【K6F3216T6M家庭文档标题2M X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAMCMOS SRAM】,IC型号K6F3216T6M-F,K6F3216T6M-F PDF资料,K6F3216T6M-F经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6F3216T6M家庭

文档标题

2M X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

1.0

草案日期

2003年11月4日

备注

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

特点

工艺技术：全CMOS

组织： 2M X16

电源电压： 2.7 3.6V

低数据保持电压： 1.5V （最小值）

三态输出

封装类型： 55 - TBGA - 7.50x12.00

CMOS SRAM

概述

该K6F3216T6M家庭是由三星公司制造

先进的全CMOS工艺技术。家庭支持

工业工作温度范围，并有芯片级

包装系统设计的用户灵活性。家属还

支持低数据保持电压为电池备份操作

低数据保持电流。

2M ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

产品系列

功耗

产品系列

K6F3216T6M-F

工作温度

Industrial(-40~85°C)

VCC范围

2.7~3.6V

速度

55

1)

/70ns

待机

(I

SB1

马克斯。）

40A

操作

(I

CC1

，最大值）

7mA

PKG型

55-TBGA-7.50x12.00

1.参数的测量条件为30pF的测试负载。

引脚说明

1

2

3

4

5

6

7

8

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N.C

VCC

VSS

ROW

地址

N.C

LB

OE

A0

A1

A2

CS2

ROW

SELECT

内存

CELL

ARRAY

I/O9

UB

A3

A4

CS1

I/O1

I/O10

I/O11

A5

A6

I/O2

I/O3

I / O

1

-I / O

8

VSS

I/O12

A17

A7

I/O4

VCC

数据

CONT

数据

CONT

数据

CONT

I / O电路

列选择

VCC

I/O13

N.C

A16

I/O5

VSS

I / O

9

-I / O

16

I/O15

I/O14

A14

A15

I/O6

I/O7

I/O16

A19

A12

A13

WE

I/O8

列地址

A18

A8

A9

A10

A11

A20

CS1

CS2

N.C

OE

WE

UB

LB

控制逻辑

55 TBGA ：俯视图（球下）

名字

CS

1

， CS

2

OE

WE

A

0

~A

20

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

名字

VCC

VSS

UB

LB

N.C

功能

动力

地

高字节（ I / O

9

~

16

)

低字节（ I / O

1

~

8

)

无连接

I / O

1

-I / O

16

数据输入/输出

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

产品列表

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

K6F3216T6M-EF55

K6F3216T6M-EF70

功能

CMOS SRAM

55 TBGA ， 55ns ， 3.0V / 3.3V

55 TBGA ，为70ns ， 3.0V / 3.3V

功能说明

CS

1

H

X

1)

X

1)

L

CS

2

X

1)

L

X

1)

H

OE

X

1)

X

1)

X

1)

H

L

X

1)

X

1)

X

1)

WE

X

1)

X

1)

X

1)

H

L

LB

X

1)

X

1)

H

L

X

1)

L

H

L

H

L

UB

X

1)

X

1)

H

X

1)

L

H

L

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

I / O

9~16

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

模式

取消

输出禁用

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心。（必须是低或高的状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.2到V

CC

+ 0.3V （最大4.2V）

-0.2 4.2

1.0

-65到150

-40到85

单位

V

W

°C

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

3

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

2.7

0

2.2

-0.2

3)

典型值

3.0/3.3

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

0

Vcc+0.3

2)

0.6

单位

V

注意：

1. T

A

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲： V

CC

+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤20ns.

3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的

≤20ns.

