【K6X8008C2B家庭文档标题1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAMCMOS SRAM修订历史】,IC型号K6X8008C2B-Q,K6X8008C2B-Q PDF资料,K6X8008C2B-Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6X8008C2B家庭

文档标题

1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

最初的草案

修订

- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。

- 增加商业产品。

敲定

- 改变了我

CC

在10mA为6mA

- 改变了我

CC

1 10mA至7毫安

- 改变了我

CC

2在50mA 35mA的电流

- 改变了我

SB

从3毫安至0.4mA

- 改变了我

SB

1

（商业）

从40μA至25μA

- 改变了我

SB

1

（工业级）

从40μA至25μA

- 改变了我

SB

1

（汽车）

从50μA至40μA

- 改变了我

DR

（商业）

从30μA至15μA

- 改变了我

DR

（工业级）

从30μA至15μA

- 改变了我

DR

（汽车）

从40μA至30μA

草案日期

2002年10月31日

2002年12月11日

备注

初步

1.0

2003年9月16日决赛

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

1Mx8位低功耗全CMOS静态RAM

特点

工艺技术：全CMOS

组织： 1M ×8

电源电压： 4.5 5.5V

低数据保持电压： 2.0V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： 44 TSOP2-400F

CMOS SRAM

概述

该K6X8008C2B家庭是由三星公司制造

先进的全CMOS工艺技术。家庭支持部门

端口不同的工作温度范围的用户灵活性

系统设计。该系列还支持低数据保留

电压，用于电池备份低数据保持操作

电流。

亲

DUCT系列

功耗

产品系列

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

工作温度

Commercial(0~70°C)

Industrial(-40~85°C)

Automotive(-40~125°C)

4.5~5.5V

55

1)

/70ns

VCC范围

速度

待机

(I

SB1

，最大值）

25A

40A

35mA

44-TSOP2-400F

操作

(I

CC2

，最大值）

PKG型

1.参数的测量条件为50pF的测试负载。

引脚说明

A4

A3

A2

A1

A0

CS1

NC

I/O1

I/O2

VCC

VSS

I/O3

I/O4

NC

WE

A19

A18

A17

A16

A15

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

CS2

A8

NC

I/O8

I/O7

VSS

VCC

I/O6

I/O5

NC

A9

A10

A11

A12

A13

A14

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

VCC

VSS

ROW

地址

ROW

SELECT

存储阵列

44-TSOP2

前锋

I / O

1

-I / O

8

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

列地址

名字

CS

1

， CS

2

OE

WE

I / O

1

-I / O

8

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

数据输入/输出

名字

VCC

VSS

功能

动力

地

CS1

CS2

OE

WE

A

0

~A

19

地址输入

NC

无连接

控制逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

产品列表

商用产品（ 0 70 ° C）

部件名称

K6X8008C2B-TB55

K6X8008C2B-TB70

CMOS SRAM

工业产品（ -40 85°C ）

部件名称

K6X8008C2B-TF55

K6X8008C2B-TF70

汽车产品（ -40 125°C ）

部件名称

K6X8008C2B-TQ55

K6X8008C2B-TQ70

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ，L

44 TSOP2 -F ，为70ns ，L

功能说明

CS

1

H

X

L

CS

2

X

L

H

OE

X

H

L

X

WE

X

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

注：X表示不关心。（必须是低或高的状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

符号

V

IN

, V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

评级

-0.5到V

CC

+0.5V(max.7.0V)

-0.3 7.0

1.0

-65到150

0到70

工作温度

T

A

-40到85

-40至125

单位

V

W

°C

备注

-

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

产品

K6X8008C2B家庭

所有的家庭

K6X8008C2B家庭

民

4.5

0

2.2

-0.5

3)

CMOS SRAM

典型值

5.0

0

-

最大

5.5

0

Vcc+0.5

2)

0.8

单位

V

注意：

1.商业产品：T已

A

= 0至70℃ ，另有规定。

工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，另有规定。

汽车产品：T已

A

= -40 125 ℃，另有规定。

2.过冲： V

CC

+ 3.0V的情况下脉冲宽度的

≤30ns.

3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的

≤30ns.

