K7N323645M
K7N321845M
文档标题
1Mx36 & 2Mx18位流水线NtRAM
TM
1Mx36 & 2Mx18流水线NtRAM
TM
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版本号
0.0
0.1
0.2
历史
1.初始文件。
1.添加165FBGA包
1.Update JTAG扫描顺序
2.速度滨合并。
从K7N3236 （ 18 ） 49M到K7N3236 （ 18 ） 45M
3. AC参数的变化。
TOH （分钟） / tLZC （分钟）为0.8 1.5 ，在-25
TOH （分钟） / tLZC （分钟）为1.0 1.5在-22
TOH （分钟） / tLZC （分钟）为1.0 1.5 ，在-20
1.更改PIN出来165FBGA
- X18 / X36 ; 11B = > ，从A到NC ， 2R == >从NC到A
1.将针在165FBGA在与连接JTAG扫描顺序
引脚输出变化
- X18 / X36 ;插入2R的引脚ID为69位数
1.加入国际商会ISB ， ISB1和ISB2值。
1.最终数据发布。
1.更改待机电流（ ISB）
前
后
ISB - 25 ： 120
170
- 22 : 110
160
- 20 : 100
150
- 16 :
90
140
- 15 :
90
140
- 13 :
90
140
Isb1
:
90
110
Isb2
:
80
100
1.删除119BGA包
2.删除225MHz和150MHz的速度斌
草案日期
五月。 10. 2001年
8月29日2001年
12月31日2001年
备注
初步
初步
初步
0.3
2月14日2002年
初步
0.4
四月20， 2002
初步
0.5
1.0
1.1
五月。 10. 2002年
九月26， 2002
2003年10月17日
初步
最终科幻
最终科幻
2.0
2003年11月18日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2003年11月
修订版2.0
K7N323645M
K7N321845M
1Mx36 & 2Mx18流水线NtRAM
TM
32MB NtRAM （流量通过/流水线）订购Informa的
化
组织。
产品型号
模式
VDD
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
7.5ns
250/200/167/133MHz
250/200/167/133MHz
7.5ns
250/200/167/133MHz
250/200/167/133MHz
C
问： 100TQFP （商业
F： 165FBGA温度
范围）
PKG
温度
K7M321825M-QC75
2Mx18 K7N321801M -Q （ F） C25 / 20 /十三分之十六
K7N321845M-Q(F)C25/20/16/13
K7M323625M-QC75
1Mx36 K7N323601M -Q （ F） C25 / 20 /十三分之十六
K7N323645M-Q(F)C25/20/16/13
流穿
流水线
流水线
流穿
流水线
流水线
3.3
3.3
2.5
3.3
3.3
2.5
-2-
2003年11月
修订版2.0
K7N323645M
K7N321845M
1Mx36 & 2Mx18流水线NtRAM
TM
1Mx36 & 2Mx18位流水线NtRAM
TM
特点
2.5V
±5%
电源。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
一个交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A 。
165FBGA （ 11×15球阿雷）与15mmx17mm的车身尺寸。
概述
该K7N323645M和K7N321845M是37748736位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的片
写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流水线SRAM的输出数据暂时
由边缘存储的触发输出寄存器，然后释放
到输出缓冲器，在时钟的下一个上升沿。
该K7N323645M和K7N321845M与实现
三星
′s
高性能的CMOS技术，是可用
能够在100PIN TQFP和165FBGA包。多个电源
和接地引脚尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-25
4.0
2.6
2.6
-20
5.0
3.2
3.2
-16
6.0
3.5
3.5
-13
7.5
4.2
4.2
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
LBO
A [ 0:19 ]或
A [0:20]
地址
注册
A
2
~A
19
OR A
2
~A
20
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A
′
1
1Mx36 ， 2Mx18
内存
ARRAY
CLK
CKE
K
写
地址
注册
写
地址
注册
控制
逻辑
K
数据在
注册
K
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
B W
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或D Q一
0
DQB
8
DQPa DQPd
36或18
数据在
注册
控制
注册
控制
逻辑
K
产量
注册
卜FF器
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
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2003年11月
修订版2.0
K7N323645M
K7N321845M
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
BWB
BWA
BWC
1Mx36 & 2Mx18流水线NtRAM
TM
CK ê
ADV
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
18
A
17
83
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
19
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
引脚名称
符号
A
0
- A
19
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,43,
44,45,46,47,48,49,50,
81,82,83,84,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94,95,96
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ 2.5V ）
地
无连接
数据
数据
数据
数据
数据
输入/输出
输入/输出
输入/输出
输入/输出
输入/输出
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
38,39,42
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
B蜡质（ X = A，B ， C，D ）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
LBO
V
SS
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
(2.5V)
输出地
5,10,21,26,55,60,71,76
注意：
1. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
81
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N323645M(1Mx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
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2003年11月
修订版2.0
K7N323645M
K7N321845M
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWB
BWA
1Mx36 & 2Mx18流水线NtRAM
TM
CK ê
北卡罗来纳州
ADV
CS
2
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
19
A
18
83
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
20
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
符号
A
0
- A
20
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,43
44,45,46,47,48,49,50,
80,81,82,83,84,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ 2.5V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,51,52,53,
56,57,75,78,79,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BW为x（ =一，二）
OE
ZZ
LBO
地址前进/负载
读/写控制输入
时钟
时钟使能
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
功耗的睡眠模式
突发模式控制
LBO
V
SS
DQA
0
~a
8
DQB
0
~b
8
数据输入/输出
数据输入/输出
V
DDQ
V
SSQ
输出电源
(2.5V)
输出地
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
8
DQB
7
V
SSQ
V
DDQ
DQB
6
DQB
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQB
4
DQB
3
V
DDQ
V
SSQ
DQB
2
DQB
1
DQB
0
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7N321845M(2Mx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQA
0
DQA
1
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
3
DQA
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQA
5
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
7
DQA
8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
N
OTE
:
A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
-5-
2003年11月
修订版2.0
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