K5A3x80YT(B)C
文档标题
多芯片封装存储器
初步
MCP内存
32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 8M （ 1Mx8 / 512Kx16 ）全CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
草案日期
2002年11月6日
备注
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
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修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
多芯片封装存储器
初步
MCP内存
32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 8M （ 1Mx8 / 512Kx16 ）全CMOS SRAM
特点
电源电压： 2.7V至3.3V
组织
- 闪光： 4194304 ×8 / 2097152 ×16位
- SRAM ： 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16位
访问时间（ @ 2.7V ）
- 闪光： 70纳秒， SRAM ： 55纳秒
功耗（典型值）
- Flash读电流：14 MA（ @ 5MHz的）
编程/擦除电流： 15毫安
待机模式/自动休眠模式： 5
A
阅读的同时写入或读出，而擦除： 25毫安
- SRAM工作电流： 22毫安
待机电流： 0.5
A
Secode （验证码）块：额外的64KB块（闪存）
块组保护/ unprotection的（闪光灯）
闪光银尺寸： 8MB / 24MB ，16MB / 16Mb的
闪存耐久性：100,000编程/擦除周期最短
SRAM数据保存： 1.5 V（分钟）
工业温度范围：-40 ° C 85°C
包装： 69球TBGA类型 - 8× 11毫米，0.8 mm间距
1.2毫米（最大）厚度
概述
该K5A3x80YT （B ）C具有单一的3.0V电源是
多芯片封装存储器结合了32兆双行
闪存和8Mbit的fCMOS SRAM 。
在32兆闪存存储器由4M ×8或2M X16位
和8Mbit的SRAM组织为1M ×8或512K X16位。该
闪存存储器体系结构的设计来划分的
存储阵列到71块，这提供了高度灵活的
擦除和编程能力。该装置能够读取
数据从一个存储体，而在其它编程或擦除
银行与银行双重组织。
闪存存储器执行中的8比特单元的编程操作
（字节）或16位（字）和擦除以块为单位。单人或
多个块可以被擦除。块擦除操作的COM
pleted的典型0.7sec 。
在8Mbit的SRAM支持低数据保持电压，用于电池
备份操作具有低数据保持电流。
该K5A3x80YT （B）中C是适用于移动的COM的存储器
通信系统中，以减少安装面积。该器件可提供
在69球TBGA型封装。
球CON组fi guration
球说明
球NAME
A
0
到A
18
描述
地址输入球（通用）
地址输入球（快闪记忆体）
数据输入/输出球（通用）
硬件复位（快闪记忆体）
写保护/加速计划
（快闪记忆体）
电源供应器（ SRAM ）
电源供应器（闪存）
接地（公共）
高字节使能（ SRAM ）
低字节使能（ SRAM ）
字节
S
控制（ SRAM ）
字节
F
控制（快闪记忆体）
地址输入（ SRAM ）
芯片使能（快闪记忆体）
芯片使能（ SRAM低有效）
芯片使能（ SRAM高活性）
写使能（普通）
输出使能（普通）
就绪/忙（闪存）
无连接
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
N.C
N.C
N.C
2
3
4
5
N.C
WP /
加
6
N.C
7
8
9
10
N.C
A-1, A
19
到A
20
DQ
0
到DQ
15
RESET
N.C
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A2
A1
A7
LB
WE
CS2
S
A20
A8
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WP / ACC
A15
N.C
A6
A5
UB
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RESET
A19
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VCC
S
VCC
F
VSS
N.C
RY / BY
A9
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A4
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LB
字节
S
字节
F
SA
CE
F
N.C
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CE
F
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S
V
SS
DQ1
DQ6
SA
A16
N.C
OE
DQ9
DQ3
DQ4
VCC
S
DQ13
DQ15
字节
F
/A-1
DQ12 DQ7
VSS
DQ0
DQ10的Vcc
F
DQ8
DQ2
DQ11
字节
DQ5 DQ14
CS1
S
N.C
N.C
N.C
CS2
S
WE
OE
69球TBGA ， 0.8mm间距
RY / BY
N.C
俯视图（球下）
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
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修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
K5
A3280
YT
K5
A3380
YT
块地址
块
A20
BA70
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BA67
BA66
BA65
BA64
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Bank1
BA62
BA61
BA60
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BA58
BA57
BA56
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BA54
BA53
Bank1
BA52
BA51
BA50
BA49
BA48
BA47
BA46
BA45
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BA42
Bank2
BA41
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BA39
BA38
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BA36
BA35
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X
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X
X
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X
X
X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
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0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
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1
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1
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
初步
MCP内存
地址范围
字节模式
3FE000H-3FFFFFH
3FC000H-3FDFFFH
3FA000H-3FBFFFH
3F8000H-3F9FFFH
