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K7I643684M
K7I641884M
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
72MB DDRII SRAM规格
165 FBGA与铅&无铅
(符合RoHS )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者西米用
LAR应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何军事损失
或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
-1-
修订版1.3 2007年3月
K7I643684M
K7I641884M
文档标题
1Mx36位, 2Mx18位CIO DDRII SRAM B4
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始文件。
1.纠正了JTAG ID寄存器定义
2.纠正AC时序参数(删除tKHKH最大值)
1.添加开机顺序规范
1.更正引脚名称表
1.更新功耗(ICC & ISB)
1.最终确定数据表
1.添加无铅评论
2.改变最大。在AC定时时钟周期时间CHARACTERIS-
TICS
1.更正引脚名称表
1.添加的开机顺序的详细规范
草案日期
2003年3月9日
2003年3月20日
备注
ADVANCE
初步
0.2
0.3
0.4
1.0
1.1
2004年8月16日
2004年10月18日
五月。 17,2005
2005年8月2日
2006年7月6日
初步
初步
初步
最终科幻
最终科幻
1.2
1.3
2007年1月23日
2007年3月5日
最终科幻
最终科幻
-2-
修订版1.3 2007年3月
K7I643684M
K7I641884M
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
2Mx36位, 4Mx18位CIO DDRII SRAM B4
特点
1.8V + 0.1V / -0.1V电源。
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来的频
昆西缩放。
I / O电源电压1.5V + 0.1V / -0.1V的1.5VI / O,
1.8V + 0.1V / -0.1V为1.8V的I / O 。
流水线式,双数据速率操作。
常见的数据输入/输出总线。
HSTL I / O
完整的数据一致性,提供最新的数据。
读取同步管道与自定时写晚。
注册地址,控制和数据输入/输出。
在读写端口DDR (双倍数据速率)接口。
修正了4位突发的读取和写入操作。
时钟停止支持,以降低电流。
两个输入时钟(K和K)用于在时钟的精确DDR定时
上升沿只。
输出数据的两个输入时钟( C和C ) ,以尽量减少
时钟偏移和飞行时间的不匹配。
两个回波时钟( CQ和CQ) ,以提高输出数据
可追溯性。
单地址总线。
字节写入功能。
简单的深度扩展,没有数据争用。
可编程输出阻抗。
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口。
165FBGA ( 11×15阵列球FBGA )与15x17mm的机身尺寸
&无铅
组织。
部分
K7I643684M-F(E)C(I)30
X36 K7I643684M -F ( E) C( I) 25
K7I643684M-FC(I)20
K7I643684M-FC(I)16
K7I641884M-F(E)C(I)30
X18 K7I641884M -F ( E) C( I) 25
K7I641884M-FC(I)20
K7I641884M-FC(I)16
循环访问
RoHS指令
单位
TIME TIME
无济于事。
3.3
4.0
5.0
6.0
3.3
4.0
5.0
6.0
0.45
0.45
0.45
0.50
0.45
0.45
0.45
0.50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
* -F ( E) C( I)
F( E) 【包装类型】 : E-无铅, F-铅
C( I) [工作温度] : C-商业, I-工业
功能框图
36 (或18 )
数据
REG
36 (或18 )
19
(或20 )
写/读DECODE
写入驱动器
输出选择
检测放大器
LD
读/写
BW
X
4 (或2)
CTRL
逻辑
2Mx36
(4Mx18)
内存
ARRAY
72
(或36 )
72
(或36 )
输出驱动器
地址
A0,A1
输出REG
19 (或20 )
REG ADD
&放大器;
BURST
逻辑
36 (或18 )
DQ
CQ , CQ
K
K
C
C
(回波时钟输出)
CLK
选择输出控制
注意事项:
1.数字在()内为×18的设备。
DDRII SRAM和双数据速率包括由赛普拉斯,瑞萨, IDT , NEC和三星的技术开发产品家族的新成员。
-3-
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K7I643684M
K7I641884M
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC
/
SA *
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
3
SA
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
SA
4
读/写
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
2
BW
3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
6
K
K
SA0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
BW
1
BW
0
SA1
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
LD
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
SA
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
K7I643684M(1Mx36)
注意事项:
1. *选中无连接( NC)引脚为144MB预留更高密度的地址,即2A 。
2. BW
0
控制写入DQ0 : DQ8 , BW
1
控制写入DQ9 : DQ17 , BW
2
控制写入DQ18 : DQ26和BW
3
控制写入DQ27 : DQ35 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA0,SA1
SA
DQ0-35
PIN号码
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
6C,7C
3A,9A,10A,4B,8B,5C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
2B,3B,11B,3C,10C,11C,2D,3D,11D,3E,10E,11E,2F,3F
11F,2G,3G,11G,3J,10J,11J,3K,10K,11K,2L,3L,11L
3M,10M,11M,2N,3N,11N,3P,10P,11P
4A
8A
7B,7A,5A,5B
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
4C,8C,4D-8D,5E-7E,6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,
4M-8M,4N,8N
10R
11R
2R
1R
2A,1B,9B,10B,1C,2C,9C,1D,9D,10D,1E,2E,9E,
1F,9F,10F,1G,9G,10G,1J,2J,9J,1K,2K,9K
1L,9L,10L,1M,2M,9M,1N,9N,10N,1P,2P,9P
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
输出回波时钟
DLL禁用时低
突发计数地址输入
地址输入
数据输入输出
读,写控制引脚,积极阅读
当高
同步负载引脚,总线周期
序列要被定义时低
块写入控制引脚,低电平有效
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制输入
电源( 1.8 V )
输出电源( 1.5V或1.8V )
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
1
读/写
LD
BW
0
, BW
1,
BW
2
, BW
3
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
注意事项:
1.使用C,C ,K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值,并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
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K7I641884M
1
A
B
C
D
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M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
SA
DQ9
NC
NC
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
3
SA
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
SA
4
读/写
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
2Mx36 & 4Mx18 CIO DDRII SRAM B4
6
K
K
SA0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW
0
SA1
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
LD
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
SA
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
DQ3
DQ2
NC
NC
DQ0
TDI
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
K7I641884M(2Mx18)
注意事项:
2. BW
0
控制写入DQ0 : DQ8和BW
1
控制写入DQ9 : DQ17 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA0,SA1
SA
DQ0-17
读/写
LD
BW
0
, BW
1
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
PIN号码
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
6C,7C
2A,3A,9A,10A,4B,8B,5C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
2B,11B,10C,3D,3E,11E,2F,11F,3G,10J,3K,11K,2L,11L
10M,3N,3P,11P
4A
8A
7B , 5A
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
4C,8C,4D-8D,5E-7E,6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,4M-8M,4N,8N
10R
11R
2R
1R
7A,1B,3B,5B,9B,10B,1C,2C,3C,9C,11C,1D,2D,9D,10D,11D
1E,2E,9E,10E,1F,3F,9F,10F,1G,2G,9G,10G,11G
1J,2J,3J,9J,11J,1K,2K,9K,10K,1L,3L,9L,10L
1M,2M,3M,9M,11M,1N,2N,9N,10N,11N,1P,2P,9P,10P
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
输出回波时钟
DLL禁用时低
突发计数地址输入
地址输入
数据输入输出
读,写控制引脚,积极阅读
当高
同步负载引脚,总线周期
序列要被定义时低
块写入控制引脚,低电平有效
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制输入
电源( 1.8 V )
输出电源( 1.5V或1.8V )
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
1
注意事项:
1.使用C,C ,K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值,并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
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