K6T4016C3C家庭
文档标题
256Kx16位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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0.0
1.0
历史
最初的草案
敲定
数据稿
1998年12月17日
1999年4月17日
备注
初步
敲定
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
1999年4月
K6T4016C3C家庭
256Kx16位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 256Kx16
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 44 TSOP2-400F / R
CMOS SRAM
概述
该K6T4016C3C家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和小包装
类型系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
化，低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T4016C3C-B
K6T4016C3C-F
工作温度
Commercial(0~70°C)
Industrial(-40~85°C)
VCC范围
速度快（纳秒）
待机
(I
SB1
，最大值）
20A
50A
操作
(I
CC2
，最大值）
90mA
PKG型
4.5~5.5V
55
1)
/70
44-TSOP2-400F/R
1.参数的测量条件为50pF的测试负载。
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
VCC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O口
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
VSS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
功能框图
CLK GEN 。
A13
A14
A0
A1
A15
A16
A17
A2
A3
A4
I / O
1
-I / O
8
预充电电路。
VCC
VSS
44-TSOP2
前锋
44-TSOP2
反向
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
256 × 16列
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
I / O
9
-I / O
16
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
17
I / O
1
-I / O
16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
动力
地
高字节（ I / O
9~16
)
低字节（ I / O
1~8
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
A8 A9 A10 A5 A6 A7 A4 A12
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
修订版1.0
1999年4月
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K6T4016C3C家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
K6T4016C3C-TB55
K6T4016C3C-TB70
K6T4016C3C-RB55
K6T4016C3C-RB70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -R ， 55ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -R ，为70ns ， LL- PWR
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6T4016C3C-TF55
K6T4016C3C-TF70
K6T4016C3C-RF55
K6T4016C3C-RF70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -F ，为70ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -R ， 55ns ， LL- PWR
44 TSOP2 -R ，为70ns ， LL- PWR
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
H
X
1)
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
H
X
1)
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是在低温或高温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5 7.0
-0.5 to7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6T4016C3C-B
K6T4016C3C-F
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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1999年4月
K6T4016C3C家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
平均工作电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vcc-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH ，
其他输入= V
IL
或V
IH
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
民
典型值
最大
单位
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
10
15
90
0.4
-
3
20
1)
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
1.工业产品= 50μA
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
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修订版1.0
1999年4月
K6T4016C3C家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
50pF+1TTL
1)
1.为55ns产品
CMOS SRAM
C
L
1)
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ VCC = 4.5 5.5V ，商业产品：T已
A=
0 70 ° C，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
读
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
芯片禁用到高阻输出
OE禁用高Z输出
从地址变更输出保持
LB ， UB有效到数据输出
UB ， LB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
BA
t
BHZ
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
55
45
0
45
45
0
0
25
0
5
45
55ns
最大
-
55
55
25
-
-
-
20
20
-
25
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
5
0
0
10
-
0
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
-
25
25
-
35
25
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
1.工业产品： 20μA
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
Vcc=3.0V
看到数据保存波形
民
2.0
-
0
5
典型值
-
-
-
-
最大
5.5
15
1)
-
-
单位
V
A
ms
5
修订版1.0
1999年4月
QQ：2880707522 复制
