K5D5657ACM-F015
文档标题
ADVANCE
初步
MCP内存
多芯片封装存储器
256M位（ 32Mx8 ）NAND闪存/ 256M位（ 4Mx16x4Banks ）移动SDRAM
修订历史
修订历史号
0.0
首次发行。
草案日期
五月
备注
12 ， 2003初
0.1
<NAND Flash> ....版本2.6
- 增加了无效的块数的新定义：第11页
（最低1004块有效的保证了每个连续的128Mb
存储器空间）。
- 改变TREA ： 12页
为30ns --- >为35ns
<Mobile SDRAM> ....版本0.5
- 更正勘误：第33页
tRC的--- > tARFC
- 更改注释与TRDL & tDAL相关： 35页
- 修正了黄表：第38页
- 更正勘误：第45页
tSRFC --- > tSRFX
2003年9月2日初步
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的网站。
http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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修订版0.1
2003年9月
K5D5657ACM-F015
ADVANCE
初步
MCP内存
多芯片封装存储器
256M位（ 32Mx8 ）NAND闪存/ 256M位（ 4Mx16x4Banks ）移动SDRAM
特点
<Common>
工作温度： -25 ° C 85°C
包装： 107球FBGA类型 - 10.5x13mm ， 0.8mm间距
<NAND>
电源电压： 1.7 1.95V
组织
- 存储单元阵列： （ 32M + 1024K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面尺寸： （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
<Mobile SDRAM>
电源电压： 1.65 1.95V
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 4K周期） 。
概述
该K5D5657ACM是一个多芯片封装内存相结合的256Mbit NAND闪存的256Mbit和高同步
数据速率动态RAM 。
的256Mbit NAND闪存的组织结构32M ×8位和的256Mbit SDRAM组织为4M X 16位X4银行。
在的256Mbit NAND闪存， 528字节页的程序通常可以在200us的实现和16K字节的块擦除即可典型
2毫秒内实现美云。在串行读操作中，一个字节可以通过50ns的读取。 DQ管脚用作地址和数据端口
输入/输出以及命令输入。即使是写密集型系统可以利用Flash的扩展可靠性的优势
100K编程/擦除与实时映射出的算法周期。这些算法已经在许多大容量存储已实施
应用程序。
在的256Mbit SDRAM ，同步设计，使配合使用系统时钟的精确控制器件和I / O交易
可能在每一个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
该K5D5657ACM适用于移动通信系统的数据存储器的使用，以减少不仅安装面积，而且功率
消费。该器件是107球FBGA类型可用。
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修订版0.1
2003年9月
K5D5657ACM-F015
引脚说明
引脚名称
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WED
A0 ~ A12
BA0 BA1
LDQM
UDQM
DQ0d DQ15d
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
引脚功能（移动SDRAM ）
系统时钟
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
银行地址输入
较低的输入/输出数据面膜
高输入/输出数据面膜
数据输入/输出
电源
数据输出功率
地
DQ地面
引脚名称
NC
DNU
引脚名称
/ CE
/ RE
/ WP
/ WE
ALE
CLE
R / B
IO0 IO7
VCC
VCCQ
VSS
ADVANCE
初步
MCP内存
引脚功能（ NAND闪存）
芯片使能
读使能
写保护
写使能
地址锁存使能
命令锁存使能
READY / BUSY输出
数据输入/输出
电源
数据输出功率
地
引脚功能
无连接
不要使用
订购信息
K 5 56 57一C M - F
三星
MCP存储器（ 2chips ）
设备类型
NAND闪存+移动SDRAM
NAND闪存的密度，
组织
56 ：的256Mbit ， X8
移动SDRAM密度，组织
57 ：的256Mbit ， X16
0 15
移动SDRAM的速度
15 = 15ns的， CL = 2
NAND闪存速度
0 =无
包
F = FBGA （含铅）
VERSION
M =第1代
工作电压
答： 1.8V / 1.8V
闪存区块架构
C =制服座
注意：
1.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何特定目的使用时，接触到存储器的营销团队，
如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
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修订版0.1
2003年9月
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