K6R4004C1C -C ， K6R4004C1C -I ， K6R4004C1C -E
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 5V工作） 。
工作在扩展和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
1.1删除了低功耗版本。
1.2删除数据保持特性
1.3改变了我
SB1
至20mA
2.1放松D.C参数。
项
I
CC
12ns
15ns
20ns
前
160mA
155mA
150mA
当前
190mA
185mA
180mA
数据稿
2月12日1999
三月29， 1999
备注
初步
初步
修订版2.0
8月19日1999
初步
2.2放松绝对最大额定值。
项
任何引脚相对于VSS的电压
修订版3.0
3.1初步删除
3.2更新D.C参数和10ns的一部分。
I
CC
-
190mA
185mA
180mA
前
I
sb
70mA
I
sb1
20mA
I
CC
160mA
150mA
140mA
130mA
当前
I
sb
60mA
I
sb1
10mA
前
-0.5 7.0
当前
-0.5 VCC + 0.5
三月27， 2000
最终科幻
10ns
12ns
15ns
20ns
3.3增加了扩展温度范围
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
2000年3月
K6R4004C1C -C ， K6R4004C1C -I ， K6R4004C1C -E
1M ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10,12,15,20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 60毫安（最大）
（ CMOS ） ： 10mA（最）
操作K6R4004C1C - 10 ： 160毫安（最大）
K6R4004C1C - 12 ： 150毫安（最大）
K6R4004C1C - 15 ： 140毫安（最大）
K6R4004C1C - 20 ： 130毫安（最大）
单5.0V
±10%
电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R4004C1C -J ： 32 SOJ -400
初步
CMOS SRAM
概述
该K6R4004C1C是4,194,304位高速静态随机
存取存储器由4位组织为1,048,576字。该
K6R4004C1C使用4个通用输入和输出线路，并具有
输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
该
K6R4004C1C封装在400密耳的32管脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
订购信息
K6R4004C1C-C10/C12/C15/C20
K6R4004C1C-E10/E12/E15/E20
K6R4004C1C-I10/I12/I15/I20
商业温度。
扩展温度。
工业级温度范围。
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
26 I / O
4
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
4
VCC
VSS
I / O
2
SOJ
25
24
VSS
VCC
23 I / O
3
22
21
20
19
18
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
预充电电路
WE
A
5
A
6
行选择
A
7
存储阵列
1024行
1024 ×4列
A
8
A
9
17 N.C
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
19
WE
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
A
10
A
12
A
14
A
16
A
18
A
11
A
13
A
15
A
17
A
19
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
CS
WE
OE
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版3.0
2000年3月
K6R4004C1C -C ， K6R4004C1C -I ， K6R4004C1C -E
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
EXTENDED
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
T
A
等级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5**
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5***
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
**
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
***
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(
T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
10ns
12ns
15ns
20ns
分机。
IND 。
10ns
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1**
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
160
150
140
130
175
165
155
145
60
10
0.4
-
3.95
V
V
V
mA
单位
A
A
mA
*以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
** V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25 ℃。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
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修订版3.0
2000年3月
K6R4004C1C -C ， K6R4004C1C -I ， K6R4004C1C -E
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10％ ，除非另有说明。 ）
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*上述试验条件也适用于扩展工业级温度范围。
初步
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+5.0V
R
L
= 50
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
480
D
OUT
255
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R4004C1C-10
K6R4004C1C-12
K6R4004C1C-15
K6R4004C1C-20
民
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
10
民
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
民
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
民
20
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
20
20
8
-
-
9
9
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
-4-
修订版3.0
2000年3月
K6R4004C1C -C ， K6R4004C1C -I ， K6R4004C1C -E
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R4004C1C-10
K6R4004C1C-12
K6R4004C1C-15
初步
CMOS SRAM
K6R4004C1C-20
民
10
7
0
7
7
10
0
0
5
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
民
12
8
0
8
8
12
0
0
6
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
民
15
10
0
10
10
15
0
0
7
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
民
20
12
0
12
12
20
0
0
9
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
TIMMING DIAGRAMS
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
OE
OE
t
OLZ
数据输出
V
CC
当前
I
CC
I
SB
t
LZ(4,5)
有效数据
t
PU
50%
t
PD
50%
t
OH
t
HZ(3,4,5)
CS
t
OHZ
注（ READ
循环）
1.我们是高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
（最大）小于吨
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转换测量
±200mV
从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.设备，不间断地与CS = V选择
IL 。
7.地址有效之前，暗合了CS变为低电平。
8.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
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修订版3.0
2000年3月
QQ：2880707522 复制