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试。

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

V

OL

V

OH

I

SB

V

IN

= VSS到Vcc

CS

1

=V

IH ，

CS

2

=V

IL

或OE = V

IH

或WE = V

IL

, V

IO

= VSS到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS

1

=V

白细胞介素，

CS

2

=V

IH

我们= V

IH

, V

IN

=V

IH

或V

IL

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS

1

≤0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V,

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥V

CC

-0.2V

周期时间=最小，我

IO

= 0毫安， 100 ％的关税， CS

1

=V

IL

， CS

2

=V

IH ，

V

IN

=V

IL

或V

IH

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1.0mA

CS

1

=V

IH

， CS

2

=V

IL

，其它输入= V

IH

或V

IL

其他输入= 0 Vcc时，

1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V

（ CS

1

CON-

受控）或2） 0V≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

测试条件

最小典型最大单位

-1

-

2.4

-

1

6

7

35

0.4

-

0.4

25

40

A

mA

V

mA

待机电流（ CMOS ）

I

SB1

4

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.8 2.4V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=50pF+1TTL

CMOS SRAM

C

L

1

)

1.Including范围和夹具电容

AC特性

(V

CC

= 4.5 5.5V ，商业产品：T已

A

= 0 70 ° C，工业产品：T已

A

= -40到85°C ，汽车产品：T已

A

= -40 125 ℃）下

速箱

参数表

符号

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

55

-

10

5

0

10

55

45

0

45

40

0

25

0

5

55ns

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

民

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

30

0

5

70ns

最大

-

70

35

-

25

-

20

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

符号

V

DR

I

DR

测试条件

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

K6X8008C2B-B

Vcc=3.0V,

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

数据保留的建立时间

恢复时间

t

SDR

t

RDR

看到数据保存波形

0

5

-

民

2.0

典型值

-

最大

5.5

15

30

-

ms

A

单位

V

1. CS

1

≥Vcc-0.2V,CS

2

≥

Vcc-0.2V(CS

1

控制）或CS

2

≥

Vcc-0.2V(CS

2

控制）。

5

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

文档标题

1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

最初的草案

修订

- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。

- 增加商业产品。

敲定

- 改变了我

CC

在10mA为6mA

- 改变了我

CC

1 10mA至7毫安

- 改变了我

CC

2在50mA 35mA的电流

- 改变了我

SB

从3毫安至0.4mA

- 改变了我

SB

1

（商业）

从40μA至25μA

- 改变了我

SB

1

（工业级）

从40μA至25μA

- 改变了我

SB

1

（汽车）

从50μA至40μA

- 改变了我

DR

（商业）

从30μA至15μA

- 改变了我

DR

（工业级）

从30μA至15μA

- 改变了我

DR

（汽车）

从40μA至30μA

草案日期

2002年10月31日

2002年12月11日

备注

初步

1.0

2003年9月16日决赛

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

1Mx8位低功耗全CMOS静态RAM

特点

工艺技术：全CMOS

组织： 1M ×8

电源电压： 4.5 5.5V

低数据保持电压： 2.0V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： 44 TSOP2-400F

CMOS SRAM

概述

该K6X8008C2B家庭是由三星公司制造

先进的全CMOS工艺技术。家庭支持部门

端口不同的工作温度范围的用户灵活性

系统设计。该系列还支持低数据保留

电压，用于电池备份低数据保持操作

电流。

亲

DUCT系列

功耗

产品系列

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

工作温度

Commercial(0~70°C)

Industrial(-40~85°C)

Automotive(-40~125°C)

4.5~5.5V

55

1)

