【K4X56163PI L - （F ）电子/ G16Mx16移动DDR SDRAM1.产品特点 V】,IC型号K4X56163P-L,K4X56163P-L PDF资料,K4X56163P-L经销商,ic,电子元器件-51电子网

K4X56163PI L - （F ）电子/ G

16Mx16移动DDR SDRAM

1.产品特点

VDD / VDDQ = 1.8V / 1.8V

双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输

双向数据选通（ DQS ）

四家银行的操作

差分时钟输入（ CK和CK ）

MRS周期与解决关键程序

- CAS延迟（ 2,3）

- 突发长度（ 2 ， 4 ， 8 ， 16 ）

- 突发类型（顺序&交错）

EMRS周期地址重点项目

- 部分阵列自刷新（全， 1/2，1/4阵列）

- 输出驱动强度控制（全， 1/2，1/4 ， 1/8）

内部温度补偿自刷新

除了数据& DM所有输入进行采样，系统时钟（ CK ）的正向优势。

数据选通信号， DM为屏蔽的两端数据的I / O事务。

边沿对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。

无DLL ; CK到DQS不同步。

DM0 - DM3为只写屏蔽。

自动刷新占空比

7.8us为-25 85

°C

移动DDR SDRAM

2.工作频率

DDR333

速度@ CL2

速度@ CL3

注意：

1 ） CAS延时

DDR266

83Mhz

133Mhz

83Mhz

166Mhz

3.地址配置

组织

16Mx16

- DM被内部匹配DQ和DQS相同。

银行地址

BA0,BA1

行地址

A0 - A12

列地址

A0 - A8

4.订购信息

产品型号

K4X56163PI-L(F)E/GC6

K4X56163PI-L(F)E/GC3

最大频率。

166MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

接口

LVCMOS

包

60FBGA

铅（无铅）

- L（ F） E： 60FBGA铅（无铅），正常功耗，宽温（ -25

°C

~ 85

°C)

- L（ F） G： 60FBGA铅（无铅），低功耗，宽温（ -25

°C

~ 85

°C)

- C 6 / C 3 ： 166MHz的（CL = 3） / 133MHz的（CL = 3）的

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-4-

2007年10月

K4X56163PI L - （F ）电子/ G

5.功能框图

移动DDR SDRAM

LWE

LDM

I / O控制

CK ， CK

数据输入寄存器

串行到并行

BANK SELECT

2Mx32

输出缓冲器

2位预取

SENSE AMP

刷新计数器

行缓冲区

行解码器

2Mx32

X16

DQI

地址寄存器

CK ， CK

添加

列解码器

LCBR

LRAS

上校缓冲区

延迟&突发长度

频闪

将军

数据选通

LCKE

编程注册

LRAS LCBR

LWE

LCAS

LWCBR

LDM

注册时间

DM输入寄存器

CK ， CK

CKE

RAS

CAS

-5-

2007年10月

K4X56163PI L - （F ）电子/ G

6.包装尺寸和引脚配置

<底视图

＆ GT ;

球NAME

CK ， CK

移动DDR SDRAM

<顶视图

＆ GT ;

60Ball （ 6×10 ） FBGA

DDQ

SSQ

DDQ

SSQ

CKE

DQ15

DQ13

DQ11

DQ9

UDQS

UDM

A11

SSQ

DQ14

DQ12

DQ10

DQ8

北卡罗来纳州

A12

DDQ

DQ1

DQ3

DQ5

DQ7

北卡罗来纳州

A10/AP

DQ0

DQ2

DQ4

DQ6

LDQS

LDM

CAS

BA0

SSQ

DDQ

SSQ

DDQ

RAS

BA1

球功能

系统差分时钟

芯片选择

时钟使能

地址

银行选择地址

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入掩码

数据选通

数据输入/输出

电源/接地

数据输出电源/接地

* 2 ：顶视图

CKE

A0 ~ A12

BA0 BA1

RAS

CAS

L（ U） DM

L（ U） DQS

DQ0 15

DDQ

SSQ

* 1 ：底视图

<顶视图

＆ GT ;

＃ A1球原产地指标

美国证券交易委员会

周

XXXX

-6-

[单位：mm ]

符号

民

0.25

7.9

9.9

0.45

典型值

8.0

6.4

10.0

7.2

0.80

0.50

最大

1.00

8.1

10.1

0.55

0.10

K4M56163PI

2007年10月

K4X56163PI L - （F ）电子/ G

7.输入/输出功能说明

符号

CK ， CK

TYPE

输入

描述

移动DDR SDRAM

时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号采样上的横

荷兰国际集团CK和CK的下降沿的上升沿的。内部时钟信号是由CK / CK 。

时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号和设备输入缓冲器

器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电断电和自刷新

操作（所有银行闲置），或ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行）。 CKE是同步所有

功能除了禁止输出，这是异步实现。输入缓冲器，不含CK，CK和

CKE ，是在断电和自刷新模式，这是人为的低待机功率变禁用

消费。

芯片选择： CS使（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令解码器。

当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了在系统外部银行的选择

与多家银行。 CS被认为是命令代码的一部分。

命令输入： RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义命令被输入。

输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM采样高输入数据被屏蔽

随着在写访问的输入数据。 DM进行采样DQS的两边。 DM引脚包括：

虚拟负载在内部，以匹配DQ和DQS装载。对于x16的， LDM对应于数据上

DQ0 - DQ7 ; UDM correspons对DQ8 - DQ15数据。

银行ADDRES输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电的COM

命令被应用。

地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，列地址和PRE- AUTO

充电位用于读/写的命令，以便在各自的选择的一个位置从存储器阵列的

银行。 A10预充电命令周期内采样确定是否预充电适用于一个

银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ）。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 ，

BA1 。地址输入也是一个模式寄存器设置命令时提供的操作码。 BA0和BA1

决定哪种模式寄存器（模式寄存器或扩展模式寄存器）的模式下加载的REGISTRATION

存器SET命令。

数据输入/输出：数据总线

数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，集中在写入数据。

它被用于获取写入数据。对于x16的， LDQS对应于DQ0 - DQ7数据; UDQS对应

在DQ8 - DQ15数据。

无连接：无内部电气连接是否存在。

DQ电源： 1.7V至1.95V

DQ地面。

电源： 1.7V至1.95V

地面上。

CKE

输入

RAS ， CAS ， WE

输入

LDM ， UDM

输入

BA0 ， BA1

输入

A [ N： 0 ]

输入

LDQS ， UDQS

VDDQ

VSSQ

VDD

VSS

I / O

供应

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2007年10月

K4X56163PI L - （F ）电子/ G

8.功能描述

图1 。

状态图

动力

应用的

动力

CKEH

深

动力

下

移动DDR SDRAM

偏

自

刷新

预充电

所有银行

深

动力

下

自

刷新

REFS

REFSX

EMRS

太太

空闲

所有银行

预充电

REFA

AUTO

刷新

休克尔

CKEH

法案

动力

下

动力

下

CKEH

休克尔

写

WRITEA

READA

读

ROW

活跃

突发停止

读

WRITEA

写

WRITEA

READA

WRITEA

PRE

READA

PRE

预充电

Preall

自动顺序

命令序列

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2007年10月