K7A163631B
K7A161831B
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
18MB B-死同步。 SRAM规格
100TQFP与铅&无铅
（符合RoHS ）
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并随时更改，恕不另行通知。
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明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。
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2005年7月
1.0版
K7A163631B
K7A161831B
文档标题
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
512Kx36 & 1Mx18位同步流水线突发SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
1.初始草案
1.更新直流电流规格（I
CC
, I
SB
)
1.改变ISB ， ISB1 ， ISB2
- ISB ;从120毫安到170毫安
- ISB1 ;从80毫安150mA电流
- ISB2 ;从80毫安到130毫安
1.取下1.8V VDD的电压情况
1.拆下-16速度斌
1.最终确定数据表
草案日期
三月23， 2004
五月。 21 ， 2004年
九月21， 2004
备注
ADVANCE
初步
初步
0.3
0.4
1.0
2004年10月18日
2005年1月4日
2005年7月18日
初步
初步
最终科幻
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2005年7月
1.0版
K7A163631B
K7A161831B
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
18MB SB / SPB同步SRAM订购信息
组织。
产品型号
模式
VDD
速度
SB ;访问时间（纳秒）
SPB ;周期时间（ MHz）的
7.5ns
250/167MHz
200MHz
7.5ns
250/167MHz
200MHz
P：无铅
100TQFP
I
;产业
TEMP.RANGE
PKG
温度
K7B161835B-Q(P)C(I)75
1Mx18
K7A161830B-Q(P)C(I)25/16
K7A161831B-Q(P)C(I)20
K7B163635B-Q(P)C(I)75
512Kx36 K7A163630B -Q （P ）， C（ I） 25/16
K7A163631B-Q(P)C(I)20
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
SB
SPB(2E1D)
SPB(2E2D)
3.3/2.5
3.3/2.5
3.3/2.5
3.3/2.5
3.3/2.5
3.3/2.5
C
;广告
问： 100TQFP Temp.Range
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512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
512Kx36 & 1Mx18位同步流水线突发SRAM
特点
同步操作。
2级流水线操作， 4连拍。
片地址计数器。
自定时写周期。
在片内地址和控制寄存器。
V
DD
= 2.5或3.3V ±5 ％电源。
5V容限输入除I / O引脚。
字节写入功能。
全局写使能控制一个完整的总线宽度写。
通过ZZ信号掉电状态。
LBO引脚允许任何一个交错突发或线性的选择
爆裂。
三个芯片使简单的深度扩展没有数据
争; 2cycle启用， 2cycle禁用。
异步输出使能控制。
ADSP ， ADSC ， ADV突发控制引脚。
TTL电平的三态输出。
100 - TQFP - 1420A套装（铅和无铅封装）
操作中commeical和工业温度范围。
概述
该K7A163631B和K7A161831B是18874368位同步
异步的静态随机存取存储器设计用于高
奔腾和Power PC的性能二级缓存
基础的系统。
它是作为36 （ 18 ）比特和集成512K （ 1M）的话
地址和控制寄存器的2位的猝发地址计数器和
加的高性能高速缓存RAM的一些新的功能
应用; GW ， BW ， LBO ， ZZ 。写周期是内部自我
定时和同步。
全总线宽度写入由GW完成，每个字节写操作per-
通过WEX和BW的结合时， GW高而形成的。
与CS
1
高， ADSP被封锁控制信号。
突发周期可以与任一地址的状态发起亲
处理器（ ADSP ）或地址状态高速缓存控制器（ ADSC ）
输入。内部中产生后续的突发地址
该系统的脉冲串序列，并且由脉冲串控制
地址前进（ ADV ）的输入。
LBO引脚的直流操作，决定了突发序列（线性
或交错） 。
ZZ引脚控制掉电状态，并降低待机电流
租不管CLK的。
该K7A163631B和K7A161831B使用SAM-制造
SUNG的高性能CMOS技术，可
在一个100引脚TQFP封装。多个电源和地引脚
利用以减少地面反弹。
快速访问TIMES
参数
周期
时钟存取时间
输出启用访问时间
符号
TCYC
TCD
TOE
-20
5.0
3.1
3.1
单位
ns
ns
ns
逻辑框图
CLK
LBO
控制
注册
ADV
ADSC
突发控制
逻辑
BURST
地址
计数器
A
0
~A
1
A
0
~A
18
OR A
0
~A
19
地址
注册
A
2
~A
18
OR A
2
~A
19
A′
0
~A′
1
512Kx36 ， 1Mx18
内存
ARRAY
ADSP
CS
1
CS
2
CS
2
GW
BW
WEX
（ X = A ，B，C ， d或一，二）
OE
ZZ
数据在
注册
控制
注册
控制
逻辑
产量
注册
卜FF器
DQA
0
DQD
7
或DQa0 DQb7
DQPa ， DQPb
DQPa DQPd
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K7A163631B
K7A161831B
引脚配置
（ TOP VIEW ）
世界环境日
WEB
WEA
WEC
512Kx36 & 1Mx18同步SRAM
ADSC
ADSP
CS
2
A
6
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
V
SS
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
18
A
17
A
10
A
12
A
13
A
14
A
15
LBO
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
引脚名称
符号
A
0
- A
18
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
DQA
0
~a
7
DQB
0
~b
7
DQC
0
~c
7
DQD
0
~d
7
DQPa P
d
或N.C
V
DDQ
V
SSQ
引脚名称
电源（ + 3.3V ）
地
无连接
数据输入/输出
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,39,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
32,33,34,35,36,37,42
43,44,45,46,47,48,49
50,81,82,99,100
ADV
突发地址进展
83
ADSP
地址状态处理器84
ADSC
地址状态控制器85
CLK
时钟
89
CS
1
芯片选择
98
CS
2
芯片选择
97
CS
2
芯片选择
92
WEX （ X = A，B ， C，D ）字节写入输入
93,94,95,96
OE
OUTPUT ENABLE
86
GW
全局写使能
88
BW
字节写使能
87
ZZ
掉电输入
64
LBO
突发模式控制
31
输出电源
（ 3.3V或2.5V ）
输出地
A
16
A
11
50
NC / DQPc
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
NC / DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
（ 20毫米X 14毫米）
K7A163631B(512Kx36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
注意：
1. A
0
AND A
1
是地址字段的两个最低显著位（ LSB），并设置内部突发计数器，如果脉冲串是期望的。
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2005年7月
1.0版
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