初步
K6T1008C2C家庭
文档标题
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
第一次修订
- 独立的读取和写入的我
CC
, I
CC1
I
CC =
I
CC1
→
阅读： 15毫安，写： 35毫安
敲定
- 添加70ns的速度斌的商业产品和85ns的速度
滨工业。
修订
- 改进工作电流
添加典型值。
I
CC
阅读： 15毫安
→
10毫安（删除写入电流）
I
CC2
： 90毫安
→
60mA
- 速度斌变化
取下商业部分为45nS
去除工业零件55ns和100ns的。
草案日期
1995年11月22日
1996年4月15日
备注
设计目标
初步
1.0
1996年9月5日
最终科幻
2.0
1997年11月5日
最终科幻
所附的数据表是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
2.0版
1997年11月
初步
K6T1008C2C家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 128K X8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525 ，
32-TSOP1-0820F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008C2C家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种
系统设计的用户灵活性的封装类型。该fami-
谎言也支持低数据保持电压，用于电池后台
操作起来具有低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
50A
10A
60mA
70ns
50A
15A
32-SOP
32-TSOP1-F/R
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
K6T1008C2C-L
K6T1008C2C-B
K6T1008C2C-P
K6T1008C2C-F
Commercial(0~70°C)
4.5~5.5V
Industrial(-40~85°C)
55/70ns
32 - DIP ， 32 -SOP
32-TSOP1-F/R
引脚说明
A11
A9
A8
VCC A13
WE
A15
CS2
CS2 A15
VCC
WE
N.C
A13 A16
A14
A8
A12
A9
A7
A6
A11
A5
OE
A4
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
N.C
VCC
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
功能框图
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
A4
A5
A6
A7
A8
A12
A13
A14
A15
A16
V
CC
V
SS
存储阵列
1024行
128 × 8列
32-TSOP
类型1 - 前进
25
24
23
22
21
20
19
18
17
ROW
SELECT
32-DIP
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
类型1 - 反向
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
CS1
CS2
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
A0
A1
A2
A3 A9 A10 A11
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
16
功能
片选输入
OUTPUT ENABLE
写使能输入
地址输入
名字
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
N.C
功能
数据输入/输出
动力
地
无连接
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
2.0版
1997年11月
初步
K6T1008C2C家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
K6T1008C2C-DL55
K6T1008C2C-DL70
K6T1008C2C-DB55
K6T1008C2C-DB70
K6T1008C2C-GL55
K6T1008C2C-GL70
K6T1008C2C-GB55
K6T1008C2C-GB70
K6T1008C2C-TB55
K6T1008C2C-TB70
K6T1008C2C-RB55
K6T1008C2C-RB70
功能
32 - DIP ， 55ns ， L- PWR
32 - DIP ，为70ns ， L- PWR
32 - DIP ， 55ns ， LL- PWR
32 - DIP ，为70ns ， LL- PWR
32 SOP， 55ns ，L-压水堆
32 SOP，为70ns ，L-压水堆
32 - SOP ， 55ns ， LL- PWR
32 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -F ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -F ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -R ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -R ，为70ns ， LL- PWR
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6T1008C2C-GP70
K6T1008C2C-GF70
K6T1008C2C-TF70
K6T1008C2C-RF70
功能
32 SOP，为70ns ，L-压水堆
32 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -F ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -R ，为70ns ， LL- PWR
CMOS SRAM
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是高或低的状态。 ）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
K6T1008C2C-L
K6T1008C2C-P
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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2.0版
1997年11月
初步
K6T1008C2C家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
CMOS SRAM
记
1.商业产品：T已
A
= 0至70° C和工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲： VCC + 3.0V for≤30ns脉冲宽度。
3.冲： -3.0V for≤30ns脉冲宽度。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容采样不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
K6T1008C2C-L
待机
当前
（ CMOS）的
K6T1008C2C-B
K6T1008C2C-P
K6T1008C2C-F
I
SB1
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
读
写
-
-
2.4
-
-
-
-
-
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
5
2
20
45
-
-
-
1
0.3
1
0.3
最大
1
1
10
5
35
60
0.4
-
3
50
10
50
15
A
mA
V
V
mA
单位
A
A
mA
mA
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ，
CS
2
=V
白细胞介素，
其他输入= V
IL
或V
IH
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS2≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V
其他输入= 0 Vcc的
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
4
2.0版
1997年11月
QQ：2880707522 复制
