初步
K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
文档标题
128Kx8位高速CMOS静态RAM （ 5V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
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版本号
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1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除。
2.2 。添加的数据保持特性。
添加10ns的一部分。
删除20ns的速度斌
数据稿
8月5日1998年
三月3， 1999
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
修订版3.0
三月3， 2000
九月24， 2001
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
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修订版3.0
2001年9月
初步
K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 30毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
0.5毫安（最大） L-版本。只
操作K6R1008C1C - 10 ： 80毫安（最大）
K6R1008C1C - 12 ： 75毫安（最大）
K6R1008C1C - 15 ： 73毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R1008C1C -J ： 32 SOJ -400
K6R1008C1C -T ： 32 TSOP2-400CF
CMOS SRAM
128K ×8位高速CMOS静态RAM （ 5.0V操作）
概述
该K6R1008C1C是1,048,576位高速静态随机
DOM存取存储器由8位， 131,072字。
该K6R1008C1C使用8共同的输入和输出线和
已输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
该
K6R1008C1C封装在400mil 32脚塑料SOJ或
TSOP2前进。
订购信息
K6R1008C1C-C10/C12/C15
K6R1008C1C-I10/I12/I15
商业温度。
工业级温度范围。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
16
31 A
15
30 A
14
29 A
13
28 OE
27 I / O
8
26 I / O
7
功能框图
A
1
A
2
A
3
CLK GEN 。
A
0
A
1
预充电电路
CS
I / O
1
I / O
2
VCC
行选择
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ /
TSOP2
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
6
22 I / O
5
21 A
12
20 A
11
19 A
10
18
17
A
9
A
8
VSS
存储阵列
512行
256x8列
I / O
3
10
I / O
4
11
WE 12
A
4
A
5
13
14
15
16
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
6
A
7
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
A
0
- A
16
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
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K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
d
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 VCC + 0.5V
-0.5 7.0
1
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5**
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5***
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
*** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
正常
L-版本。
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
80
75
73
30
5
0.5
0.4
-
3.95
V
V
V
mA
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
**
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25 ℃。
电容
*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
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K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10％ ，除非另有说明。 ）
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*
在A
波夫试验条件也适用于工业温度范围。
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
CMOS SRAM
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
R
L
= 50
+5.0V
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
D
OUT
480
255
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R1008C1C-10
民
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
10
K6R1008C1C-12
民
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
K6R1008C1C-15
民
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
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K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R1008C1C-10
民
10
7
0
7
7
10
0
0
5
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
K6R1008C1C-12
民
12
8
0
8
8
12
0
0
6
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
K6R1008C1C-15
民
15
9
0
9
9
15
0
0
7
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CMOS SRAM
*以上参数也保证在工业级温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
OE
OE
t
OLZ
数据输出
V
CC
当前
I
CC
I
SB
t
LZ(4,5)
有效数据
t
PU
50%
t
PD
50%
t
OH
t
HZ(3,4,5)
CS
t
OHZ
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修订版3.0
2001年9月
QQ：2880707522 复制