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

符号

测试条件

V

IN

= VSS到Vcc

CS

1

=V

IH

或CS

2

=V

IL

或OE = V

IH

或WE = V

IL

或LB = UB = V

IH

,

V

IO

= VSS到Vcc

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS

1

≤0.2V,

LB≤0.2V

或/和UB≤0.2V ， CS

2

≥Vcc-0.2V,

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥V

CC

-0.2V

周期时间=最小，我

IO

= 0毫安， 100 ％的关税， CS

1

=V

IL

,

CS

2

=V

IH

， LB = V

IL

或/和UB = V

IL

, V

IN

=V

IL

或V

IH

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1.0mA

其他输入= 0 Vcc的

1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V(CS

1

控制）或

2 ） 0V≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

70ns

55ns

民

-1

-

2.4

-

典型值

1)

-

最大

1

7

35

40

0.4

-

40

单位

A

mA

V

A

I

LI

I

LO

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ CMOS ）

V

OL

V

OH

I

SB1

1.典型值是在V测

CC

= 3.0V ，T

A

= 25°C ，而不是100 ％测试。

4

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

CMOS SRAM

V

TM

3)

R

1

2)

C

L

1)

R

2

2)

1.包括范围和夹具电容

2. R

1

=3070

,

R

2

=3150

3. V

TM

=2.8V

AC特性

（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已

A

= -40 85 ℃）下

速度

参数表

符号

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

UB ， LB有效到数据输出

读

芯片选择低阻抗输出

UB ， LB启用以低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

UB ， LB禁用高Z输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

UB ， LB有效到结束写入的

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO1

, t

CO2

t

OE

t

BA

t

LZ1

, t

LZ2

t

BLZ

t

OLZ

t

HZ1

, t

HZ2

t

BHZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW1

, t

CW2

t

AS

t

AW

t

BW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

55

-

10

5

0

10

55

45

0

45

40

0

25

0

5

55ns

最大

-

55

25

55

-

20

-

20

-

民

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

30

0

5

70ns

最大

-

70

35

70

-

25

-

20

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

符号

VDR

IDR

TSDR

TRDR

测试条件

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

, V

IN

≥0V

VCC = 1.5V ， CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

, V

IN

≥0V

看到数据保存波形

民

1.5

-

0

TRC

典型值

-

最大

3.6

20

-

单位

V

A

ns

1. 1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V(CS

1

控制）或

2 ） 0≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

5

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

文档标题

2M X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

1.0

草案日期

2003年11月4日

备注

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

1

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

特点

工艺技术：全CMOS

组织： 2M X16

电源电压： 2.7 3.6V

低数据保持电压： 1.5V （最小值）

三态输出

封装类型： 55 - TBGA - 7.50x12.00

CMOS SRAM

概述

该K6F3216T6M家庭是由三星公司制造

先进的全CMOS工艺技术。家庭支持

工业工作温度范围，并有芯片级

包装系统设计的用户灵活性。家属还

支持低数据保持电压为电池备份操作

低数据保持电流。

2M ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

产品系列

功耗

产品系列

K6F3216T6M-F

工作温度

Industrial(-40~85°C)

VCC范围

2.7~3.6V

速度

55

1)

/70ns

待机

(I

SB1

马克斯。）

40A

操作

(I

CC1

，最大值）

7mA

PKG型

55-TBGA-7.50x12.00

1.参数的测量条件为30pF的测试负载。

引脚说明

1

2

3

4

5

6

7

8

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N.C

VCC

VSS

ROW

地址

N.C

LB

OE

A0

A1

A2

CS2

ROW

SELECT

内存

CELL

ARRAY

I/O9

UB

A3

A4

CS1

I/O1

I/O10

I/O11

A5

A6

I/O2

I/O3

I / O

1

-I / O

8

VSS

I/O12

A17

A7

I/O4

VCC

数据

CONT

数据

CONT

数据

CONT

I / O电路

列选择

VCC

I/O13

N.C

A16

I/O5

VSS

I / O

9

-I / O

16

I/O15

I/O14

A14

A15

I/O6

I/O7

I/O16

A19

A12

A13

WE

I/O8

列地址

A18

A8

A9

A10

A11

A20

CS1

CS2

N.C

OE

WE

UB

LB

控制逻辑

55 TBGA ：俯视图（球下）

名字

CS

1

， CS

2

OE

WE

A

0

~A

20

功能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

名字

VCC

VSS

UB

LB

N.C

功能

动力

地

高字节（ I / O

9

~

16

)

低字节（ I / O

1

~

8

)

