K7B163635B
K7B161835B
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
18MB同步。突发SRAM规格
100TQFP有铅/无铅
（符合RoHS ）
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修订版3.0 2006年4月
K7B163635B
K7B161835B
18MB SB SRAM订购信息
组织。
1Mx18
512Kx36
Vdd的（V）的
3.3/2.5
3.3/2.5
速度快（纳秒）
8.5
8.5
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
访问时间（纳秒）
7.5
7.5
产品型号
K7B161835B-P(Q)
1
C（ I）
2
75
K7B163635B-P(Q)
1
C（ I）
2
75
RoHS库存。
√
√
注1： P（ Q） 【包装类型】 ： P-无铅， Q-铅
2. C（ I） [工作温度] ： C-商业， I-工业
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修订版3.0 2006年4月
K7B163635B
K7B161835B
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
512Kx36 & 1Mx18位同步突发SRAM
特点
同步操作。
片地址计数器。
自定时写周期。
在片内地址和控制寄存器。
V
DD
= 2.5或3.3V ±5 ％电源。
5V容限输入除I / O引脚。
字节写入功能。
全局写使能控制一个完整的总线宽度写。
通过ZZ信号掉电状态。
LBO引脚允许任何一个交错突发或线性的选择
耳边一阵。
三个芯片使简单的深度扩展没有数据
只为TQFP争。
异步输出使能控制。
ADSP ， ADSC ， ADV突发控制引脚。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A （铅和无铅封装）
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7B163635B和K7B161835B是18874368位同步
异步的静态随机存取存储器设计用于高
奔腾和Power PC的性能二级缓存
基础的系统。
它是作为36 （ 18 ）比特和集成512K （ 1M）的话
地址和控制寄存器的2位的猝发地址计数器和
加的高性能高速缓存RAM的一些新的功能
应用; GW ， BW ， LBO ， ZZ 。写周期是内部自我
定时和同步。
全总线宽度写入由GW完成，每个字节写操作per-
通过WEX和BW的结合时， GW高而形成的。
与CS
1
高， ADSP被封锁控制信号。
突发周期可以与任一地址的状态发起亲
处理器（ ADSP ）或地址状态高速缓存控制器（ ADSC ）
输入。内部中产生后续的突发地址
该系统的脉冲串序列，并且由脉冲串控制
地址前进（ ADV ）的输入。
LBO引脚的直流操作，决定了突发序列（线性
或交错） 。
ZZ引脚控制掉电状态，并降低待机电流
租不管CLK的。
该K7B163635B和K7B161835B使用SAM-制造
SUNG的高性能CMOS技术，可
在一个100引脚TQFP封装。多个电源和地引脚
利用以减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
t
CYC
t
CD
t
OE
-75
8.5
7.5
3.5
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
CLK
LBO
控制
注册
ADV
ADSC
突发控制
逻辑
BURST
地址
计数器
A
0
~A
1
A
0
~A
18
OR A
0
~A
19
地址
注册
512Kx36 ， 1Mx18
内存
ARRAY
A′
0
~A′
1
A
2
~A
18
OR A
2
~A
19
ADSP
CS
1
CS
2
CS
2
GW
BW
WEX
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
数据在
注册
控制
注册
控制
逻辑
产量
卜FF器
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb7
DQPa DQPd
DQPa ， DQPb
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修订版3.0 2006年4月
K7B163635B
K7B161835B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
ADSC
ADSP
世界环境日
WEB
WEA
WEC
A
6
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
V
SS
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
18
A
17
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
或NC
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,39,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
32,33,34,35,36,37,42
43,44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
83
ADV
突发地址进展
地址状态处理器84
ADSP
地址状态控制器85
ADSC
89
时钟
CLK
98
芯片选择
CS
1
97
芯片选择
CS
2
92
芯片选择
CS
2
93,94,95,96
WEX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
86
OUTPUT ENABLE
OE
88
全局写使能
GW
87
字节写使能
BW
64
掉电输入
ZZ
31
突发模式控制
LBO
A
16
A
11
50
NC / DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
NC / DQPd
81
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7B163635B(512Kx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
输出电源
（ 2.5V或3.3V ）
输出地
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意事项：
1. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
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修订版3.0 2006年4月
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