初步
K6E0808C1C-C
文档标题
32Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，进化出脚。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.删除初步
更新A.C参数
2.1 。更新A.C参数
以前的规范。
更新规范。
（12 /15 / 20ns的部分）
（12 /15 / 20ns的部分）
t
OE
- / 8 / 10ns的
- / 7/9 NS
t
CW
- / 12 / - NS
- / 11 / - NS
t
HZ
8/10/10ns
6/7 / 10ns的
t
OHZ
- / 8 / - NS
- / 7 / - NS
t
DW
- / 9 / - NS
- / 8 / - NS
2.2 。加V
OH1
= 3.95V的测试条件为Vcc的= 5V±5％ ，在25 ℃下
项
修订版3.0
3.1 。加入28 TSOP1包。
3.2 。加入L-版本。
3.3 。添加数据Rentention特点。
4.1 。删除DIP封装。
4.2 。删除L-版本。
4.3 。删除数据保持特性和波形。
1996年2月22日
最终科幻
数据稿
1994年4月1日
1994年5月14日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1994年10月4日
最终科幻
修订版4.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6E0808C1C-C
32K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间12日， 15日，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 40毫安（最大）
（ CMOS ） ： 2毫安（最大）
操作K6E0808C1C - 12 ： 165毫安（最大）
K6E0808C1C - 15 ： 150毫安（最大）
K6E0808C1C - 20 ： 140毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
K6E0808C1C -J ： 28 SOJ -300
K6E0808C1C -T ： 28 TSOP1-0813 。 4F
CMOS SRAM
概述
该K6E0808C1C是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
K6E0808C1C使用8个通用输入和输出线路，并具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6E0808C1C打包
在300MIL 28引脚塑料SOJ或TSOP1前进。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
VCC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
VSS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
TSOP1
功能框图
A
14
1
A
12
2
28 VCC
27我们
26 A
13
25 A
8
24 A
9
23 A
11
CLK GEN 。
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
12
A
13
A
14
预充电电路内
A
7
3
A
6
4
A
5
5
行选择
A
4
6
存储阵列
512行
64x8列
A
3
7
A
2
8
A
1
9
A
0
10
I / O
1
11
SOJ
22 OE
21 A
10
20 CS
19 I / O
8
18 I / O
7
17 I / O
6
16 I / O
5
15 I / O
4
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
I / O
2
12
I / O
3
13
VSS 14
引脚功能
A
0
A
1
A
2
A
9
A
10
A
11
引脚名称
CS
WE
OE
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
-2-
修订版4.0
1998年2月
初步
K6E0808C1C-C
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10 ％，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=0.1mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1*
* V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25℃
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
165
150
140
40
2
0.4
-
3.95
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版4.0
1998年2月
QQ：2880707522 复制
