【K6X0808T1D家庭文档标题32Kx8位低功耗CMOS静态RAMCMOS SRAM修订历史版本号】,IC型号K6X0808T1D-NF70,K6X0808T1D-NF70 PDF资料,K6X0808T1D-NF70经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6X0808T1D家庭

文档标题

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

最初的草案

修订

- 勘误：修正28 - SOP- 525 28 - SOP- 450 PAKAGE类型

修订

- 增加商业产品。

敲定

- 改变了我

CC

从3毫安至2mA

- 改变了我

CC2

从25毫安至20mA

- 改变了我

SB

从3毫安至0.4mA

- 改变了我

SB1

对于K6X0808T1D -F从10μA至6μA

- 改变了我

SB1

对于K6X0808T1D -F从20μA至10μA

- 改变了我

DR

对于K6X0808T1D -F 10μA至6μA

- 改变了我

DR

对于K6X0808T1D -Q 20μA至10μA

- 修正勘误表

数据稿

2002年10月9日

2002年11月8日

备注

初步

0.2

2003年3月27日

初步

1.0

2003年12月16日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利和

产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

特点

工艺技术：全CMOS28-

组织： 32K ×8

电源电压： 2.7 3.6V

低数据保持电压： 1.5V （最小值）

三态输出

封装类型： 28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F / R

CMOS SRAM

概述

该K6X0808T1D家庭是由三星公司制造

先进的CMOS工艺技术。家庭支持

verious的工作温度范围和具有各种封装

年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭

还支持低数据保持电压为电池后备

操作以低数据保持电流。

32Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

产品系列

功耗

产品系列

工作温度范围的Vcc

速度

待机

(I

SB1

，最大值）

6A

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

Industrial(-40~85°C)

Automotive(-40~125°C)

2.7~3.6V

70

1)

/85ns

10A

25mA

28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F

操作

(I

CC2,

MAX ）

PKG型

K6X0808T1D-B

Industrial(0~70°C)

28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F / R

1.参数与30pF的测试负载测试

引脚说明

OE

A11

A9

A8

VCC A13

WE

VCC

A13 A14

A12

A8

A7

A6

A9

A5

A4

A11

A3

OE

A3

A4

CS

A5

A6

I/O8

A7

I / O7 A12

A14

I / O6 VCC

WE

I/O5

A13

A8

I/O4

A9

A11

A10

OE

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

15

16

17

18

19

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

功能框图

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

CLK GEN 。

预充电电路。

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

28-TSOP

类型1 - 前进

23

22

21

20

19

18

17

16

15

ROW

地址

ROW

SELECT

存储阵列

28-SOP

21

20

19

18

17

16

15

28-TSOP

类型1 - 反向

21

22

23

24

25

26

27

28

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

CS

A10

CS

1

I / O

1

I / O

8

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

列地址

引脚名称

A

0

~A

14

WE

CS

OE

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

引脚名称

I / O

1

-I / O

8

VCC

VSS

NC

功能

数据输入/输出

WE

OE

控制

逻辑

动力

地

无连接

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

产品列表

商业温度。产品（ 0 70 ° C）

部件名称

K6X0808T1D-GB70

K6X0808T1D-GB85

K6X0808T1D-YB70

K6X0808T1D-YB85

K6X0808T1D-NB70

K6X0808T1D-NB85

功能

28 - SOP ，为70ns ， LL

28 - SOP ， 85ns ， LL

28 sTSOP -F ，为70ns ， LL

28 sTSOP -F ， 85ns ， LL

28 sTSOP -R ，为70ns ， LL

28 sTSOP -R ， 85ns ， LL

工业级温度范围。产品（ -40 85°C ）

部件名称

K6X0808T1D-GF70

K6X0808T1D-GF85

K6X0808T1D-YF70

K6X0808T1D-YF85

K6X0808T1D-NF70

K6X0808T1D-NF85

功能

28 - SOP ，为70ns ， LL

28 - SOP ， 85ns ， LL

28 sTSOP -F ，为70ns ， LL

28 sTSOP -F ， 85ns ， LL

28 sTSOP -R ，为70ns ， LL

28 sTSOP -R ， 85ns ， LL

CMOS SRAM

Atomotive温度。产品（ -40 125°C ）

部件名称

K6X0808T1D-GQ70

K6X0808T1D-GQ85

K6X0808T1D-YQ70

K6X0808T1D-YQ85

功能

28 - SOP ，为70ns ，L

28 - SOP ， 85ns ，L

28 sTSOP -F ，为70ns ，L

28 sTSOP -F ， 85ns ，L

功能说明

CS

H

L

OE

X

1)

