K6X4016T3F家庭
文档标题
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修订
- 增加商业产品
- 已删除
44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加了55ns的产品（ @ 3.0V 3.6V ）
敲定
修订
- 改变了我
CC
（工作电源电流）在4mA至2mA
- 改变了我
CC
1 （平均工作电流）从4mA至3毫安
- 改变了我
CC
2 （平均工作电流）从40毫安25mA的
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，商业）
从15μA至10μA
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，工业）
从20μA至10μA
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，汽车）
从30μA至20μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，商业）
从15μA至10μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，工业）
从20μA至10μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，汽车）
从30μA至20μA
草案日期
2002年7月29日
2002年12月2日
备注
初步
初步
1.0
2003年8月8日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 256K X16
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出
封装类型： 44 TSOP2-400F
CMOS SRAM
概述
该K6X4016T3F家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。该系列支持VAR-
欠条的工作温度范围，并有44 TSOP2封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6X4016T3F-B
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
工作温度范围的Vcc
Commercial(0~70°C)
Industrial(-40~85°C)
Automotive(-40~125°C)
2.7~3.6V
速度快（纳秒）
待机
(I
SB1
，最大值）
10A
10A
70
2)
/85ns
20A
25mA
44-TSOP2-400F
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
55
1)
/70
2)
/85ns
1.该参数测量30pF的负载测试（VCC = 3.0 3.6V ） 。
2.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
VCC
VSS
44-TSOP2
前锋
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
17
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名称功能
VCC
VSS
LB
UB
NC
动力
地
低字节（ I / O
1~8
)
高字节（ I / O
9~16
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
列地址
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X4016T3F-TB55
1)
K6X4016T3F-TB70
K6X4016T3F-TB85
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X4016T3F-TF55
1)
K6X4016T3F-TF70
K6X4016T3F-TF85
汽车产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X4016T3F-TQ70
K6X4016T3F-TQ85
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
44 TSOP2 -F ， 85ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
44 TSOP2 -F ， 85ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ，为70ns ，L
44 TSOP2 -F ， 85ns ，L
1.工作电压范围为3.0 3.6V
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
H
X
1)
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
H
X
1)
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是在低温或高温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.2到V
CC
0.3 （最大3.9V ）
-0.2 3.9
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-40到85
-40至125
°C
单位
V
V
W
°C
备注
-
-
-
-
K6X4016T3F-B
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
C
L
1
)
1.Including范围和夹具电容
AC特性
( V
CC
= 2.7 3.6V ，商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃）下
速箱
参数表
符号
55ns
1
)
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
LB ， UB有效到数据输出
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
从地址变更输出保持
芯片禁用到高阻输出
OE禁用高Z输出
LB ， UB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
OH
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
45
最大
-
55
55
25
25
-
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
35
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
民
85
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
70
85ns
最大
-
85
85
40
40
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.电压范围为3.0V 3.6V的商业和工业产品。
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS≥Vcc-0.2V
K6X4016T3F-B
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
0
5
-
-
-
-
测试条件
民
2.0
典型值
-
最大
3.6
10
10
20
-
-
单位
V
A
A
A
ms
5
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
文档标题
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修订
- 增加商业产品
- 已删除
44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加了55ns的产品（ @ 3.0V 3.6V ）
敲定
修订
- 改变了我
CC
（工作电源电流）在4mA至2mA
- 改变了我
CC
1 （平均工作电流）从4mA至3毫安
- 改变了我
CC
2 （平均工作电流）从40毫安25mA的
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，商业）
从15μA至10μA
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，工业）
从20μA至10μA
- 改变了我
SB
1 （待机电流（ CMOS ） ，汽车）
从30μA至20μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，商业）
从15μA至10μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，工业）
从20μA至10μA
- 改变了我
DR
（数据保持电流，汽车）
从30μA至20μA
草案日期
2002年7月29日
2002年12月2日
备注
初步
初步
1.0
2003年8月8日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 256K X16
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出
封装类型： 44 TSOP2-400F
CMOS SRAM
概述
该K6X4016T3F家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。该系列支持VAR-
欠条的工作温度范围，并有44 TSOP2封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6X4016T3F-B
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
工作温度范围的Vcc
Commercial(0~70°C)
Industrial(-40~85°C)
Automotive(-40~125°C)
2.7~3.6V
速度快（纳秒）
待机
(I
SB1
，最大值）
10A
10A
70
2)
/85ns
20A
25mA
44-TSOP2-400F
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
55
1)
/70
2)
/85ns
1.该参数测量30pF的负载测试（VCC = 3.0 3.6V ） 。
2.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
VCC
VSS
44-TSOP2
前锋
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
17
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名称功能
VCC
VSS
LB
UB
NC
动力
地
低字节（ I / O
1~8
)
高字节（ I / O
9~16
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
列地址
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X4016T3F-TB55
1)
K6X4016T3F-TB70
K6X4016T3F-TB85
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X4016T3F-TF55
1)
K6X4016T3F-TF70
K6X4016T3F-TF85
汽车产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X4016T3F-TQ70
K6X4016T3F-TQ85
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
44 TSOP2 -F ， 85ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL
44 TSOP2 -F ， 85ns ， LL
功能
44 TSOP2 -F ，为70ns ，L
44 TSOP2 -F ， 85ns ，L
1.工作电压范围为3.0 3.6V
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
H
X
1)
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
H
X
1)
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是在低温或高温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.2到V
CC
0.3 （最大3.9V ）
-0.2 3.9
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-40到85
-40至125
°C
单位
V
V
W
°C
备注
-
-
-
-
K6X4016T3F-B
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年8月
K6X4016T3F家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
C
L
1
)
1.Including范围和夹具电容
AC特性
( V
CC
= 2.7 3.6V ，商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车产品：T已
A
= -40 125 ℃）下
速箱
参数表
符号
55ns
1
)
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
LB ， UB有效到数据输出
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
从地址变更输出保持
芯片禁用到高阻输出
OE禁用高Z输出
LB ， UB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
OH
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
45
最大
-
55
55
25
25
-
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
35
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
民
85
-
-
-
-
10
5
5
10
0
0
0
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
70
85ns
最大
-
85
85
40
40
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.电压范围为3.0V 3.6V的商业和工业产品。
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS≥Vcc-0.2V
K6X4016T3F-B
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
K6X4016T3F-F
K6X4016T3F-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
0
5
-
-
-
-
测试条件
民
2.0
典型值
-
最大
3.6
10
10
20
-
-
单位
V
A
A
A
ms
5
修订版1.0
2003年8月
QQ：2881677436 复制
