K6R4004V1D
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
1.0版
历史
最初的版本有初步。
添加低版本。
改变电流Icc ， ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
8ns
10ns
12ns
15ns
8ns
10ns
12ns
15ns
I
SB
I
SB1(L-ver.)
修订版0.3
前
110mA
90mA
80mA
70mA
130mA
115mA
100mA
85mA
30mA
0.5mA
当前
80mA
65mA
55mA
45mA
100mA
85mA
75mA
65mA
20mA
1.2mA
11月23日。 2001年
初步
数据稿
8月20日2001年
九月19， 2001
11月3日2001年
备注
初步
初步
初步
I
CC （工业）
1.正确的交流参数：读&写周期毫安
2.删除低版本。
3.删除数据保持特性
1.0版
1.删除为12ns ， 15ns的速度完事。
2.切换电流Icc工业模式。
项
8ns
I
CC （工业）
10ns
1.添加无铅封装类型。
12月18 。 2001年
前
100mA
85mA
当前
90mA
75mA
七月。 26，2004
最终科幻
修订版2.0
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
4Mb的异步。快速SRAM订购信息
组织。
1M ×4
K6R4004V1D -J （K ）， C（ I） 08/10
K6R4008C1D -J （K ， T，U ）C （ I） 10
512K X8
K6R4008V1D -J （K ， T，U ）C （ I） 08/10
K6R4016C1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 10
256K X16
K6R4016V1D -J （K ， T，U ， E） C（ I，L ， P） 08/10
3.3
5
3.3
8/10
10
8/10
3.3
5
8/10
10
产品型号
K6R4004C1D -J （K ）， C（ I） 10
Vdd的（V）的
5
速度快（纳秒）
10
PKG
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
初步
CMOS SRAM
温度。 &电源
C：商用温度
，正常功率范围
I：工业级温度
记者： 36 SOJ
K： 36 SOJ （ LF ）
，正常功率范围
T： 44 TSOP2
L：商用温度
U： 44 TSOP2 （ LF ）
低功率范围
P：工业级温度
记者： 44 SOJ
低功率范围
K： 44 - SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
E： 48 - TBGA
-2-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
1M ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间8,10ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： （最大） 20毫安
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作K6R4004V1D -08 ： 80毫安（最大）
K6R4004V1D - 10 ： 65毫安（最大）
单3.3 ± 0.3V电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R4004V1D -J ： 32 SOJ -400
K6R4004V1D -K ： 32 SOJ -400 （无铅）
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
概述
该K6R4004V1D是4,194,304位高速静态随机
存取存储器由4位组织为1,048,576字。该
K6R4004V1D使用4个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6R4004V1D打包
在400万的32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
4
I / O
1
VCC
VSS
26 I / O
4
SOJ
25
24
VSS
VCC
预充电电路
I / O
2
WE
A
5
23 I / O
3
22
21
20
19
18
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行选择
A
6
存储阵列
1024行
1024 ×4列
A
7
A
8
A
9
17 N.C
数据
续。
CLK
将军
A
10
I / O电路
列选择
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
19
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
引脚功能
地址输入
A
12
A
14
A
16
A
18
A
11
A
13
A
15
A
17
A
19
CS
WE
OE
-3-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
**
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
***
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
IND 。
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
8ns
10ns
8ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
80
65
90
75
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-4-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 3.3V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
1.0版
历史
最初的版本有初步。
添加低版本。
改变电流Icc ， ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
8ns
10ns
12ns
15ns
8ns
10ns
12ns
15ns
I
SB
I
SB1(L-ver.)
修订版0.3
前
110mA
90mA
80mA
70mA
130mA
115mA
100mA
85mA
30mA
0.5mA
当前
80mA
65mA
55mA
45mA
100mA
85mA
75mA
65mA
20mA
1.2mA
11月23日。 2001年
初步
数据稿
8月20日2001年
九月19， 2001
11月3日2001年
备注
初步
初步
初步
I
CC （工业）
1.正确的交流参数：读&写周期毫安
2.删除低版本。
3.删除数据保持特性
1.0版
1.删除为12ns ， 15ns的速度完事。
2.切换电流Icc工业模式。
项
8ns
I
CC （工业）
10ns
1.添加无铅封装类型。
12月18 。 2001年
前
100mA
85mA
当前
90mA
75mA
七月。 26，2004
最终科幻
修订版2.0
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
4Mb的异步。快速SRAM订购信息
组织。
1M ×4
K6R4004V1D -J （K ）， C（ I） 08/10
K6R4008C1D -J （K ， T，U ）C （ I） 10
512K X8
K6R4008V1D -J （K ， T，U ）C （ I） 08/10
K6R4016C1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 10
256K X16
K6R4016V1D -J （K ， T，U ， E） C（ I，L ， P） 08/10
3.3
5
3.3
8/10
10
8/10
3.3
5
8/10
10
产品型号
K6R4004C1D -J （K ）， C（ I） 10
Vdd的（V）的
5
速度快（纳秒）
10
PKG
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
初步
CMOS SRAM
温度。 &电源
C：商用温度
，正常功率范围
I：工业级温度
记者： 36 SOJ
K： 36 SOJ （ LF ）
，正常功率范围
T： 44 TSOP2
L：商用温度
U： 44 TSOP2 （ LF ）
低功率范围
P：工业级温度
记者： 44 SOJ
低功率范围
K： 44 - SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
E： 48 - TBGA
-2-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
1M ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间8,10ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： （最大） 20毫安
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作K6R4004V1D -08 ： 80毫安（最大）
K6R4004V1D - 10 ： 65毫安（最大）
单3.3 ± 0.3V电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R4004V1D -J ： 32 SOJ -400
K6R4004V1D -K ： 32 SOJ -400 （无铅）
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
概述
该K6R4004V1D是4,194,304位高速静态随机
存取存储器由4位组织为1,048,576字。该
K6R4004V1D使用4个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6R4004V1D打包
在400万的32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
4
I / O
1
VCC
VSS
26 I / O
4
SOJ
25
24
VSS
VCC
预充电电路
I / O
2
WE
A
5
23 I / O
3
22
21
20
19
18
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行选择
A
6
存储阵列
1024行
1024 ×4列
A
7
A
8
A
9
17 N.C
数据
续。
CLK
将军
A
10
I / O电路
列选择
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
19
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
引脚功能
地址输入
A
12
A
14
A
16
A
18
A
11
A
13
A
15
A
17
A
19
CS
WE
OE
-3-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004V1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
**
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
***
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
IND 。
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
8ns
10ns
8ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
80
65
90
75
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-4-
修订版2.0
2004年7月
QQ：2880707522 复制
