K6T1008C2E家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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0.0
1.0
历史
设计目标
敲定
- 改进吨
WP
形成55ns至50ns的为70ns的产品。
- 请从工业产品55ns的速度仓。
勘误校正
修改
修改
- 添加55ns部分工业产品。
修改
- 增加汽车级温度产品
数据稿
1998年10月12日
1999年8月30日
备注
初步
最终科幻
1.01
2.0
3.0
1999年12月1日
2000年2月14日
2000年3月3日
最终科幻
最终科幻
4.0
2002年5月30日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版4.0
2002年5月
K6T1008C2E家庭
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 128K ×8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525 ，
32-TSOP1-0820F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008C2E家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T1008C2E-L
K6T1008C2E-B
K6T1008C2E-P
K6T1008C2E-F
K6T1008C2E-Q
Automotive(-40~125°C)
Industrial(-40~85°C)
4.5~5.5V
55
1)
/70ns
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
50A
10A
50A
15A
50A
50mA
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
Commercial(0~70°C)
32 -DIP -600 ， 32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F/R
32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F/R
32 -SOP -525
1.参数与50pF的测试负载测试
引脚说明
A11
A9
A8
A13
VCC我们
CS2
A15 A15
VCC
CS2 NC
WE A16
A14
A13 A12
A7
A8
A6
A5
A9
A4
A11
OE
A4
A5
CS1 A6
A7
I / O8 A12
A14
I / O7 A16
I / O6 NC
VCC
I / O5 A15
CS2
I/O4
WE
A13
A8
A9
A11
A10
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
32-TSOP
Type1-Forward
生
地址
32-SOP
32-DIP
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128 × 8列
I / O
1
I / O
8
32-TSOP
Type1-Reverse
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
I / O
1
-I / O
8
A
0
~A
16
VCC
VSS
NC
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
地址输入
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版4.0
2002年5月
K6T1008C2E家庭
产品列表
商业温度。产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6T1008C2E-DL55
K6T1008C2E-DL70
K6T1008C2E-DB55
K6T1008C2E-DB70
K6T1008C2E-GL55
K6T1008C2E-GL70
K6T1008C2E-GB55
K6T1008C2E-GB70
K6T1008C2E-TB55
K6T1008C2E-TB70
K6T1008C2E-RB55
K6T1008C2E-RB70
功能
32 - DIP ， 55ns ，L压水堆
32 - DIP ，为70ns ，L压水堆
32 - DIP ， 55ns ， LL压水堆
32 - DIP ，为70ns ， LL压水堆
32 - SOP ， 55ns ，L压水堆
32 - SOP ，为70ns ，L压水堆
32 - SOP ， 55ns ， LL压水堆
32 - SOP ，为70ns ， LL压水堆
32 TSOP -F ， 55ns ， LL压水堆
32 TSOP -F ，为70ns ， LL压水堆
32 TSOP -R ， 55ns ， LL压水堆
32 TSOP -R ，为70ns ， LL压水堆
工业级温度范围。产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6T1008C2E-GP55
K6T1008C2E-GP70
K6T1008C2E-GF55
K6T1008C2E-GF70
K6T1008C2E-TF55
K6T1008C2E-TF70
K6T1008C2E-RF55
K6T1008C2E-RF70
功能
32 - SOP ， 55ns ，L压水堆
32 - SOP ，为70ns ，L压水堆
32 - SOP ， 55ns ， LL压水堆
32 - SOP ，为70ns ， LL压水堆
32 TSOP -F ， 55ns ， LL压水堆
32 TSOP -F ，为70ns ， LL压水堆
32 TSOP -R ， 55ns ， LL压水堆
32 TSOP -R ，为70ns ， LL压水堆
CMOS SRAM
汽车温度。产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6T1008C2E-GQ55
K6T1008C2E-GQ70
功能
32 - SOP ， 55ns ，L压水堆
32 - SOP ，为70ns ，L压水堆
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6T1008C2E-L/-B
K6T1008C2E-P/-F
K6T1008C2E-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版4.0
2002年5月
K6T1008C2E家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
K6T1008C2E家庭
所有的家庭
K6T1008C2E家庭
K6T1008C2E家庭
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
-0至70_C
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃下
汽车产品牛逼
A
= -40 125 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
测试条件
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
10
7
50
0.4
-
3
50
1)
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
1. 50μA的低功耗产品，以防低低功耗产品COMERCIAL = 10μA ，工业= 15μA 。
4
修订版4.0
2002年5月
QQ：2880707522 复制
