K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
文档标题
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18位同步流水线突发SRAM
修订历史
牧师无
0.0
0.1
历史
1.初始草案
1.改变直流参数
ICC ;从350毫安到290毫安在-16 ，
从330毫安到270毫安-15 ，
从300毫安250mA的在-14 ，
I
SB1
;从100mA至80毫安
1.删除直通
1.添加X32组织。和工业温度
1.最终规范发布
2.更改引脚电容
- Cin的;从5pF的到4PF
- Cout的;从7pF的要为6.0pF
草案日期
五月。 15. 2001年
六月。 12. 2001年
备注
初步
初步
0.2
0.3
1.0
June.25 。 2001年
8月11日2001年
11月15日2001年
初步
初步
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
4MB SB / SPB同步SRAM订购信息
组织。
产品型号
模式
VDD
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
一百三十八分之一百六十七/ MHz的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
一百三十八分之一百六十七兆赫
Q
(100TQFP)
C
（商业
温度
范围）
I:
（工业
温度
范围）
PKG
温度
K7B401825B-QC(I)65/75/80
256Kx18 K7A401800B - QC （ I） 16/14
K7A401809B-QC(I)30/27/25/22/20
K7B403225B-QC(I)65/75/80
128Kx32
K7A403200B-QC(I)16/14
K7A403209B-QC(I)30/27/25/22/20
K7A403201B-QC(I)16/14
K7B403625B-QC(I)65/75/80
128Kx36
K7A403600B-QC(I)16/14
K7A403609B-QC(I)30/27/25/22/20
K7A403601B-QC(I)16/14
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
-2-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18位同步流水线突发SRAM
特点
同步操作。
2级流水线操作， 4连拍。
片地址计数器。
自定时写周期。
在片内地址和控制寄存器。
V
DD
= 3.3V + 0.3V / -0.165V电源。
V
DDQ
电源电压3.3V + 0.3V / -0.165V为3.3V的I / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
5V容限输入除I / O引脚。
字节写入功能。
全局写使能控制一个完整的总线宽度写。
通过ZZ信号掉电状态。
LBO引脚允许任何一个交错突发或线性的选择
爆裂。
三个芯片使简单的深度扩展没有数据Cont-
nention ; 2cycle启用，回循环禁用。
异步输出使能控制。
ADSP ， ADSC ， ADV突发控制引脚。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A 。
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7A403600B ， K7A403200B和K7A401800B是
4718592位同步静态随机存取存储器
针对养老金的高性能二级缓存
氚和电源基于PC的系统。
它是作为36 （ 18 ）比特和英特128K （ 256K ）的话
炉排地址和控制寄存器，一个2比特的脉冲串地址
计数器并增加了一些新的功能，对高perfor-
曼斯高速缓存RAM的应用; GW ， BW ， LBO ， ZZ 。写
周期是内部自定时和同步。
全总线宽度写入由GW完成，每个字节写操作
通过WEX和BW的组合进行时， GW是
高。与CS
1
高， ADSP被封锁控制信号。
突发周期可以与任一地址状态启动
处理器（ ADSP ）或地址状态高速缓存控制器（ ADSC ）
输入。随后一阵地址生成接口
应受系统中的脉冲串序列，并通过控制
突发地址提前（ ADV ）的输入。
LBO引脚的直流操作并确定突发序列（线性
耳朵或交错） 。
ZZ引脚控制掉电状态，并降低待机
目前，无论CLK的。
该K7A403600B ， K7A403200B和K7A401800B是FAB-
采用三星高性能CMOS ricated技
术，并提供一个100引脚TQFP封装。多种
电源和接地引脚被用于最小化地
反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-16
6.0
3.5
3.5
-14
7.2
4.0
4.0
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
CLK
LBO
控制
注册
ADV
ADSC
突发控制
逻辑
BURST
地址
A′0~A′1
计数器
A0~A1
128Kx36 / 32 ， 256Kx18
内存
ARRAY
ADSP
A0~A16
或A0 A17
地址
注册
A2~A16
或A2 A17
CS1
CS2
CS2
GW
BW
WEX
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQa0 DQd7
DQPa DQPd
数据在
注册
控制
注册
或DQa0 DQb7
DQPa DQPb
控制
逻辑
产量
注册
卜FF器
三十二分之三十六或18
-3-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A401800B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
ADSC
ADSP
世界环境日
WEB
WEA
WEC
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
V
SS
LBO
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
引脚名称
符号
A
0
- A
16
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
/ NC
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,39,42,43,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
32,33,34,35,36,37
44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
突发地址进展
83
地址状态处理器84
地址状态控制器85
时钟
89
芯片选择
98
芯片选择
97
芯片选择
92
字节写输入
93,94,95,96
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
掉电输入
突发模式控制
86
88
87
64
31
