K6R1004V1D
文档标题
64Kx16位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
工作在商用和工业温度范围。
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
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1.最终数据发布
2.删除速度为12ns仓。
3.更改Icc的工业模式。
项
前
8ns
100mA
I
CC （工业）
10ns
85mA
1.删除UB ， LB releated时序图。
1.添加无铅封装类型。
数据稿
五月。 11. 2001年
六月。 18. 2001
九月。 9. 2001年
十二月。 18. 2001
当前
90mA
75mA
六月。 19. 2002年
七月。 26，2004
最终科幻
最终科幻
备注
初步
初步
初步
最终科幻
修订版2.0
修订版3.0
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
2004年7月
K6R1004V1D
1MB异步。快速SRAM订购信息
组织。
X4 256K
产品型号
K6R1004C1D -J （K ）， C（ I） 10
K6R1004V1D -J （K ）， C（ I） 08/10
K6R1008C1D -J （K ， T，U ）C （ I） 10
128K X8
K6R1008V1D -J （K ， T，U ）C （ I） 08/10
K6R1016C1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 10
64K X16
K6R1016V1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 08/10
3.3
5
3.3
8/10
10
8/10
Vdd的（V）的
5
3.3
5
速度快（纳秒）
10
8/10
10
PKG
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
T： 32 TSOP2
U： 32 TSOP2 （ LF ）
记者： 44 SOJ
K： 44 - SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
E： 48 - TBGA
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
温度。 &电源
C：商用温度
，正常功率范围
I：工业级温度
，正常功率范围
-2-
修订版3.0
2004年7月
K6R1004V1D
特点
快速存取时间8,10ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作
// K6R1004V1D -08 ：
80mA(Max.)
K6R1004V1D - 10 ： 65毫安（最大）
单3.3 ± 0.3V电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置：
K6R1004V1D -J ： 32 SOJ -400
K6R1004V1D -K ： 32 SOJ -400 （无铅）
工作在商用和工业温度范围。
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
256K ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
概述
该K6R1004V1D是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。
该K6R1004V1D使用4常见的输入和输出线和
已输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造
三星先进的CMOS工艺和设计
高速电路技术。它特别适于供
在高密度的高速系统应用程序使用。该
K6R1004V1D封装在400密耳的32管脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
17
31 A
16
30 A
15
29 A
14
28 A
13
27
OE
26 I / O
4
功能框图
A
0
A
1
A
2
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
A
3
CS
I / O
1
VCC
行选择
VSS
SOJ
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
3
22 A
12
21
A
11
20 A
10
19
18
A
9
A
8
存储阵列
512行
512x4列
I / O
2
10
WE
A
4
A
5
A
6
11
12
13
14
15
I / O
1
- I / O
4
数据
续。
CLK
将军
I / O电路&
列选择
A
7
N.C 16
17 N.C
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
引脚名称
A
0
- A
17
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
无连接
CS
WE
OE
-3-
修订版3.0
2004年7月
K6R1004V1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
d
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1
-65到150
0到70
-40到85
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， VCC = 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
COM 。
IND 。
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
8ns
10ns
8ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
80
65
90
75
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-4-
修订版3.0
2004年7月
QQ：2880707522 复制