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3E0000H-3EFFFFH
3D0000H-3DFFFFH
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300000H-30FFFFH
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2E0000H-2EFFFFH
2D0000H-2DFFFFH
2C0000H-2CFFFFH
2B0000H-2BFFFFH
2A0000H-2AFFFFH
290000H-29FFFFH
280000H-28FFFFH
270000H-27FFFFH
260000H-26FFFFH
250000H-25FFFFH
240000H-24FFFFH
230000H-23FFFFH
文字模式
1FF000H-1FFFFFH
1FE000H-1FEFFFH
1FD000H-1FDFFFH
1FC000H-1FCFFFH
1FB000H-1FBFFFH
1FA000H-1FAFFFH
1F9000H-1F9FFFH
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1F0000H-1F7FFFH
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1E0000H-1E7FFFH
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120000H-127FFFH
118000H-11FFFFH
表1.闪存热门引导块地址（ K5A3280YT / K5A3380YT ）
BLOCK SIZE
（ KB / KW ）
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
64/32
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K5A3x80YT(B)C
K5
A3280
YT
K5
A3380
YT
块地址
块
A20
BA34
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BA33
BA32
BA31
BA30
BA29
BA28
BA27
BA26
BA25
BA24
BA23
BA22
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BA20
BA19
BA18
Bank2
Bank2
BA15
BA14
BA13
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BA11
BA10
BA9
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BA7
BA6
BA5
BA4
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BA2
BA1
BA0
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X
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X
X
X
X
X
X
X
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64/32
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BA16
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A15
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A14
X
X
X
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X
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X
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A13
X
X
X
X
X
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X
X
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A12
X
X
X
X
X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
初步
MCP内存
地址范围
字节模式
220000H-22FFFFH
210000H-21FFFFH
200000H-20FFFFH
1F0000H-1FFFFFH
1E0000H-1EFFFFH
1D0000H-1DFFFFH
1C0000H-1CFFFFH
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190000H-19FFFFH
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140000H-14FFFFH
130000H-13FFFFH
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110000H-11FFFFH
100000H-10FFFFH
0F0000H-0FFFFFH
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020000H-02FFFFH
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000000H-00FFFFH
文字模式
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018000H-01FFFFH
010000H-017FFFH
008000H-00FFFFH
000000H-007FFFH
表1.闪存热门引导块地址（ K5A3280YT / K5A3380YT ）
BLOCK SIZE
（ KB / KW ）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
注意：
地址范围是A20
A- 1的字节模式（ BYTE
F
= V
IL
）或A20
A0在字模式（ BYTE
F
= V
IH
).
该行地址位为A20
A19的K5A3280YT ， A20的K5A3380YT 。
表2.前引导设备Secode块地址
设备
K5A3280YT/K5A3380YT
块地址
A20-A12
111111xxx
块
SIZE
64/32
(X8)
地址范围
3F0000H-3FFFFFH
(X16)
地址范围
1F8000H-1FFFFFH
-5-
修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
文档标题
多芯片封装存储器
初步
MCP内存
32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 8M （ 1Mx8 / 512Kx16 ）全CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
最初的草案
草案日期
2002年11月6日
备注
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
多芯片封装存储器
初步
MCP内存
32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 8M （ 1Mx8 / 512Kx16 ）全CMOS SRAM
特点
电源电压： 2.7V至3.3V
组织
- 闪光： 4194304 ×8 / 2097152 ×16位
- SRAM ： 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16位
访问时间（ @ 2.7V ）
- 闪光： 70纳秒， SRAM ： 55纳秒
功耗（典型值）
- Flash读电流：14 MA（ @ 5MHz的）
编程/擦除电流： 15毫安
待机模式/自动休眠模式： 5
A
阅读的同时写入或读出，而擦除： 25毫安
- SRAM工作电流： 22毫安
待机电流： 0.5
A
Secode （验证码）块：额外的64KB块（闪存）
块组保护/ unprotection的（闪光灯）
