K4S643233F-S(D)E/N/I/P
CMOS SDRAM
2Mx32
移动SDRAM
90FBGA
（ VDD / VDDQ 3.0V / 3.0V和3.3V / 3.3V ）
修订版1.5
2002年12月
修订版1.5 2002年12月
K4S643233F-S(D)E/N/I/P
512K X 32位×4银行SDRAM
特点
3.0V & 3.3电源
.
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
所有的输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
DQM用于屏蔽。
自动&自我刷新。
64ms的刷新周期（ 4K周期） 。
扩展的工作温度（ -25 ° C至85
°C).
工业工作温度（ -40 ° C至85°C ） 。
90balls FBGA （ -SXXX -Pb ， -DXXX -Pb免费） 。
CMOS SDRAM
概述
该K4S643233F是67108864比特同步的高数据速率
32位组织成4× 524,288字动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽和高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品型号
K4S643233F-SE/N/I/P75
K4S643233FSE/N/I/P1H
K4S643233F-SE/N/I/P1L
K4S643233F-DE/N/I/P75
K4S643233F-DE/N/I/P1H
K4S643233F-DE/N/I/P1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
90FBGA
无铅
接口封装
90FBGA
Pb
功能框图
S（ D） E / N;普通/低功耗，温度： -25
°C
~ 85
°C.
S（ D） I / P ;普通/低功耗，温度： -40 ° C 85
°C.
注意：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
512K ×32
512K ×32
512K ×32
512K ×32
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
LRAS
LCBR
延迟&突发长度
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.5 2002年12月
K4S643233F-S(D)E/N/I/P
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
D D
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
笔记
:
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25
°C
85
°C
对于扩展， -40 ° C至85°C工业）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
D D
V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
2.7
2.7
2.2
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.0
3.0
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
DDQ
+0.3
0.5
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
笔记
:
1. V
IH
（最大值）= 5.3V交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
时钟
(V
DD
= 3.0V & 3.3 ，T
A
= 23
°C,
F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
记
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
0
DQM
3
ADDRESS （A
0
~ A
10,
BA
0
BA
1
)
Q
0
？ DQ
31
修订版1.5 2002年12月
K4S643233F-S(D)E/N/I/P
DC特性
CMOS SDRAM
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25 ° C至85
°C
对于扩展型-40
°C
至85°C工业）
参数
符号
测试条件
-75
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
I
CC1
突发长度= 1
t
RC
≥
t
R C
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
80
VERSION
-1H
75
-1L
75
mA
1
单位
记
I
CC2
P
0.5
0.5
11
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
C C 2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
I H
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
mA
预充电待机电流
在非掉电模式
I
CC2
NS
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
P
mA
8
5
5
22
mA
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
C C 3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
I H
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0 mA时，第一阵
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
S（ D） E / I
S（ D） N / P
95
135
mA
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
工作电流
刷新当前
自刷新电流
I
CC3
NS
I
CC4
I
CC5
I
CC6
22
75
120
2
0.4
75
120
mA
mA
mA
mA
1
2
3
4
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S643233F -S （ D） E / I **
4. K4S643233F -S （D ）N / P **
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ） 。
修订版1.5 2002年12月
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