初步
K6F1616U6M家庭
文档标题
1M X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修改
- 改变封装类型：从FBGA到TBGA
草案日期
2000年8月22日
2000年11月21日
备注
初步
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版0.1
2000年11月
初步
K6F1616U6M家庭
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 1M X16
电源电压： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 48 - TBGA - 9.00x12.00
CMOS SRAM
概述
该K6F1616U6M家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业工作温度范围，并有芯片级
包装系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
低数据保持电流。
1M ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
亲
DUCT系列
功耗
产品系列
K6F1616U6M-F
工作温度
Industrial(-40~85°C)
VCC范围
2.7~3.3V
速度
55
1)
/70ns
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
2A
操作
(I
CC1
，最大值）
4mA
PKG型
48-TBGA-9.00x12.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型值是在V测
CC
= 3.0V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS1
I/O1
ROW
地址
C
ROW
SELECT
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
内存
CELL
ARRAY
D
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
E
VCC
I/O13
VSS
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
F
I / O
9
-I / O
16
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
G
I/O16
A19
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
A18
A8
A9
A10
A11
DNU
CS1
48 TBGA ：俯视图（球下）
CS2
OE
WE
控制逻辑
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
19
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
UB
LB
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版0.1
2000年11月
初步
K6F1616U6M家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F1616U6M-EF55
K6F1616U6M-EF70
功能
48 TBGA ， 55ns ， 3.0V
48 TBGA ，为70ns ， 3.0V
CMOS SRAM
功能说明
CS
1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS
2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+ 0.3V （最大3.6V ）
-0.2 3.6
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版0.1
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K6F1616U6M家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.3
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1. T
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 2.0V的情况下，脉冲宽度的
≤20ns.
3.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
LB≤0.2V
或/和UB≤0.2V ， CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS
1
=V
IL
,
CS
2
=V
IH
， LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
其他输入= 0 Vcc的
1 ） CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或
2 ） 0V≤CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）或
3 ） LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS
2
≥Vcc-0.2V(LB/UB
控制）
70ns
55ns
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
典型值
1)
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
4
35
40
0.4
-
单位
A
A
mA
mA
V
V
A
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
-
2.0
40
1.典型值在V测
CC
= 3.0V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
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修订版0.1
2000年11月
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K6F1616U6M家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
AC特性
（ VCC = 2.7 3.3V ，T
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
LB ， UB有效到数据输出
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
LB ， UB使低-Z输出
从地址变更输出保持
芯片禁用到高阻输出
OE禁用高Z输出
UB ， LB禁用高Z输出
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
LB ， UB有效到结束写入的
t
RC
t
AA
t
CO1
, t
CO2
t
OE
t
BA
t
LZ1
, t
LZ2
t
OLZ
t
BLZ
t
OH
t
HZ1
, t
HZ2
t
OHZ
t
BHZ
t
WC
t
CW1
, t
CW2
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
BW
55
-
-
-
-
10
5
10
10
0
0
0
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
45
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
5
10
10
0
0
0
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
60
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
VDR
IDR
TSDR
TRDR
测试条件
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
, V
IN
≥0V
VCC = 1.5V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
, V
IN
≥0V
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
-
1.0
2)
-
-
最大
3.3
15
-
-
单位
V
A
ns
1. 1 ） CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或
2 ） 0≤CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）或
3 ） LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS
2
≥Vcc-0.2V(LB/UB
控制）
2.典型值是在T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
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修订版0.1
2000年11月
QQ：2881677436 复制
