K6E0808C1E -C / E -L ， K6E0808C1E -I / E -P
文档标题
32Kx8位高速CMOS静态RAM （ 5V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
对于思科
CMOS SRAM
修订历史
转。无。
修订版0.0
1.0版
修订版2.0
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
2.1 。添加低功耗版本。
2.2 。添加数据保留charactoristic 。
数据稿
8月1日1998年
11月2日1998年
2月25日1999
备注
初步
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
2.0版
1999年二月
K6E0808C1E -C / E -L ， K6E0808C1E -I / E -P
32K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10 ， 12 ，为15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 2毫安（最大）
0.6毫安（最大） L-版本。只
操作K6E0808C1E - 10 ： 80毫安（最大）
K6E0808C1E - 12 ： 80毫安（最大）
K6E0808C1E - 15 ： 80毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
标准引脚配置
K6E0808C1E -J ： 28 SOJ -300
K6E0808C1E -T ： 28 TSOP1-0813 。 4F
对于思科
CMOS SRAM
概述
该K6E0808C1E是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
K6E0808C1E使用8个通用输入和输出线路，并具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6E0808C1E打包
在300MIL 28引脚塑料SOJ或TSOP1前进。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
VCC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
VSS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
TSOP1
订购信息
K6E0808C1E-C10/C12/C15
K6E0808C1E-I10/I12/I15
商业温度。
工业级温度范围。
功能框图
A
14
1
A
12
2
28 VCC
27我们
26 A
13
25 A
8
24 A
9
23 A
11
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路内
A
7
3
A
6
4
A
5
5
行选择
A
4
6
存储阵列
512行
64x8列
A
3
7
A
2
8
A
1
9
A
0
10
I / O
1
11
SOJ
22 OE
21 A
10
20 CS
19 I / O
8
18 I / O
7
17 I / O
6
16 I / O
5
15 I / O
4
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
I / O
2
12
I / O
3
13
VSS 14
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
引脚名称
CS
WE
OE
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
-2-
2.0版
1999年二月
K6E0808C1E -C / E -L ， K6E0808C1E -I / E -P
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
对于思科
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5**
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5***
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲Width≤7ns ）的I≤20mA 。
***
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉冲Width≤7ns ）的I≤20mA 。
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10 ％，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=0.1mA
正常
L-版本
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
80
80
80
20
2
0.6
0.4
-
3.95
V
V
V
mA
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1**
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25 ℃。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
-3-
2.0版
1999年二月
K6E0808C1E -C / E -L ， K6E0808C1E -I / E -P
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10％ ，除非另有说明。 ）
测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*上述试验条件也适用于工业温度范围。
对于思科
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
+5V
480
D
OUT
255
30pF*
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+5.0V
480
D
OUT
255
5pF*
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6E0808C1E-10
民
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
10
K6E0808C1E-12
民
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
K6E0808C1E-15
民
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围
.
-4-
2.0版
1999年二月
K6E0808C1E -C / E -L ， K6E0808C1E -I / E -P
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6E0808C1E-10
民
10
8
0
8
8
10
0
0
5
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
K6E0808C1E-12
民
12
9
0
9
9
12
0
0
6
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
对于思科
CMOS SRAM
K6E0808C1E-15
民
15
10
0
10
10
15
0
0
7
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围
.
TIMMING DIAGRAMS
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
数据输出
上一页有效数据
有效数据
-5-
2.0版
1999年二月
QQ：2881677436 复制
