1.0版， 2010年6月
K5N1229ACD-BQ12
MCP规格
512MB （ 32M ×16）多路复用连拍，多行SLC NOR闪存
+ 128Mb的（ 8M ×16）多路同步突发UtRAM2
数据表
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K5N1229ACD-BQ12
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历史
草案日期
2010年6月1日
1.0版
MCP内存
修订历史
版本号
0.0
备注
初步
编者
H.Y.Min
首次发行。
- 512M比特SLC复用NOR闪存C- die_Ver 1.0
- 128M比特复用器UtRAM2 C- die_Ver 1.0
<Common>
- 定稿。
1.0
2010年6月22日
最终科幻
H.Y.Min
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K5N1229ACD-BQ12
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1.0版
MCP内存
1.产品特点
<Common>
工作温度： -25 ° C 85°C
包装： 56Ball FBGA型 - 采用8mm x 9.2毫米X 1.2mmt
焊球间距为0.5mm
该设备只有在同步选项MRS
（扩展配置寄存器）
单电压， 1.7V至1.95V的读取和写入操作
组织
- 33554432 ×16位（字模式）
复用的数据和地址的减少互连
- A / DQ0 A / DQ15
阅读虽然编程/擦除操作
多个银行架构
- 16银行（ 32Mb的分区）
OTP模块：额外512个字块
读取时间（ @
L
=30pF)
- 异步随机存取时间： 100ns的
- 同步随机存取时间： 95ns
- 突发访问时间：为7ns （ 108MHz的）
突发长度：
- 连续线性爆
- 线性突发： 8字& 16字与换行
座建筑
- 统一块部分：五百年12 64Kword块
- 引导块部分：四16KWord的块和511
64Kword块（银行0包含4个16 K字块和31
64Kword块，银行1 15行包含480 64Kword
块）
用V减少编程时间
PP
支持512个字的缓冲区计划
功耗（典型值，C
L
=30pF)
- 同步读取电流： 35毫安工作在133MHz
- 编程/擦除电流： 25毫安
- 读虽然编程/擦除电流： 45毫安
- 待机模式/自动睡眠模式：为30uA
块保护/ unprotection的
- 使用软件命令序列
- 最后两个引导块由WP = V保护
IL
（引导块部分）
- 最后一个块（ BA511 ）由WP = V保护
IL
（统一块部分）
- 所有的块都被V保护
PP
=V
IL
握手功能
- 通过监控RDY提供主机系统，以最小的延迟
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
解锁绕道程序/擦除
空白检查功能
硬件复位（ RESET ）
数据轮询和切换位
- 提供了检测程序的状态的软件的方法
或擦除完成
耐力
- 100K编程/擦除周期
支持常见的闪存接口
低Vcc的写保护
通过配置寄存器输出驱动器控制
<NOR Flash>
<UtRAM2>
工艺技术： CMOS
组织： 8M ×16位
电源电压： 1.7V 1.95V
三态输出
支持配置寄存器设置
- CRE引脚设置
- 软件设置
支持省电模式
- PAR （部分阵列刷新）
- 内部TCSR （温度补偿自刷新）
支持驱动强度的优化
支持2个操作模式
- 异步模式
- 同步模式
随机存取时间： 70ns的
同步突发操作
- 最大。时钟频率： 108MHz的
- 固定和可变读延迟
- 4/8 /16/ 32连续爆
- 自动换行/不换行
- 延迟： 3 （可变） @ 108MHz的
- 突发停止
- 突发读取暂停
- 突发写入数据屏蔽
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K5N1229ACD-BQ12
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1.0版
MCP内存
2.概述
该K5N1229ACD是一个多芯片封装内存，结合512MB的SLC MuxNOR闪存和128MB复用同步突发
单晶体管随机存取MEMORY2 。
512MB的多路复用NOR闪存具有1.8V单电源供电的组织为32Mx16一个512Mbit的突发多路复用多银行快闪记忆体。该MEM-
该装置的储器体系结构的设计来划分它的存储器阵列成为512blocks （统一块部分） / 515块（引导块部分）具有独立
硬件保障。该模块结构提供高度灵活的擦除和编程能力。 NOR闪存是由16银行。该装置
能够读出的数据从一个存储体，而在其它行的编程或擦除。对于读访问时，设备（ 66 / 83MHz的）亲
国际志愿组织的11ns的突发访问时间，在66MHz的一个95ns的初始访问时间。在83MHz的，所述设备（ 66 / 83MHz的）提供了一种9ns突发访问时间和一个
95ns初始接入时间。在108MHz的，所述设备（ 108 / 133MHz的）提供了一种7ns的突发访问时间和95ns初始接入时间。工作在133MHz时，
设备（ 108 / 133MHz的）提供了一种为6ns突发访问时间和95ns初始接入时间。该装置执行以16比特为单位的程序操作
（字）和擦除以块为单位。单个或多个块可以被擦除。块擦除操作中通常0.6sec完成。该装置
需要25毫安的编程/擦除电流在扩展级温度范围。
三星的UtRAM产品旨在满足谁想要对付那些需要快速发展的移动应用客户的要求
高速随机存取存储器。 UtRAM是与它的低成本，高密度和高性能的特点为移动市场的溶液。设备
通过三星的使用一个晶体管存储单元采用先进的CMOS工艺制造。该器件支持传统的SRAM类似的异步
操作（异步读取和异步写入） ，在完全同步运行（同步突发读取和同步突发写入） 。这些
操作模式是通过配置寄存器的设置来定义。它支持特殊功能的待机节能。这些都是
PAR （部分阵列刷新）模式以及内部TCSR （温度补偿自刷新） 。它也支持可变和固定延迟，驱动器
强度设置，突发序列（包装或无包装）场所和设备ID寄存器（ DIDR ） 。
该K5N1229ACD适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功耗。这
设备在56球FBGA类型可用。
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