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江苏长电科技股份有限公司
TO- 92S塑封装晶体管
ＴＯ－９２Ｓ　
　
1.SOURCE
K596
姒嗯道结型场效应管
特点
功耗
P
CM
： 0.1W （环境温度Tamb = 25℃）
栅电流
I
G
： 10毫安
漏电流
I
D
： 1毫安
漏源电压
BV
GDO
: -20
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
栅极 - 漏极击穿电压
栅极 - 源极截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
符号
BV
GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
|Y
FS
|
C
国际空间站
2.GATE
3.DRAIN
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　
　　　　　　　　　　　　　123
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-20
-0.6
100
0.4
1.2
3.5
-1.5
800
典型值
最大
单位
V
V
　μA
　　½Ｓ
pF
条件
I
G
= -100μA
V
DS
= 5V ，我
D
=1μA
V
DS
= 5 V , V
GS
=0
V
DS
= 5V , V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 5 V, V =0
GS
输出电容
C
RSS
0.65
pF
f =
1MHz
I
DSS
分类
分类
I
DSS
(A)
A
100-170
B
150-240
C
210-350
D
320-480
E
440-800
TO- 92S封装外形尺寸
D
D1
θ
A
E
b
L
e
e1
符号
A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L
θ
单位：毫米
民
1.240
0.660
0.380
0.360
3.850
2.970
3.010
1.270TYP
2.440
15.100
45°TYP
2.640
15.500
最大
1.620
0.860
0.550
0.510
4.150
3.270
3.310
民
A1
尺寸以英寸
最大
0.064
0.034
0.022
0.020
0.163
0.129
0.130
0.050TYP
0.096
0.594
45°TYP
0.104
0.610
0.056
0.026
0.015
0.014
0.152
0.117
0.119
c
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92S塑封装晶体管
ＴＯ－９２Ｓ　
　
1.SOURCE
K596
姒嗯道结型场效应管
特点
功耗
P
CM
： 0.1W （环境温度Tamb = 25℃）
栅电流
I
G
： 10毫安
漏电流
I
D
： 1毫安
漏源电压
BV
GDO
: -20
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
栅极 - 漏极击穿电压
栅极 - 源极截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
符号
BV
GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
|Y
FS
|
C
国际空间站
2.GATE
3.DRAIN
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　
　　　　　　　　　　　　　123
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
-20
-0.6
100
0.4
1.2
3.5
-1.5
800
典型值
最大
单位
V
V
　μA
　　½Ｓ
pF
条件
I
G
= -100μA
V
DS
= 5V ，我
D
=1μA
V
DS
= 5 V , V
GS
=0
V
DS
= 5V , V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 5 V, V =0
GS
输出电容
C
RSS
0.65
pF
f =
1MHz
I
DSS
分类
分类
I
DSS
(A)
A
100-170
B
150-240
C
210-350
D
320-480
E
440-800
TO- 92S封装外形尺寸
D
D1
θ
A
E
b
L
e
e1
符号
A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L
θ
单位：毫米
民
1.240
0.660
0.380
0.360
3.850
2.970
3.010
1.270TYP
2.440
15.100
45°TYP
2.640
15.500
最大
1.620
0.860
0.550
0.510
4.150
3.270
3.310
民
A1
尺寸以英寸
最大
0.064
0.034
0.022
0.020
0.163
0.129
0.130
0.050TYP
0.096
0.594
45°TYP
0.104
0.610
0.056
0.026
0.015
0.014
0.152
0.117
0.119
c
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
K596
电容话筒
应用
N沟道JFET
特点
*特别适用于音频，电话电容器使用
麦克风
*优异的电压特性
*优异的瞬态特性
*无铅电镀产品编号： K596L
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
K596-x-T9S-K
K596L-x-T9S-K
包
TO-92SP
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
体积
www.unisonic.com.tw
2008 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R216-001.B
K596
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极电压
栅电流
漏电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
T
J
T
英镑
N沟道JFET
等级
-20
10
1
100
+125
-55~+125
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极击穿电压
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
符号
BV
GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
lYFSl
C
国际空间站
C
RSS
测试条件
I
G
=-100A
V
DS
= 5V ，我
D
=1A
V
DS
=5V, V
GS
=0
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
民
-20
100
0.4
典型值
-0.6
1.2
3.5
0.65
最大
-1.5
800
单位
V
V
A
mS
pF
pF
分类我
DSS
秩
I
DSS
(A)
A
100-170
B
150-240
C
210-350
D
320-480
E
440-800
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R216-001.B
K596
测试电路
(Ta=25°C)
N沟道JFET
参数
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
符号
Gv
ΔGvV
ΔGvf
Z
IN
Z
O
THD
V
NO
测试条件
V
IN
= 10mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 10mV的中，f = 1KHz时， VCC = 4.5V → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1KHz
f=1KHz
V
IN
= 30mV的， F = 1KHz的
V
IN
=0
民
典型值
-3
-1.2
最大
-3.5
-1
700
25
1
-110
单位
dB
dB
dB
M
%
dB
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R216-001.B
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