无连接

I / O

1

-I / O

16

数据输入/输出

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

产品列表

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

K6F3216T6M-EF55

K6F3216T6M-EF70

功能

CMOS SRAM

55 TBGA ， 55ns ， 3.0V / 3.3V

55 TBGA ，为70ns ， 3.0V / 3.3V

功能说明

CS

1

H

X

1)

X

1)

L

CS

2

X

1)

L

X

1)

H

OE

X

1)

X

1)

X

1)

H

L

X

1)

X

1)

X

1)

WE

X

1)

X

1)

X

1)

H

L

LB

X

1)

X

1)

H

L

X

1)

L

H

L

H

L

UB

X

1)

X

1)

H

X

1)

L

H

L

H

L

I / O

1~8

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

I / O

9~16

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

模式

取消

输出禁用

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心。（必须是低或高的状态）

绝对最大额定值

1)

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

评级

-0.2到V

CC

+ 0.3V （最大4.2V）

-0.2 4.2

1.0

-65到150

-40到85

单位

V

W

°C

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

3

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

建议的直流工作条件

1)

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

2.7

0

2.2

-0.2

3)

典型值

3.0/3.3

0

-

CMOS SRAM

最大

3.6

0

Vcc+0.3

2)

0.6

单位

V

注意：

1. T

A

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲： V

CC

+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤20ns.

3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的

≤20ns.

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

8

10

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

符号

测试条件

V

IN

= VSS到Vcc

CS

1

=V

IH

或CS

2

=V

IL

或OE = V

IH

或WE = V

IL

或LB = UB = V

IH

,

V

IO

= VSS到Vcc

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS

1

≤0.2V,

LB≤0.2V

或/和UB≤0.2V ， CS

2

≥Vcc-0.2V,

V

IN

≤0.2V

或V

IN

≥V

CC

-0.2V

周期时间=最小，我

IO

= 0毫安， 100 ％的关税， CS

1

=V

IL

,

CS

2

=V

IH

， LB = V

IL

或/和UB = V

IL

, V

IN

=V

IL

或V

IH

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= -1.0mA

其他输入= 0 Vcc的

1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V(CS

1

控制）或

2 ） 0V≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

70ns

55ns

民

-1

-

2.4

-

典型值

1)

-

最大

1

7

35

40

0.4

-

40

单位

A

mA

V

A

I

LI

I

LO

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ CMOS ）

V

OL

V

OH

I

SB1

1.典型值是在V测

CC

= 3.0V ，T

A

= 25°C ，而不是100 ％测试。

4

修订版1.0

2002年11月

K6F3216T6M家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

C

L

=30pF+1TTL

CMOS SRAM

V

TM

3)

R

1

2)

C

L

1)

R

2

2)

1.包括范围和夹具电容

2. R

1

=3070

,

R

2

=3150

3. V

TM

=2.8V

AC特性

（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已

A

= -40 85 ℃）下

速度

参数表

符号

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

UB ， LB有效到数据输出

读

芯片选择低阻抗输出

UB ， LB启用以低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

UB ， LB禁用高Z输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

UB ， LB有效到结束写入的

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO1

, t

CO2

t

OE

t

BA

t

LZ1

, t

LZ2

t

BLZ

t

OLZ

t

HZ1

, t

HZ2

t

BHZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW1

, t

CW2

t

AS

t

AW

t

BW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

55

-

10

5

0

10

55

45

0

45

40

0

25

0

5

55ns

最大

-

55

25

55

-

20

-

20

-

民

70

-

10

5

0

10

70

60

0

60

50

0

30

0

5

70ns

最大

-

70

35

70

-

25

-

20

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

符号

VDR

IDR

TSDR

TRDR

测试条件

CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

, V

IN

≥0V

VCC = 1.5V ， CS

1

≥Vcc-0.2V

1)

, V

IN

≥0V

看到数据保存波形

民

1.5

-

0

TRC

典型值

-

最大

3.6

20

-

单位

V

A

ns

1. 1 ） CS

1

≥Vcc-0.2V,

CS

2

≥Vcc-0.2V(CS

1

控制）或

2 ） 0≤CS

2

≤0.2V(CS

2

控制）

5

修订版1.0

2002年11月