K6X8016C3B家庭
文档标题
512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加商业产品。
修订
- 勘误表修正：修正商用产品家族的名字从
K6X8016C3B -F ，以K6X8016C3B -B的产品家族。
敲定
- 改变了我
CC
由12mA 6毫安
- 改变了我
CC
1由12mA 7毫安
- 改变了我
CC
2 ，从60毫安35mA的电流
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
SB
1
（商业）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（工业级）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（汽车）
从50μA至40μA
- 改变了我
DR
（商业）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（工业级）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（汽车）
从40μA至30μA
草案日期
2002年10月31日
2002年12月11日
备注
初步
初步
0.11
2003年3月26日
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X8016C3B-TB55
K6X8016C3B-TB70
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X8016C3B-TF55
K6X8016C3B-TF70
汽车产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X8016C3B-TQ55
K6X8016C3B-TQ70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ，L
44 TSOP2 -F ，为70ns ，L
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注： X表示不要
′
不在乎。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5到V
CC
+0.5V(max.7.0V)
-0.3 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X8016C3B-B
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，另有规定。
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，另有规定。
汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃，另有规定。
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH ，
OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
or
V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
K6X8016C3B-B
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
6
7
35
0.4
-
0.4
25
25
40
A
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
4
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
CMOS SRAM
C
L
1
)
1.Including范围和夹具电容
AC特性
(V
CC
= 4.5 5.5V ，商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车电子产品：T已
A
= -40 125 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
读
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
LB ， UB有效到数据输出
UB ， LB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
55
45
0
45
40
0
0
20
0
5
45
55ns
最大
-
55
55
25
-
-
-
20
20
-
25
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
-
25
25
-
35
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS≥Vcc-0.2V
K6X8016C3B-B
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
CS≥Vcc-0.2V
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
测试条件
民
2.0
-
-
-
0
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
15
15
30
-
-
ms
A
单位
V
5
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
文档标题
512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加商业产品。
修订
- 勘误表修正：修正商用产品家族的名字从
K6X8016C3B -F ，以K6X8016C3B -B的产品家族。
敲定
- 改变了我
CC
由12mA 6毫安
- 改变了我
CC
1由12mA 7毫安
- 改变了我
CC
2 ，从60毫安35mA的电流
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
SB
1
（商业）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（工业级）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（汽车）
从50μA至40μA
- 改变了我
DR
（商业）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（工业级）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（汽车）
从40μA至30μA
草案日期
2002年10月31日
2002年12月11日
备注
初步
初步
0.11
2003年3月26日
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X8016C3B-TB55
K6X8016C3B-TB70
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X8016C3B-TF55
K6X8016C3B-TF70
汽车产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X8016C3B-TQ55
K6X8016C3B-TQ70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ，L
44 TSOP2 -F ，为70ns ，L
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注： X表示不要
′
不在乎。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5到V
CC
+0.5V(max.7.0V)
-0.3 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X8016C3B-B
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，另有规定。
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，另有规定。
汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃，另有规定。
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH ，
OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
or
V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
K6X8016C3B-B
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
6
7
35
0.4
-
0.4
25
25
40
A
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
4
修订版1.0
2003年9月
K6X8016C3B家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
CMOS SRAM
C
L
1
)
1.Including范围和夹具电容
AC特性
(V
CC
= 4.5 5.5V ，商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车电子产品：T已
A
= -40 125 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
读
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
LB ， UB有效到数据输出
UB ， LB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
55
45
0
45
40
0
0
20
0
5
45
55ns
最大
-
55
55
25
-
-
-
20
20
-
25
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
-
25
25
-
35
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS≥Vcc-0.2V
K6X8016C3B-B
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
CS≥Vcc-0.2V
K6X8016C3B-F
K6X8016C3B-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
测试条件
民
2.0
-
-
-
0
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
15
15
30
-
-
ms
A
单位
V
5
修订版1.0
2003年9月
QQ：2880707522 复制