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEX
（X = A，B， C，D）
OE
GW
BW
ZZ
LBO
北卡罗来纳州
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
16
50
DQPc / NC
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd / NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7A403600B(128Kx36)
K7A403200B(128Kx32)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
-4-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
ADSC
ADSP
WEB
WEA
ADV
83
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49,
50,80,81,82,99,100
83
84
85
89
98
97
92
93,94
86
88
87
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,14,16,25,28,29,
30,38,39,42,43,51,52,53,
56,57,66,75,78,79,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73
8,9,12,13,18,19,22,23
74,24
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEX
（ X = A ，二）
OE
GW
BW
ZZ
LBO
突发地址进展
地址状态处理器
地址状态控制器
时钟
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
掉电输入
突发模式控制
LBO
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQPa ，铅
V
DDQ
V
SSQ
数据输入/输出
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
0
DQB
1
V
SSQ
V
DDQ
DQB
2
DQB
3
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQB
4
DQB
5
V
DDQ
V
SSQ
DQB
6
DQB
7
DQPb
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7A401800B(256Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQPa
DQA
7
DQA
6
V
SSQ
V
DDQ
DQA
5
DQA
4
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
3
DQA
2
V
DDQ
V
SSQ
DQA
1
DQA
0
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
-5-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
文档标题
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18位同步流水线突发SRAM
修订历史
牧师无
0.0
0.1
历史
1.初始草案
1.改变直流参数
ICC ;从350毫安到290毫安在-16 ，
从330毫安到270毫安-15 ，
从300毫安250mA的在-14 ，
I
SB1
;从100mA至80毫安
1.删除直通
1.添加X32组织。和工业温度
1.最终规范发布
2.更改引脚电容
- Cin的;从5pF的到4PF
- Cout的;从7pF的要为6.0pF
草案日期
五月。 15. 2001年
六月。 12. 2001年
备注
初步
初步
0.2
0.3
1.0
June.25 。 2001年
8月11日2001年
11月15日2001年
初步
初步
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
4MB SB / SPB同步SRAM订购信息
组织。
产品型号
模式
VDD
速度
FT ;访问时间（纳秒）
流水线;周期时间（ MHz）的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
一百三十八分之一百六十七/ MHz的
6.5 / 7.5 / 8.0纳秒
一百三十八分之一百六十七兆赫
300/275/250/225/200 MHz的
一百三十八分之一百六十七兆赫
Q
(100TQFP)
C
（商业
温度
范围）
I:
（工业
温度
范围）
PKG
温度
K7B401825B-QC(I)65/75/80
256Kx18 K7A401800B - QC （ I） 16/14
K7A401809B-QC(I)30/27/25/22/20
K7B403225B-QC(I)65/75/80
128Kx32
K7A403200B-QC(I)16/14
K7A403209B-QC(I)30/27/25/22/20
K7A403201B-QC(I)16/14
K7B403625B-QC(I)65/75/80
128Kx36
K7A403600B-QC(I)16/14
K7A403609B-QC(I)30/27/25/22/20
K7A403601B-QC(I)16/14
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
-2-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18位同步流水线突发SRAM
特点
同步操作。
2级流水线操作， 4连拍。
片地址计数器。
自定时写周期。
在片内地址和控制寄存器。
V
DD
= 3.3V + 0.3V / -0.165V电源。
V
DDQ
电源电压3.3V + 0.3V / -0.165V为3.3V的I / O
或+ 2.5V 0.4V / -0.125V为2.5V的I / O 。
5V容限输入除I / O引脚。
字节写入功能。
全局写使能控制一个完整的总线宽度写。
通过ZZ信号掉电状态。
LBO引脚允许任何一个交错突发或线性的选择
爆裂。
三个芯片使简单的深度扩展没有数据Cont-
nention ; 2cycle启用，回循环禁用。
异步输出使能控制。
ADSP ， ADSC ， ADV突发控制引脚。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A 。
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7A403600B ， K7A403200B和K7A401800B是
4718592位同步静态随机存取存储器
针对养老金的高性能二级缓存
氚和电源基于PC的系统。
它是作为36 （ 18 ）比特和英特128K （ 256K ）的话
炉排地址和控制寄存器，一个2比特的脉冲串地址
计数器并增加了一些新的功能，对高perfor-
