8Mb的NtRAM被保留。
2. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N401809B(256Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
2003年11月
修订版2.0