H

L

X

1)

WE

X

1)

H

L

I / O

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.2到V

CC

+ 0.3V （最大3.9V ）

-0.2 3.9

1.0

-65到150

-40到85

-40至125

单位

V

W

°C

备注

-

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

2.7

0

2.2

-0.2

3)

典型值

3.0/3.3

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

0

Vcc+0.2

2)

0.6

单位

V

注意：

1.工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，特别说明

A

utomotive产品：T已

A

= -40 125 ℃，另外指定

2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。

3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1

)

（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

V

OL

V

OH

I

SB

I

SB1

V

IN

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或OE = V

IH

或WE = V

IL

, V

IO

=V

SS

到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

读

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS≤0.2V ，

V

IN

≤0.2V

IN

-vcc

-0.2V

周期时间=最小， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

，其它输入= V

IH

或V

IL

CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

测试条件

最小典型最大单位

-1

-

2.4

-

1

2

3

20

0.4

-

0.3

6

10

A

mA

V

mA

A

4

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

C

L

1)

CMOS SRAM

1.包括范围和夹具电容

AC特性

(V

CC

= 2.7 3.6V ，工业产品：T已

A

= -40到85°C ，汽车电子产品：T已

A

= -40 125 ℃的

)

速箱

参数表

符号

民

70ns

最大

-

70

35

-

25

-

25

-

民

85

-

10

5

0

15

85

70

0

70

60

0

35

0

5

85ns

最大

-

85

40

-

25

-

30

-

单位

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

25

0

5

ns

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

符号

V

DR

I

DR

t

SDR

t

RDR

CS

1

≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS

1

≥Vcc-0.2V

看到数据保存波形

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

0

5

-

测试条件

民

2.0

-

典型值

-

最大

3.6

6

10

-

单位

V

A

ms

5

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

文档标题

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

历史

最初的草案

修订

- 勘误：修正28 - SOP- 525 28 - SOP- 450 PAKAGE类型

修订

- 增加商业产品。

敲定

- 改变了我

CC

从3毫安至2mA

- 改变了我

CC2

从25毫安至20mA

- 改变了我

SB

从3毫安至0.4mA

- 改变了我

SB1

对于K6X0808T1D -F从10μA至6μA

- 改变了我

SB1

对于K6X0808T1D -F从20μA至10μA

- 改变了我

DR

对于K6X0808T1D -F 10μA至6μA

- 改变了我

DR

对于K6X0808T1D -Q 20μA至10μA

- 修正勘误表

数据稿

2002年10月9日

2002年11月8日

备注

初步

0.2

2003年3月27日

初步

1.0

2003年12月16日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利和

产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

特点

工艺技术：全CMOS28-

组织： 32K ×8

电源电压： 2.7 3.6V

低数据保持电压： 1.5V （最小值）

三态输出

封装类型： 28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F / R

CMOS SRAM

概述

该K6X0808T1D家庭是由三星公司制造

先进的CMOS工艺技术。家庭支持

verious的工作温度范围和具有各种封装

年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭

还支持低数据保持电压为电池后备

操作以低数据保持电流。

32Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

产品系列

功耗

产品系列

工作温度范围的Vcc

速度

待机

(I

SB1

，最大值）

6A

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

Industrial(-40~85°C)

Automotive(-40~125°C)

2.7~3.6V

70

1)

/85ns

10A

25mA

28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F

操作

(I

CC2,

MAX ）

PKG型

K6X0808T1D-B

Industrial(0~70°C)

