K4S643232E-TI/P
512K X 32位×4银行同步DRAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
15.6us刷新占空比（ 4K / 64毫秒）
CMOS SDRAM
概述
该K4S643232E为67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 524,288字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许在同一设备
要为各种高带宽，高性能有用
存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S643232E-TI/P60
K4S643232E-TI/P70
最大频率。
166MHz
143MHz
接口
LVTTL
包
86
TSOP （II）的
工业级温度范围： -45
o
C至+ 85
o
C
- I / P ：工业级温度（ -45
o
C至+ 85
o
C)
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
512K ×32
512K ×32
512K ×32
512K ×32
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
通知。
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修订版1.2 （2001年10月）
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