K6T0808C1D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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修订历史不
0.0
0.1
最初的草案
第一次修订
-
K
M62256DL / DLI我
SB1
= 100
→
50A
KM62256DL - L I
SB1
= 20
→
10A
KM62256DLI - L I
SB1
= 50
→
15A
- C
IN
= 6
→
为8pF ，C
IO
= 8
→
10pF
- KM62256D -4 /5/7系列
TOH = 5
→
10ns
- KM62256DL / DLI我
DR
= 50→30A
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 30
→
15A
敲定
- 删除我
CC
写入值
- 改进工作电流
I
CC2
= 70
→
60mA
- 改进的待机电流
KM62256DL / DLI我
SB1
= 50
→
30A
KM62256DL - L I
SB1
= 10
→
5A
KM62256DLI - L I
SB1
= 15
→
5A
- 改进的数据保持电流
KM62256DL / DLI我
DR
= 30
→
5A
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 15
→
3A
- 从商业产品和100ns的部分删除部分为45nS
从工业产品。
更换试验载荷为100pF电容50pF的为55ns的一部分
数据稿
1997年5月18日
1997年4月1日
备注
设计目标
Preliminily
1.0
1997年11月11日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
修订版1.0
1997年11月
K6T0808C1D家庭
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 32Kx8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 28 - DIP- 600B ， 28 - SOP- 450
28 TSOP1-0813.4 F / R
CMOS SRAM
概述
该K6T0808C1D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种
系统设计的用户灵活性的封装类型。该fami-
谎言也支持低数据保持电压，用于电池后台
操作起来具有低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T0808C1D-L
K6T0808C1D-B
K6T0808C1D-P
K6T0808C1D-F
1.参数与50pF的测试负载测试。
工作温度
V
CC
范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
30A
5A
30A
5A
操作
（ICC
2,
MAX ）
PKG型
商业级（0 70 ° C）
4.5 5.5V
工业（ -40 85°C ）
55
1)
/70ns
28-DIP,28-SOP
28-TSOP1-F/R
60mA
28-SOP
28-TSOP1-F/R
70ns
引脚说明
OE
A11
A9
A8
VCC A13
WE
WE
VCC
A13 A14
A12
A8
A7
A6
A9
A5
A4
A11
A3
OE
A10
CS
A3
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A13
A8
A12
A14
A4
A5
A6
A7
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
CLK GEN 。
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
SELECT
存储阵列
256行
128 × 8列
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
A4
A5
A6
I/O8
A7
I / O7 A12
A14
I / O6 VCC
I/O5
I/O4
WE
A13
A8
A9
A11
OE
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
数据
CONT
A10 A3
A0
A1 A2 A9
A11
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
修订版1.0
1997年11月
K6T0808C1D家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
K6T0808C1D-DL55
K6T0808C1D-DB55
K6T0808C1D-DL70
K6T0808C1D-DB70
K6T0808C1D-GL55
K6T0808C1D-GB55
K6T0808C1D-GL70
K6T0808C1D-GB70
K6T0808C1D-TL55
K6T0808C1D-TB55
K6T0808C1D-TL70
K6T0808C1D-TB70
K6T0808C1D-RL55
K6T0808C1D-RB55
K6T0808C1D-RL70
K6T0808C1D-RB70
功能
28 - DIP ， 55ns ， L- PWR
28 - DIP ， 55ns ， LL- PWR
28 - DIP ，为70ns ， L- PWR
28 - DIP ，为70ns ， LL- PWR
28 - SOP ， 55ns ， L- PWR
28 - SOP ， 55ns ， LL- PWR
28 - SOP ，为70ns ， L- PWR
28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
28 TSOP1楼55ns ， L- PWR
28 TSOP1楼55ns ， LL- PWR
28 TSOP1楼为70ns ， L- PWR
28 TSOP1楼为70ns ， LL- PWR
28 TSOP1 R， 55ns ， L- PWR
28 TSOP1 R， 55ns ， LL- PWR
28 TSOP1 R，为70ns ， L- PWR
28 TSOP1 R，为70ns ， LL- PWR
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6T0808C1D-GP70
K6T0808C1D-GF70
K6T0808C1D-TP70
K6T0808C1D-TF70
K6T0808C1D-RP70
K6T0808C1D-RF70
功能
28 - SOP ，为70ns ， L- PWR
28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
28 TSOP1楼为70ns ， L- PWR
28 TSOP1楼为70ns ， LL- PWR
28 TSOP1 R，为70ns ， L- PWR
28 TSOP1 R，为70ns ， LL- PWR
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
K6T0808C1D-L
K6T0808C1D-P
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
修订版1.0
1997年11月
K6T0808C1D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5V
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下，脉冲width≤30ns的
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容采样不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
=V
SS
到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA
CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V,
V
IN
-vcc
-0.2V
读
写
-
-
2.4
-
低功耗
低压低功耗
-
-
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
5
2
-
45
-
-
-
1
0.2
最大
1
1
10
5
20
60
0.4
-
1
30
5
mA
V
V
mA
A
A
单位
A
A
mA
mA
周期时间=最小， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
修订版1.0
1997年11月
K6T0808C1D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ VCC = 4.5 5.5V ， K6T0808C1D -L系列：T已
A
= 0 70 ° C， K6T0808C1D -P系列：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
55
1)
ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数与50pF的测试负载测试。
70ns
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
L-版本
LL -VER
看到数据保存波形
民
2.0
-
-
0
5
典型值
-
1
0.2
-
-
最大
5.5
15
3
-
-
ms
单位
V
A
修订版1.0
1997年11月
QQ：2881677436 复制
