初步
K6R4008V1B -C / B -L ， K6R4008V1B -I / B -P
文档标题
512Kx8位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.1 。替换设计目标初步。
发布到最终数据手册。
2.1 。初步删除。
2.2 。添加30pF的电容测试负载。
2.3 。放松直流特性。
项
前
I
CC
10ns
170mA
12ns
160mA
15ns
150mA
I
SB
F = MAX 。
40mA
I
SB1
f=0
10 / 1毫安
I
DR
V
DR
=3.0V
0.9mA
数据稿
1997年1月1日
1997年6月1日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
Feb.11th.1998
最终科幻
当前
205mA
200mA
195mA
50mA
10 / 1.2毫安
1.0mA
1998年Jun.27th
最终科幻
2.1版
改变工作电流在工业级温度范围。
以前的规范。
改变了规范。
项
（10 /12 / 15ns的部分）
（10 /12 / 15ns的部分）
ICC
205/200/195mA
230/225/220mA
加入44引脚塑料TSOP （ II ）向前套餐。
2.2版
五月。 4 1999
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
REV 2.2
1999年5月
初步
K6R4008V1B -C / B -L ， K6R4008V1B -I / B -P
512K ×8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 50毫安（最大）
（ CMOS ） ： 10mA（最）
1.2毫安（最大） - L-版本。
操作K6R4008V1B - 10 ： 205毫安（最大）
K6R4008V1B - 12 ： 200毫安（最大）
K6R4008V1B - 15 ： 195毫安（最大）
单3.3
±0.3V
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最少可以保存数据; L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R4008V1B -J ： 36 SOJ -400
K6R4008V1B -T ： 36 TSOP2-400F
K6R4008V1B -U ： 44 TSOP2-400AF
CMOS SRAM
概述
该K6R4008V1B是4,194,304位高速静态随机
存取记忆体由8位， 524,288字。该
K6R4008V1B使用8个通用输入和输出线路，并具有
输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
该
K6R4008V1B封装在400密耳的36引脚塑料SOJ或
TSOP （ II ）向前或44引脚塑料TSOP （ II ）前进。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
-I / O
8
A
2
订购信息
K6R4008V1B-C10/C12/C15
商业温度。
工业级温度范围。
K6R4008V1B-I10/I12/I15
预充电电路
行选择
存储阵列
512行
1024x8列
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
18
WE
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
A
10
A
12
A
14
A
16
A
18
A
9
A
11
A
13
A
15
A
17
CS
OE
CS
WE
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
-2-
REV 2.2
1999年5月
初步
K6R4008V1B -C / B -L ， K6R4008V1B -I / B -P
引脚配置
（ TOP VIEW ）
CMOS SRAM
N.C
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
I / O
2
VCC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
36 N.C
35 A
18
34 A
17
33 A
16
32 A
15
31 OE
30 I / O
8
N.C
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44 N.C
43 N.C
42 N.C
41
40
39
38
37
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
36 I / O
8
35 I / O
7
36-SOJ/
TSOP2
29 I / O
7
28 VSS
27 VCC
26 I / O
6
25 I / O
5
24 A
14
23 A
13
22 A
12
21 A
11
20 A
10
19 N.C
I / O
2
10
VCC 11
VSS 12
I / O
3
13
I / O
4
14
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
15
16
17
18
19
20
44-TSOP2
34 Vss的
33的Vcc
32个I / O
6
31 I / O
5
30
29
28
27
26
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
I / O
3
11
I / O
4
12
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
13
14
15
16
17
18
25 N.C
24 N.C
23 N.C
N.C 21
N.C 22
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
18
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
-3-
REV 2.2
1999年5月
初步
K6R4008V1B -C / B -L ， K6R4008V1B -I / B -P
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3**
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3***
0.8
单位
V
V
V
V
CMOS SRAM
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
*** V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
正常
L-版本。
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
205
200
195
50
10
1.2
0.4
-
V
V
mA
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
-4-
REV 2.2
1999年5月
初步
K6R4008V1B -C / B -L ， K6R4008V1B -I / B -P
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有说明。 ）
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*上述试验条件也适用于工业温度范围。
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+3.3V
R
L
= 50
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
319
D
OUT
353
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R4008V1B-10
民
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
15
K6R4008V1B-12
民
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
K6R4008V1B-15
民
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
-5-
REV 2.2
1999年5月
QQ：2881677436 复制
