K7M163635B
K7M161835B
512Kx36 & 1Mx18流通型NtRAM
TM
18MB NtRAM
TM
规范
100TQFP / 165FBGA有铅/无铅
（符合RoHS ）
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者西米用
LAR应用在生活中还是个人或人身伤害，或任何军事损失产品故障couldresult
或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
-1-
修订版3.0 2006年4月
K7M163635B
K7M161835B
文档标题
512Kx36 & 1Mx18流通型NtRAM
TM
512Kx36 & 1Mx18位流通过NtRAM
TM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
1.初始文件。
1.更新直流电流规格（I
CC
, I
SB
)
1.改变ISB ， ISB1 ， ISB2
- ISB ;从120毫安到170毫安
- ISB1 ;从80毫安150mA电流
- ISB2 ;从80毫安到130毫安
1.取下1.8V VDD的电压情况
1.拆下-75速度斌
1.最终确定数据表
1.添加超调时间
1.更改订购信息
草案日期
三月23， 2004
五月。 21. 2004年
九月21， 2004
备注
ADVANCE
初步
初步
0.3
0.4
1.0
2.0
3.0
10月18日2004年
04月2004年
2005年7月18日
2月16日2006年
四月04 2006
初步
初步
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-2-
修订版3.0 2006年4月
K7M163635B
K7M161835B
512Kx36 & 1Mx18流通型NtRAM
TM
18MB NtRAM （流通）订购Informa的
化
组织。
1Mx18
512Kx36
Vdd的（V）的
3.3/2.5
3.3/2.5
速度快（纳秒）
7.5
7.5
访问时间（纳秒）
6.5
6.5
产品型号
K7M161835B-P(Q)
1
C（ I）
2
65
K7M163635B-P(Q)
1
C（ I）
2
65
RoHS库存。
√
√
注1： P（ Q） 【包装类型】 ： P-无铅， Q-铅
2. C（ I） [工作温度] ： C-商业， I-工业
-3-
修订版3.0 2006年4月
K7M163635B
K7M161835B
512Kx36 & 1Mx18流通型NtRAM
TM
512Kx36 & 1Mx18位流通过NtRAM
TM
特点
V
DD
= 2.5或3.3V ±5 ％电源。
字节写入功能。
启用时钟和暂停操作。
单读/写控制引脚。
自定时写周期。
三个芯片使能进行简单的深度扩展，没有数据
争。
一个交错爆裂或线性突发模式。
异步输出使能控制。
掉电模式。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A （铅和无铅封装）
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7M163635B和K7M161835B是18874368位同步
异步的静态的SRAM 。
该NtRAM
TM
或者没有转机随机存取存储器泌尿道感染
lizes经营周期的任意组合的所有带宽。
除了输出地址，数据输入，并且所有的控制信号
启用和线性脉冲串顺序被同步到的输入时钟。
突发为了控制必须连接"High或Low" 。
异步输入包括所述睡眠模式启动（ ZZ） 。
输出使能控制在任何给定时刻的输出。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的片
写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
对于读周期，流通型SRAM中允许将数据输出到
简单地从存储器阵列自由流动。
该K7M163635B和K7M161835B与实现
三星的高性能CMOS技术，是可用
能够在100PIN TQFP封装。多个电源和地引脚
尽量减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号。
t
CYC
t
CD
t
OE
-65
7.5
6.5
3.5
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
LBO
地址
注册
A
2
~A
18
OR A
2
~A
19
A
0
~A
1
BURST
地址
计数器
A′
0
~A′
1
512Kx36 ， 1Mx18
内存
ARRAY
A [ 0:18 ]或
A [0:19]
CLK
CKE
K
写
地址
注册
K
数据在
注册
控制
逻辑
CS
1
CS
2
CS
2
ADV
WE
BW
x
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQA
0
DQD
7
或DQA
0
DQB
8
DQPa DQPd
控制
注册
控制
逻辑
卜FF器
36或18
NtRAM
TM
并没有周转随机存取存储器是三星的商标。
-4-
修订版3.0 2006年4月
K7M163635B
K7M161835B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
BWD
512Kx36 & 1Mx18流通型NtRAM
TM
BWB
BWA
BWC
CKE
ADV
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
V
SS
WE
A
18
A
6
A
17
83
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
或NC
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,81
82,83,84,99,100
ADV
地址前进/负载85
WE
读/写控制输入88
89
时钟
CLK
87
时钟使能
CKE
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
BWX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
64
功耗的睡眠模式
ZZ
31
突发模式控制
LBO
电源（ + 3.3V ） 15,16,41,65,91
14,17,40,66,67,90
地
无连接
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出
38,39,42,43
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
A
11
输出电源4,11,20,27,54,61,70,77
（ 2.5V或3.3V ）
5,10,21,26,55,60,71,76
输出地
注意事项：
1. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
A
16
50
NC / DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
VSS
V
DD
V
DD
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
NC / DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7M163635B(512Kx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
V
SS
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
-5-
修订版3.0 2006年4月
QQ：2880707522 复制