28 - SOP- 450 ， 28 TSOP1-0813.4F / R

1.参数与30pF的测试负载测试

引脚说明

OE

A11

A9

A8

VCC A13

WE

VCC

A13 A14

A12

A8

A7

A6

A9

A5

A4

A11

A3

OE

A3

A4

CS

A5

A6

I/O8

A7

I / O7 A12

A14

I / O6 VCC

WE

I/O5

A13

A8

I/O4

A9

A11

A10

OE

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

15

16

17

18

19

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

功能框图

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

CLK GEN 。

预充电电路。

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

28-TSOP

类型1 - 前进

23

22

21

20

19

18

17

16

15

ROW

地址

ROW

SELECT

存储阵列

28-SOP

21

20

19

18

17

16

15

28-TSOP

类型1 - 反向

21

22

23

24

25

26

27

28

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

CS

A10

CS

1

I / O

1

I / O

8

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

列地址

引脚名称

A

0

~A

14

WE

CS

OE

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

引脚名称

I / O

1

-I / O

8

VCC

VSS

NC

功能

数据输入/输出

WE

OE

控制

逻辑

动力

地

无连接

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

产品列表

商业温度。产品（ 0 70 ° C）

部件名称

K6X0808T1D-GB70

K6X0808T1D-GB85

K6X0808T1D-YB70

K6X0808T1D-YB85

K6X0808T1D-NB70

K6X0808T1D-NB85

功能

28 - SOP ，为70ns ， LL

28 - SOP ， 85ns ， LL

28 sTSOP -F ，为70ns ， LL

28 sTSOP -F ， 85ns ， LL

28 sTSOP -R ，为70ns ， LL

28 sTSOP -R ， 85ns ， LL

工业级温度范围。产品（ -40 85°C ）

部件名称

K6X0808T1D-GF70

K6X0808T1D-GF85

K6X0808T1D-YF70

K6X0808T1D-YF85

K6X0808T1D-NF70

K6X0808T1D-NF85

功能

28 - SOP ，为70ns ， LL

28 - SOP ， 85ns ， LL

28 sTSOP -F ，为70ns ， LL

28 sTSOP -F ， 85ns ， LL

28 sTSOP -R ，为70ns ， LL

28 sTSOP -R ， 85ns ， LL

CMOS SRAM

Atomotive温度。产品（ -40 125°C ）

部件名称

K6X0808T1D-GQ70

K6X0808T1D-GQ85

K6X0808T1D-YQ70

K6X0808T1D-YQ85

功能

28 - SOP ，为70ns ，L

28 - SOP ， 85ns ，L

28 sTSOP -F ，为70ns ，L

28 sTSOP -F ， 85ns ，L

功能说明

CS

H

L

OE

X

1)

H

L

X

1)

WE

X

1)

H

L

I / O

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.2到V

CC

+ 0.3V （最大3.9V ）

-0.2 3.9

1.0

-65到150

-40到85

-40至125

单位

V

W

°C

备注

-

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

3

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

2.7

0

2.2

-0.2

3)

典型值

3.0/3.3

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

0

Vcc+0.2

2)

0.6

单位

V

注意：

1.工业产品：T已

A

= -40 85 ℃，特别说明

A

utomotive产品：T已

A

= -40 125 ℃，另外指定

2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。

3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1

)

（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

V

OL

V

OH

I

SB

I

SB1

V

IN

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或OE = V

IH

或WE = V

IL

, V

IO

=V

SS

到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

读

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS≤0.2V ，

V

IN

≤0.2V

IN

-vcc

-0.2V

周期时间=最小， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

，其它输入= V

IH

或V

IL

CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

测试条件

最小典型最大单位

-1

-

2.4

-

1

2

3

20

0.4

-

0.3

6

10

A

mA

V

mA

A

4

修订版1.0

2003年12月

K6X0808T1D家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

C

L

1)

CMOS SRAM

1.包括范围和夹具电容

AC特性

(V

CC

= 2.7 3.6V ，工业产品：T已

A

= -40到85°C ，汽车电子产品：T已

A

= -40 125 ℃的

)

速箱

参数表

符号

民

70ns

最大

-

70

35

-

25

-

25

-

民

85

-

10

5

0

15

85

70

0

70

60

0

35

0

5

85ns

最大

-

85

40

-

25

-

30

-

单位

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

25

0

5

ns

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

符号

V

DR

I

DR

t

SDR

t

RDR

CS

1

≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS

1

≥Vcc-0.2V

看到数据保存波形

K6X0808T1D-F

K6X0808T1D-Q

0

5

-

测试条件

民

2.0

-

典型值

-

最大

3.6

6

10

-

单位

V

A

ms

5

修订版1.0

2003年12月