1.11版本， 2010年9月

K4T1G044QF

K4T1G084QF

K4T1G164QF

1GB F-死DDR2 SDRAM

60FBGA / 84FBGA无铅&无卤

（符合RoHS ）

数据表

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明智的。

三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或使用

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2010三星电子有限公司保留所有权利。

-1-

K4T1G044QF

K4T1G084QF

K4T1G164QF

数据表

历史

- 最终规格。发布

- 改变IDD电流规格（ IDD3P -S / IDD3N / IDD4W ）

- 修正错字V

ID

（AC）的最大值。第14页。

草案日期

五月。 2010

2010年8月

2010年09月

修订版1.11

DDR2 SDRAM

修订历史

版本号

1.0

1.1

1.11

备注

-

-

-

编者

S.H.Kim

S.H.Kim

S.H.Kim

-2-

K4T1G044QF

K4T1G084QF

K4T1G164QF

数据表

修订版1.11

DDR2 SDRAM

目录

1GB F-死DDR2 SDRAM

1.订购信息..................................................................................................................................................... 4

2.重点Features................................................................................................................................................................. 4

3.封装引脚/机械尺寸& Addressing..................................................................................................五

3.1 X4封装引脚（顶视图） ： 60ball FBGA封装...................................... .................................................. 5 ..

3.2 X8封装引脚（顶视图） ： 60ball FBGA封装...................................... .................................................. 6 ..

3.3 X16封装引脚（顶视图） ： 84ball FBGA封装...................................... .................................................. 7

3.4 FBGA封装尺寸（ X4 / X8 ） .......................................................................................................................... 8

3.5 FBGA封装尺寸(x16)............................................................................................................................. 9

4.输入/输出功能Description.............................................................................................................................. 10

5. DDR2 SDRAM地址........................................................................................................................................... 11

6.绝对最大额定值.......................................................................................................................................... 12

7. AC &直流工作Conditions..................................................................................................................................... 12

7.1建议的直流工作条件(SSTL_1.8)............................................................................................. 12

7.2工作温度条件........................................................................................................................... 13

7.3 DC输入逻辑电平............................................................................................................................................... 13

7.4交流输入逻辑电平............................................................................................................................................... 13

7.5交流输入测试Conditions......................................................................................................................................... 13

7.6差分输入AC逻辑Level............................................................................................................................... 14

7.7差分交流输出参数........................................................................................................................... 14

8. ODT DC电气特性................................................................................................................................. 14

9. OCD默认特征.......................................................................................................................................... 15

10. IDD规格参数和测试条件.......................................... .................................................. ........ 16

11. DDR2 SDRAM IDD规格Table.................................................................................................................................. 18

12.输入/输出电容............................................................................................................................................ 20

13.电气特性&交流时序DDR2-800 / 667 ..................................... .................................................. .. 20

按设备13.1刷新参数Density................................................................................................................. 20

13.2速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌.................................. .............................. 20

由速度等级13.3时序参数..................................................................................................................... 21

14.一般注意事项，可能适用于所有交流参数...................................... .................................................. ...... 23

专用AC参数15.具体注意事项.............................................................................................................. 25

-3-

K4T1G044QF

K4T1G084QF

K4T1G164QF

数据表

DDR2-800 5-5-5

K4T1G044QF-BCE7

K4T1G084QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7

DDR2-800 6-6-6

K4T1G044QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

K4T1G164QF-BCF7

修订版1.11

DDR2 SDRAM

DDR2-667 5-5-5

K4T1G044QF-BCE6

K4T1G084QF-BCE6

K4T1G164QF-BCE6

包

60 FBGA

60 FBGA

84 FBGA

1.订购信息

组织

256Mx4

128Mx8

64Mx16

记

:

