K6F2016U4D家庭
文档标题
CMOS SRAM
128K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
最初的草案
敲定
- 更改为TWP ： 55 50ns的为70ns的产品
- 更改为tWHZ ： 25 20ns的为70ns的产品
- 更改为TDW ： 20 25ns的为55ns产品
草案日期
2000年1月6日
2000年5月4日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
特点
CMOS SRAM
概述
该K6F2016U4D家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业级温度范围和48球芯片级封装
系统设计的用户灵活性。该系列还支持
低数据保持电压的电池备份与操作
低数据保持电流。
128K ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
工艺技术：全CMOS
组织： 128K X16位
电源电压： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出状态和TTL兼容
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x7.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
0.5A
操作
(I
CC1
，最大值）
4mA
PKG型
K6F2016U4D-F
Industrial(-40~85°C)
2.7~3.3V
55
1)
/70ns
48-FBGA-6.00x7.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
DNU
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS
I/O1
ROW
地址
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128
×
16列
D
VSS
I/O12
DNU
A7
I/O4
VCC
E
VCC
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I / O
9
-I / O
16
G
I/O16
DNU
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
DNU
A8
A9
A10
A11
DNU
48 - FBGA ：俯视图（球下）
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
CS
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F2016U4D-FF55
K6F2016U4D-FF70
功能
CMOS SRAM
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V
功能说明
CS
H
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+ 0.5V
-0.2 4.0V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
-3-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
注意：
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 2.0V
≤20ns.
3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
CMOS SRAM
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥
V
CC
-0.2V
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
最大
1
1
2
4
35
0.4
-
0.3
10
1)
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
周期时间=最小，我
IO
=0mA
,
100 ％的关税， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
或LB = UB = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V或LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
1.超低功耗产品= 3μA的特殊处理
-4-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
AC特性
（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
55ns
1)
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
单位
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
1)
VCC = 1.5V ， CS≥Vcc - 0.2V
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
-
0.5
-
-
最大
3.3
2
2)
-
-
单位
V
A
ns
1. CS≥Vcc - 0.2V （ CS控制）或LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V （ LB ， UB控制） 。
2.超低功耗产品= 1μA进行特殊处理。
-5-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
文档标题
CMOS SRAM
128K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
最初的草案
敲定
- 更改为TWP ： 55 50ns的为70ns的产品
- 更改为tWHZ ： 25 20ns的为70ns的产品
- 更改为TDW ： 20 25ns的为55ns产品
草案日期
2000年1月6日
2000年5月4日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
特点
CMOS SRAM
概述
该K6F2016U4D家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业级温度范围和48球芯片级封装
系统设计的用户灵活性。该系列还支持
低数据保持电压的电池备份与操作
低数据保持电流。
128K ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
工艺技术：全CMOS
组织： 128K X16位
电源电压： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出状态和TTL兼容
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x7.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
0.5A
操作
(I
CC1
，最大值）
4mA
PKG型
K6F2016U4D-F
Industrial(-40~85°C)
2.7~3.3V
55
1)
/70ns
48-FBGA-6.00x7.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
DNU
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS
I/O1
ROW
地址
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128
×
16列
D
VSS
I/O12
DNU
A7
I/O4
VCC
E
VCC
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I / O
9
-I / O
16
G
I/O16
DNU
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
DNU
A8
A9
A10
A11
DNU
48 - FBGA ：俯视图（球下）
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
CS
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F2016U4D-FF55
K6F2016U4D-FF70
功能
CMOS SRAM
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V
功能说明
CS
H
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+ 0.5V
-0.2 4.0V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
-3-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
注意：
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 2.0V
≤20ns.
3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
CMOS SRAM
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥
V
CC
-0.2V
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
最大
1
1
2
4
35
0.4
-
0.3
10
1)
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
周期时间=最小，我
IO
=0mA
,
100 ％的关税， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
或LB = UB = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V或LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
1.超低功耗产品= 3μA的特殊处理
-4-
修订版1.0
2000年5月
K6F2016U4D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
AC特性
（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
55ns
1)
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
单位
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
1)
VCC = 1.5V ， CS≥Vcc - 0.2V
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
-
0.5
-
-
最大
3.3
2
2)
-
-
单位
V
A
ns
1. CS≥Vcc - 0.2V （ CS控制）或LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V （ LB ， UB控制） 。
2.超低功耗产品= 1μA进行特殊处理。
-5-
修订版1.0
2000年5月
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