K4T1G044QQ

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K4T1G164QQ

DDR2 SDRAM

1GB Q-死DDR2 SDRAM规格

60FBGA & 84FBGA与无铅&无卤

（符合RoHS ）

信息在本文档提供有关三星产品，

并随时更改，恕不另行通知。

本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，

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*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

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修订版1.01 2007年11月

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DDR2 SDRAM

目录

1.0订购信息................................................................................................................... 4

2.0主要特点................................................................................................................................ 4

3.0封装引脚/机械尺寸&地址.......................................... .................. 5

3.1 X4 / X8封装引脚（顶视图） ： 60ball FBGA封装

................................................................... 5

3.2 X16封装引脚（顶视图） ： 84ball FBGA封装

...................................................................... 6

3.3 FBGA封装尺寸（ X4 / X8 ）

................................................................................................... 7

3.4 FBGA封装尺寸（ X16 ）

...................................................................................................... 8

4.0输入/输出功能描述............................................ ............................................. 9

5.0 DDR2 SDRAM地址........................................................................................................ 10

6.0绝对最大额定直流电压值............................................. .................................................. 11

7.0交流&直流工作条件............................................ .................................................. .. 11

7.1建议的直流工作条件（ SSTL - 1.8 ）

...................................................................... 11

7.2工作温度条件

................................................................................................. 12

7.3 DC输入逻辑电平

................................................................................................................... 12

7.4交流输入逻辑电平

................................................................................................................... 12

7.5交流输入测试条件

............................................................................................................. 12

7.6差分输入AC逻辑电平

.................................................................................................... 13

7.7差分交流输出参数

................................................................................................. 13

8.0 ODT DC电气特性............................................. ............................................... 13

9.0 OCD默认特征...................................................................................................... 14

10.0 IDD规格参数和测试条件........................................... .................. 15

11.0 DDR2 SDRAM IDD规格表............................................ .................................................. .. 17

12.0输入/输出电容........................................................................................................ 18

13.0电气特性&交流时序DDR2-800 / 667 ...................................... .............. 18

通过器件密度13.1刷新参数

......................................................................................... 18

13.2速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌

.............................................. 18

由速度等级13.3时序参数

............................................................................................. 19

14.0一般注意事项，可能适用于所有交流参数....................................... ................ 21

专用AC参数15.0具体说明........................................... ............................. 23

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YEAR

2007

2007

- 初始版本

- 错字改正

历史

修订历史

调整

1.0

1.01

MONTH

九月

十一月

3 44

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1.0订购信息

组织。

256Mx4

128Mx8

64Mx16

DDR2-800 5-5-5

K4T1G044QQ-HC(L)E7

K4T1G084QQ-HC(L)E7

K4T1G164QQ-HC(L)E7

DDR2-800 6-6-6

K4T1G044QQ-HC(L)F7

K4T1G084QQ-HC(L)F7

K4T1G164QQ-HC(L)F7

DDR2-667 5-5-5

DDR2 SDRAM

包

60 FBGA

60 FBGA

84 FBGA

K4T1G044QQ-HC(L)E6

K4T1G084QQ-HC(L)E6

K4T1G164QQ-HC(L)E6

注意：

1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。

2.符合RoHS标准。

3， “H”的部件号（第12位）代表符合RoHS和无卤素产品。

2.0主要特点

速度

CAS延迟

的tRCD （MIN）

激进党（分钟）

的tRC （分钟）

DDR2-800 5-5-5

5

12.5

12.5

57.5

DDR2-800 6-6-6

6

15

15

60

DDR2-667 5-5-5

5

15

15

60

单位

TCK

ns

ns

ns

JEDEC标准的1.8V ± 0.1V电源

VDDQ = 1.8V ± 0.1V

333MHz的F

CK

为667Mb /秒/针， 400MHz的F

CK

为800MB /秒/

针

8银行

中科院发布

可编程CAS延时： 3 ， 4 ， 5 ， 6

可编程附加延迟：0， 1 ，2，3 ，4，5

写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1

突发长度： 4,8 （隔行/半字节顺序）

可编程顺序/交错突发模式

双向差分数据选通（单端数据 -

闪光灯是一个可选功能）

片外驱动器（ OCD ）阻抗调整

片上终端

特殊功能支持

- PASR （部分阵列自刷新）

- 50欧姆ODT

- 高温自刷新速率使得

平均更新周期7.8us时于T低

例

85°C,

3.9us ，在85°C <牛逼

例

< 95

°C

所有无铅产品符合RoHS指令的

1GB的DDR2 SDRAM是作为一个32兆×4 I / OS X

8banks ，为16Mbit ×8个I / O X 8banks或8Mbit的×16个I / O ×8银行

装置。该同步装置实现了高速双

高达800MB /秒/针（ DDR2-800 ）的数据速率传输速率

一般应用。

该芯片的设计符合下列关键DDR2

SDRAM的功能，如中科院发布与附加延迟，写

延时=读延时 - 1 ，片外驱动器（ OCD ）阻抗

调整和片上终端。

所有的控制和地址输入端有一对同步

对外部提供的差分时钟。输入被锁在

差分时钟交叉点（ CK上升沿和CK下降） 。所有I / O

有一对双向选通（ DQS的同步和

DQS）在源同步方式。地址总线用于

传达行，列和行地址信息在一个RAS /

CAS复用的风格。例如，1GB （ X8 ）设备接收14 /

10/3寻址。

1GB的DDR2器件采用1.8V单± 0.1V电源

电源和1.8V ± 0.1V VDDQ 。

1GB的DDR2器件在60ball FBGAs （ X4 / X8 ），并可用

84ball FBGAs （ X16 ） 。

注意：所描述的功能性和时序规范包括在

该数据表的操作的DLL启用模式。

注：本数据手册是全DDR2规格的抽象，并不包括在“ DDR2 SDRAM器件中描述的共同特征

操作&时序图“ 。

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3.0封装引脚/机械尺寸&地址

3.1 X4 / X8封装引脚（顶视图） ： 60ball FBGA封装

1

VDD

DQ6

VDDQ

DQ4

VDDL

DDR2 SDRAM

2

NU /

RDQS

3

VSS

DM

/

RDQS

7

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

VSSQ

的DQ

VDDQ

DQ2

VSSDL

RAS

CAS

A2

A6

A11

NC

8

的DQ

VSSQ

DQ0

VSSQ

CK

CK

CS

A0

A4

A8

A13

9

VDDQ

DQ7

VDDQ

DQ5

VDD

ODT

VSSQ

DQ1

VSSQ

VREF

CKE

VDDQ

DQ3

VSS

WE

BA1

A1

A5

A9

NC

BA2

BA0

A10/AP

VDD

VSS

A3

A7

VSS

VDD

A12

注意：

1.引脚B3和A2具有相同的电容量为销B7和A8 。

2.对于一个读使能时，闪光灯对RDQS & RDQS是相同的

功能和定时选通对DQS & DQS和输入屏蔽功能

被禁用。

3.糖尿病或RDQS / RDQS的功能是由EMRS命令启用。

4. VDDL和VSSDL的电源和接地的DLL。

球的位置（ X4 / X8 ）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

2

：填充的球

+ ：无人区球

顶视图

（参阅通过包球）

3

4

5

6

7

8

9

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

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