/70ns

VCC范围

速度

待机

(I

SB1

，最大值）

25A

40A

35mA

44-TSOP2-400F

操作

(I

CC2

，最大值）

PKG型

1.参数的测量条件为50pF的测试负载。

引脚说明

A4

A3

A2

A1

A0

CS1

NC

I/O1

I/O2

VCC

VSS

I/O3

I/O4

NC

WE

A19

A18

A17

A16

A15

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

CS2

A8

NC

I/O8

I/O7

VSS

VCC

I/O6

I/O5

NC

A9

A10

A11

A12

A13

A14

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

VCC

VSS

ROW

地址

ROW

SELECT

存储阵列

44-TSOP2

前锋

I / O

1

-I / O

8

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

列地址

名字

CS

1

， CS

2

OE

WE

I / O

1

-I / O

8

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

数据输入/输出

名字

VCC

VSS

功能

动力

地

CS1

CS2

OE

WE

A

0

~A

19

地址输入

NC

无连接

控制逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

产品列表

商用产品（ 0 70 ° C）

部件名称

K6X8008C2B-TB55

K6X8008C2B-TB70

CMOS SRAM

工业产品（ -40 85°C ）

部件名称

K6X8008C2B-TF55

K6X8008C2B-TF70

汽车产品（ -40 125°C ）

部件名称

K6X8008C2B-TQ55

K6X8008C2B-TQ70

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL

44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL

功能

44 TSOP2 -F ， 55ns ，L

44 TSOP2 -F ，为70ns ，L

功能说明

CS

1

H

X

L

CS

2

X

L

H

OE

X

H

L

X

WE

X

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

注：X表示不关心。（必须是低或高的状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

符号

V

IN

, V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

评级

-0.5到V

CC

+0.5V(max.7.0V)

-0.3 7.0

1.0

-65到150

0到70

工作温度

T

A

-40到85

-40至125

单位

V

W

°C

备注

-

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

产品

K6X8008C2B家庭

所有的家庭

K6X8008C2B家庭

民

4.5

0

2.2

-0.5

3)

CMOS SRAM

典型值

5.0

0

-

最大

5.5

0

Vcc+0.5

2)

0.8

单位

V

注意：

1.商业产品：T已

A

= 0至70℃ ，另有规定。

工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，另有规定。

汽车产品：T已

A

= -40 125 ℃，另有规定。

2.过冲： V

CC

+ 3.0V的情况下脉冲宽度的

≤30ns.

3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的

≤30ns.

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试。

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

V

OL

V

OH

I

SB

V

IN

= VSS到Vcc

CS

1

=V

IH ，

CS

2

=V

IL

或OE = V

IH

或WE = V

IL

, V

IO

= VSS到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS

1

=V

白细胞介素，

CS

2

=V

IH

我们= V

IH

, V

IN

=V

IH

或V

IL

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS

1

≤0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V,

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥V

CC

-0.2V

周期时间=最小，我

IO

= 0毫安， 100 ％的关税， CS

1

=V

IL

， CS

2

=V

IH ，

V

IN

=V

IL

或V

IH

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1.0mA

CS

1

=V

IH

， CS

2

=V

IL

，其它输入= V

IH

或V

IL

其他输入= 0 Vcc时，

1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V

（ CS

1

CON-

受控）或2） 0V≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

K6X8008C2B-B

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

测试条件

最小典型最大单位

-1

-

2.4

-

1

6

7

35

0.4

-

0.4

25

40

A

mA

V

mA

待机电流（ CMOS ）

I

SB1

4

修订版1.0

2003年9月

K6X8008C2B家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.8 2.4V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=50pF+1TTL

CMOS SRAM

C

L

1

)

1.Including范围和夹具电容

AC特性

(V

CC

= 4.5 5.5V ，商业产品：T已

A

= 0 70 ° C，工业产品：T已

A

= -40到85°C ，汽车产品：T已

A

= -40 125 ℃）下

速箱

参数表

符号

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

55

-

10

5

0

10

55

45

0

45

40

0

25

0

5

55ns

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

民

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

30

0

5

70ns

最大

-

70

35

-

25

-

20

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

符号

V

DR

I

DR

测试条件

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

K6X8008C2B-B

Vcc=3.0V,

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

K6X8008C2B-F

K6X8008C2B-Q

数据保留的建立时间

恢复时间

t

SDR

t

RDR

看到数据保存波形

0

5

-

民

2.0

典型值

-

最大

5.5

15

30

-

ms

A

单位

V

1. CS

1

≥Vcc-0.2V,CS

2

≥

Vcc-0.2V(CS

1

控制）或CS

2

≥

Vcc-0.2V(CS

2

控制）。

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2003年9月