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K7M323635C
K7M321835C
1Mx36 & 2Mx18流通型NtRAM
TM
36MB NtRAM
TM
规范
100 TQFP与铅/无铅
(符合RoHS )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者西米用
LAR应用在生活中还是个人或人身伤害,或任何军事损失产品故障couldresult
或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
-1-
修订版1.1 2007年6月
K7M323635C
K7M321835C
文档标题
1Mx36 & 2Mx18流通型NtRAM
TM
1Mx36 & 2Mx18位流通过NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
1.0
1.1
历史
1.初始文件。
1.添加超调时间
1.更改订购信息
1.最终确定数据表
1.更改存取时间7.5ns到6.5ns
草案日期
1月26日2006年
2006年2月16日
四月04 2006
July.14 。 2006年
六月。 10. 2007年
备注
ADVANCE
初步
初步
最终科幻
最终科幻
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修订版1.1 2007年6月
K7M323635C
K7M321835C
1Mx36 & 2Mx18流通型NtRAM
TM
36MB NtRAM (流通)订购Informa的
组织。
2Mx18
1Mx36
Vdd的(V)的
3.3/2.5
3.3/2.5
速度快(纳秒)
8.5
8.5
访问时间(纳秒)
6.5
6.5
产品型号
K7M321835C-P(Q)
1
C( I)
2
65
K7M323635C -P ( Q) C( I) 65
1
2
RoHS库存。
注1: P( Q) 【包装类型】 : P-无铅, Q-铅
2. C( I) [工作温度] : C-商业, I-工业
-3-
修订版1.1 2007年6月
K7M323635C
K7M321835C
1Mx36 & 2Mx18流通型NtRAM
TM
1Mx36 & 2Mx18位流通过NtRAM
TM
特点
V
DD
= 2.5或3.3V ±5 %电源。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展,没有数据
争。
一个交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A (铅和无铅封装)
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7M323635C和K7M321835C是37748736位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址,数据输入,并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动( ZZ) 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的片
写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期,流通型SRAM中允许将数据输出到
简单地从存储器阵列自由流动。
该K7M323635C和K7M321835C与实现
三星的高性能CMOS技术,是可用
能够在100PIN TQFP封装。多个电源和地引脚
尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问
符号。
t
CYC
t
CD
t
OE
-65
7.5
6.5
3.5
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
LBO
地址
注册
A
2
~A
19
OR A
2
~A
20
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
1Mx36 , 2Mx18
内存
ARRAY
A [ 0:19 ]或
A [0:20]
CLK
CKE
K
地址
注册
K
数据在
注册
控制
逻辑
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
( X = A ,B,C , d或一,二)
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
控制
注册
控制
逻辑
卜FF器
36或18
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
-4-
修订版1.1 2007年6月
K7M323635C
K7M321835C
引脚配置
( TOP VIEW )
BWD
BWB
1Mx36 & 2Mx18流通型NtRAM
TM
BWA
BWC
CS
2
ADV
CKE
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
18
A
17
83
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
LBO
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
19
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
引脚名称
符号
A
0
- A
19
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,43
4445,46,47,48,49,50,
81,82,83,84,99,100
地址前进/负载85
ADV
读/写控制输入88
WE
时钟
CLK
89
时钟使能
CKE
87
CS
1
芯片选择
98
CS
2
芯片选择
97
CS
2
芯片选择
92
BWX ( X = A,B , C,D )字节写入输入
93,94,95,96
OE
OUTPUT ENABLE
86
ZZ
功耗的睡眠模式
64
LBO
突发模式控制
31
电源( + 3.3V ) 15,16,41,65,91
14,17,40,66,67,90
无连接
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
38,39,42
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
注意事项:
1. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位( LSB),并设置内部突发计数器,如果脉冲串是期望的。
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
( 2.5V或3.3V )
输出地
5,10,21,26,55,60,71,76
A
16
50
DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
VSS
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
( 20毫米X 14毫米)
K7M323635C ( 1Mx36 )
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
SS
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa
-5-
修订版1.1 2007年6月
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    -
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    终端采购配单精选

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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
K7M323635C-PI65
SAMSUNG/三星
24+
9850
100%原装正品,可长期订货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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联系人:刘经理
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