1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。

2. 12digit ， "B"代表倒装芯片FBGA PKG 。

2.主要特点

速度

CAS延迟

的tRCD （MIN）

激进党（分钟）

的tRC （分钟）

DDR2-800 5-5-5

5

12.5

12.5

57.5

DDR2-800 6-6-6

6

15

15

60

DDR2-667 5-5-5

5

15

15

60

单位

TCK

ns

ns

ns

JEDEC标准的V

DD

1.8V ± 0.1V电源

V

DDQ

= 1.8V ± 0.1V

333MHz的F

CK

为667Mb /秒/针， 400MHz的F

CK

为800MB /秒/针

8银行

中科院发布

可编程CAS延时： 3 ， 4 ， 5 ， 6

可编程添加剂Latenc Y： 0，1 ，2，3 ，4，5

写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1

突发长度： 4,8 （隔行/半字节顺序）

可编程顺序/交错突发模式

双向差分数据选通（单端数据选通是一个

可选功能）

片外驱动器（ OCD ）阻抗调整

片上终端

特殊功能支持

- 50欧姆ODT

- 高温自刷新速率使得

平均更新周期7.8us时于T低

例

85°C ，在3.9us

85°C <牛逼

例

< 95

°C

所有产品均采用无铅，无卤素，并且符合RoHS标准

1GB的DDR2 SDRAM是作为一个32兆×4 I / OS X 8banks ， 16Mbit的

×8个I / O X 8banks或8Mbit的×16个I / O ×8银行设备。这种同步

设备达到最高的高速双数据速率传输速率800MB /

秒/针（ DDR2-800 ）一般应用。

该芯片的设计符合以下关键DDR2 SDRAM为特色的

Tures的，如贴CAS与附加延迟，写延迟=读延迟

- 1 ，片外驱动器（ OCD）阻抗调整和片上终端。

所有的控制和地址输入端的一对克斯特同步

应受供应差分时钟。输入被锁定在昼夜温差的交叉点

髓鞘时钟（ CK上升沿和CK下降） 。所有的I / O与同步

对双向选通（DQS和DQS ）在源同步fash-

离子。地址总线用于传送行，列和行地址

在一个RAS / CAS复样式的信息。例如，1GB的（x8）装置

收到14/10/3解决。

1GB的DDR2器件采用1.8V单± 0.1V电源

和1.8V ± 0.1V V

DDQ

.

1GB的DDR2器件在60ball FBGA （ X4 / X8）提供的84ball

FBGA(x16).

记

:

1.本数据表是全DDR2规格的抽象，并不包括在“ DDR2 SDRAM器件操作&时序描述的共同特征Dia-

克“ 。

2.功能描述和包含在此数据表中的时序规范操作的DLL启用模式。

-4-

K4T1G044QF

K4T1G084QF

K4T1G164QF

数据表

修订版1.11

DDR2 SDRAM

3.封装引脚/机械尺寸&地址

3.1 X4封装引脚（顶视图） ： 60ball FBGA封装

1

2

3

4

5

6

7

8

9

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

V

DD

NC

V

DDQ

NC

V

DDL

BA2

V

SS

V

DD

NC

V

SSQ

DQ1

V

SSQ

V

REF

CKE

BA0

A10/AP

A3

A7

A12

V

SS

DM

V

DDQ

DQ3

V

SS

WE

BA1

A1

A5

A9

NC

V

SSQ

的DQ

V

DDQ

DQ2

V

SSDL

RAS

CAS

A2

A6

A11

NC

的DQ

V

SSQ

DQ0

V

SSQ

CK

CK

CS

A0

A4

A8

A13

V

DDQ

NC

V

DDQ

NC

V

DD

ODT0

V

DD

V

SS

记

: V

DDL

和V

SSDL

在电源和接地的DLL。建议将它们分离从V设备上的

DD

,V

DDQ

, V

SS

和V

SSQ

.

1

2

3

4

5

6

7

8

9

球的位置（ X4）

A

B

C

填充球

球未填充

D

E

F

G

H

顶视图

（请参阅通过包球）

J

K

L

-5-