曼斯高速缓存RAM的应用; GW ， BW ， LBO ， ZZ 。写
周期是内部自定时和同步。
全总线宽度写入由GW完成，每个字节写操作
通过WEX和BW的组合进行时， GW是
高。与CS
1
高， ADSP被封锁控制信号。
突发周期可以与任一地址状态启动
处理器（ ADSP ）或地址状态高速缓存控制器（ ADSC ）
输入。随后一阵地址生成接口
应受系统中的脉冲串序列，并通过控制
突发地址提前（ ADV ）的输入。
LBO引脚的直流操作并确定突发序列（线性
耳朵或交错） 。
ZZ引脚控制掉电状态，并降低待机
目前，无论CLK的。
该K7A403600B ， K7A403200B和K7A401800B是FAB-
采用三星高性能CMOS ricated技
术，并提供一个100引脚TQFP封装。多种
电源和接地引脚被用于最小化地
反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-16
6.0
3.5
3.5
-14
7.2
4.0
4.0
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
CLK
LBO
控制
注册
ADV
ADSC
突发控制
逻辑
BURST
地址
A′0~A′1
计数器
A0~A1
128Kx36 / 32 ， 256Kx18
内存
ARRAY
ADSP
A0~A16
或A0 A17
地址
注册
A2~A16
或A2 A17
CS1
CS2
CS2
GW
BW
WEX
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
DQa0 DQd7
DQPa DQPd
数据在
注册
控制
注册
或DQa0 DQb7
DQPa DQPb
控制
逻辑
产量
注册
卜FF器
三十二分之三十六或18
-3-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A401800B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
ADSC
ADSP
世界环境日
WEB
WEA
WEC
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
V
SS
LBO
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
引脚名称
符号
A
0
- A
16
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
/ NC
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,39,42,43,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
32,33,34,35,36,37
44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
突发地址进展
83
地址状态处理器84
地址状态控制器85
时钟
89
芯片选择
98
芯片选择
97
芯片选择
92
字节写输入
93,94,95,96
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
掉电输入
突发模式控制
86
88
87
64
31
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEX
（X = A，B， C，D）
OE
GW
BW
ZZ
LBO
北卡罗来纳州
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
16
50
DQPc / NC
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd / NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7A403600B(128Kx36)
K7A403200B(128Kx32)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
-4-
2001年11月
1.0版
K7A403600B
K7A403200B
K7A401800B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
128Kx36 / X32 & 256Kx18同步SRAM
ADSC
ADSP
WEB
WEA
ADV
83
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
符号
A
0
- A
17
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49,
50,80,81,82,99,100
83
84
85
89
98
97
92
93,94
86
88
87
64
31
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,14,16,25,28,29,
30,38,39,42,43,51,52,53,
56,57,66,75,78,79,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73
8,9,12,13,18,19,22,23
74,24
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEX
（ X = A ，二）
OE
GW
BW
ZZ
LBO
突发地址进展
地址状态处理器
地址状态控制器
时钟
芯片选择
芯片选择
芯片选择
字节写输入
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
掉电输入
突发模式控制
LBO
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQPa ，铅
V
DDQ
V
SSQ
数据输入/输出
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
A
17
50
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DQB
0
DQB
1
V
SSQ
V
DDQ
DQB
2
DQB
3
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQB
4
DQB
5
V
DDQ
V
SSQ
DQB
6
DQB
7
DQPb
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7A401800B(256Kx18)
A
10
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQPa
DQA
7
DQA
6
V
SSQ
V
DDQ
DQA
5
DQA
4
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
3
DQA
2
V
DDQ
V
SSQ
DQA
1
DQA
0
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
-5-
2001年11月
1.0版
QQ：2881677436 复制