闪光银尺寸： 8MB / 24MB ，16MB / 16Mb的
闪存耐久性：100,000编程/擦除周期最短
SRAM数据保存： 1.5 V（分钟）
工业温度范围：-40 ° C 85°C
包装： 69球TBGA类型 - 8× 11毫米，0.8 mm间距
1.2毫米（最大）厚度
概述
该K5A3x80YT （B ）C具有单一的3.0V电源是
多芯片封装存储器结合了32兆双行
闪存和8Mbit的fCMOS SRAM 。
在32兆闪存存储器由4M ×8或2M X16位
和8Mbit的SRAM组织为1M ×8或512K X16位。该
闪存存储器体系结构的设计来划分的
存储阵列到71块，这提供了高度灵活的
擦除和编程能力。该装置能够读取
数据从一个存储体，而在其它编程或擦除
银行与银行双重组织。
闪存存储器执行中的8比特单元的编程操作
（字节）或16位（字）和擦除以块为单位。单人或
多个块可以被擦除。块擦除操作的COM
pleted的典型0.7sec 。
在8Mbit的SRAM支持低数据保持电压，用于电池
备份操作具有低数据保持电流。
该K5A3x80YT （B）中C是适用于移动的COM的存储器
通信系统中，以减少安装面积。该器件可提供
在69球TBGA型封装。
球CON组fi guration
球说明
球NAME
A
0
到A
18
描述
地址输入球（通用）
地址输入球（快闪记忆体）
数据输入/输出球（通用）
硬件复位（快闪记忆体）
写保护/加速计划
（快闪记忆体）
电源供应器（ SRAM ）
电源供应器（闪存）
接地（公共）
高字节使能（ SRAM ）
低字节使能（ SRAM ）
字节
S
控制（ SRAM ）
字节
F
控制（快闪记忆体）
地址输入（ SRAM ）
芯片使能（快闪记忆体）
芯片使能（ SRAM低有效）
芯片使能（ SRAM高活性）
写使能（普通）
输出使能（普通）
就绪/忙（闪存）
无连接
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
N.C
N.C
N.C
2
3
4
5
N.C
WP /
加
6
N.C
7
8
9
10
N.C
A-1, A
19
到A
20
DQ
0
到DQ
15
RESET
N.C
A3
A2
A1
A7
LB
WE
CS2
S
A20
A8
A11
WP / ACC
A15
N.C
A6
A5
UB
A18
A17
RESET
A19
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VCC
S
VCC
F
VSS
N.C
RY / BY
A9
A13
A4
A10
A14
N.C
UB
LB
字节
S
字节
F
SA
CE
F
N.C
A0
CE
F
CS1
S
V
SS
DQ1
DQ6
SA
A16
N.C
OE
DQ9
DQ3
DQ4
VCC
S
DQ13
DQ15
字节
F
/A-1
DQ12 DQ7
VSS
DQ0
DQ10的Vcc
F
DQ8
DQ2
DQ11
字节
DQ5 DQ14
CS1
S
N.C
N.C
N.C
CS2
S
WE
OE
69球TBGA ， 0.8mm间距
RY / BY
N.C
俯视图（球下）
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
-2-
修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
K5
A3280
YT
K5
A3380
YT
块地址
块
A20
BA70
BA69
BA68
BA67
BA66
BA65
BA64
BA63
Bank1
BA62
BA61
BA60
BA59
BA58
BA57
BA56
BA55
BA54
BA53
Bank1
BA52
BA51
BA50
BA49
BA48
BA47
BA46
BA45
BA44
BA43
BA42
Bank2
BA41
BA40
BA39
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1
1
1
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X
X
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1
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X
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X
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X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
初步
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120000H-127FFFH
118000H-11FFFFH
表1.闪存热门引导块地址（ K5A3280YT / K5A3380YT ）
BLOCK SIZE
（ KB / KW ）
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8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
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修订版0.0
2002年11月
K5A3x80YT(B)C
K5
A3280
YT
K5
A3380
YT
块地址
块
A20
BA34
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BA33
BA32
BA31
BA30
BA29
BA28
BA27
BA26
BA25
BA24
BA23
BA22
BA21
BA20
BA19
BA18
Bank2
Bank2
BA15
BA14
BA13
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BA11
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X
X
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A15
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X
X
X
X
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X
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X
X
X
X
初步
MCP内存
地址范围
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030000H-03FFFFH
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000000H-00FFFFH
文字模式
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0C0000H-0C7FFFH
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008000H-00FFFFH
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表1.闪存热门引导块地址（ K5A3280YT / K5A3380YT ）
BLOCK SIZE
（ KB / KW ）
64/32
64/32
64/32
64/32
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64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
注意：
地址范围是A20
A- 1的字节模式（ BYTE
F
= V
IL
）或A20
A0在字模式（ BYTE
F
= V
IH
).
该行地址位为A20
A19的K5A3280YT ， A20的K5A3380YT 。
表2.前引导设备Secode块地址
设备
K5A3280YT/K5A3380YT
块地址
A20-A12
111111xxx
块
SIZE
64/32
(X8)
地址范围
3F0000H-3FFFFFH
(X16)
地址范围
1F8000H-1FFFFFH
-5-
修订版0.0
2002年11月
QQ：2880707522 复制
