2010年4月

消费者的记忆

产品指南

三星电子保留更改产品，信息的权利，

规格，恕不另行通知。

本文所讨论的产品和规格仅供参考。所有信息讨论

本文提供的"AS IS"的基础上，没有任何形式的担保。

本文及本文讨论的所有信息保持三星的独有财产

电子产品。任何专利，版权，口罩工作，商标或任何其他知识产权的任何许可

右侧是该文件正由一方到另一方，通过暗示，禁止反言或其他 -

明智的。

三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或使用

类似的应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何损失

军事或国防应用程序，或任何政府采购，以这特殊条款或规定

可以申请。

如需更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。

所有品牌名称，商标和注册商标均归其各自所有者所有。

2010三星电子有限公司保留所有权利。

-1-

产品指南

1.消费者心目中订购信息

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

2010年4月

消费者的记忆

11

K 4 X X X X X X X X - X X X X

三星内存

DRAM

产品

密度&刷新

组织

1.三星内存：K

2. DRAM ： 4

3.产品

S

H

T

B

D

J

:

SDRAM

:

DDR SDRAM

:

DDR2 SDRAM

:

DDR3 SDRAM

:

GDDR

:

GDDR3

7.接口（V

DD

, V

DDQ

)

2

8

Q

6

K

:

LVTTL （ 3.3V ， 3.3V ）

:

SSTL_2 （ 2.5V ， 2.5V ）

:

SSTL_18 （ 1.8V ， 1.8V ）

:

SSTL_15 （ 1.5V ， 1.5V ）

:

POD_18 （ 1.8V ， 1.8V ）

速度

温度&电源

套餐类型

调整

接口（V

DD

, V

DDQ

)

银行

8.修订

M

A

B

C

D

E

F

G

:

第一将军

:

第二届创

:

第三将军

:

第四将军

:

第五将军

:

第六届将军

:

7将军

:

8日创

H

I

J

K

L

N

O

S

:

9日创

:

10日创

:

第11届创

:

12日创

:

13日创

:

14日创

:

15日创

:

19将军

4.密度&刷新

64

:

64MB， 4K / 64ms的

28

:

128MB， 4K / 64ms的

56

:

256MB， 8K / 64ms的

51

:

512MB， 8K / 64ms的

1G

:

1GB内存， 8K / 64ms的

2G

:

2GB， 8K / 64ms的

10

:

1GB内存， 8K / 32ms的

9.包装类型

U

Z

:

TSOPII （无铅）

100TQFP （无铅）只为128Mb的GDDR

:

FBGA （无铅）

:

144FBGA （无铅）只为128Mb的GDDR

:

TSOPII （无铅&无卤）

:

FBGA （无铅&无卤）

:

FBGA （无铅&无卤）为64兆DDR ， GDDR 128Mb的

:

FBGA DDP （无铅&无卤）

:

FBGA FLIP - CHIP （无铅&无卤）

5.组织

04

:

x4

08

:

x8

16

:

x16

32

:

x32

31

:

X32 （ 2CS ）

V

L

H

F

M

B

10.温度&电源

6.银行

2

3

4

:

2银行

:

4银行

:

8银行

C

L

I

P

D

Q

:

商业温度。 &普通电源

:

商业温度。 &低功耗

:

工业级温度范围。 &普通电源

:

工业级温度范围。 &低功耗

:

工业级温度范围。 &超低功耗

:

商业温度。 DDR3 + （无缝， BL4 ）

-2-

产品指南

1

2

3

4

5

6

7

8

9

2010年4月

消费者的记忆

10

11

K 4 X X X X X X X X - X X X X

三星内存

DRAM

产品

密度&刷新

组织

速度

温度&电源

套餐类型

调整

接口（V

DD

, V

DDQ

)

银行

11.速度

75

:

7.5ns ， PC133 （ 133MHz的CL = 3 ）

60

:

6.0ns （ 166MHz的CL = 3 ）

50

:

5.0ns （ 200MHz的CL = 3）的

40

:

4.0ns （ 250MHz的CL = 3）的

B0

:

DDR266 （ 133MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

B3

:

DDR333 （ 166MHz的@ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

CC

:

DDR400 （ 200MHz的@ CL = 3 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）

E6

:

DDR2-667 （ 333MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）

E7

:

DDR2-800 （ 400MHz的@ CL = 5 ， tRCD的= 5 ， tRP的= 5 ）

F7

:

DDR2 / 3-800 （ 400MHz的@ CL = 6 ， tRCD的= 6 ，激进党= 6）

F8

:

DDR2 / 3-1066 （ 533 @ CL = 7 ， tRCD的= 7 ，激进党= 7 ）

H9

:

DDR3-1333 （ 667MHz的@ CL = 9 ， tRCD的= 9 ，激进党= 9 ）

K0

:

DDR3-1600 （ 800MHz的@ CL = 11 ， tRCD的= 11 ，激进党= 11 ）

7A

:

GDDR3-2.6Gbps （ 0.77ns ）

08

:

GDDR3-2.4Gbps （ 0.8ns ）

1A

:

GDDR3-2.0Gbps （ 1.0ns ）

12

:

GDDR3-1.6Gbps （ 1.25ns ）

14

:

GDDR3-1.4Gbps （ 1.4ns ）

-3-

产品指南

2.1 SDRAM

密度

64MB N-二模

银行

4Banks

产品型号

K4S640832N

K4S641632N

K4S280832K

K4S281632K

K4S280832O

K4S281632O

K4S560432J

256Mb的J-模

4Banks

K4S560832J

K4S561632J

K4S560432N

256MB N-二模

4Banks

K4S560832N

K4S561632N

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

LC(L)75

LC(L)50/C(L)60/C(L)75

U

*1

C(L)75

UC(L)50/C(L)60/C(L)75

LC(L)75

LC(L)50/C(L)60/C(L)75

U

*1

C(L)75

UC(L)75

UC(L)60/C(L)75

LC(L)75

LC(L)75

LC(L)60/C(L)75

组织。

8M ×8

4M ×16

16M ×8

8M ×16

16M ×8

8M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

LVTTL

8K/64ms

LVTTL

8K/64ms

接口

LVTTL

刷新

4K/64ms

2010年4月

消费者的记忆

2.商业温度消费DRAM组件产品指南

电源（ V）

3.3±0.3V

包

54pin TSOP （II）的

无济于事。

NOW

128MB K-模

4Banks

LVTTL

4K/64ms

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

*1

NOW

128MB O型模具

4Banks

LVTTL

4K/64ms

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

3Q’10

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

*1

NOW

3.3±0.3V

54pin TSOP （II）的

NOW

记

1. 128Mb的K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）

2.2 DDR SDRAM

密度

64MB N-二模

64MB Q-模

128MB L-死

128MB O型模具

银行

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

产品型号

K4H641638N

K4H641638Q

K4H281638L

K4H281638O

K4H560438J

256Mb的J-模

4Banks

K4H560838J

K4H561638J

K4H560438N

256MB N-二模

4Banks

K4H560838N

K4H561638N

K4H510438F

512MB F-模

4Banks

K4H510838F

K4H511638F

K4H510438G

512MB G-模

4Banks

K4H510838G

K4H511638G

记

: 1. V

DD

/V

DDQ

SPEC为128Mb的DDR L-模

DDR500

V

DD

/V

DDQ

2.5V ± 0.125V

DDR400

2.5V ± 0.2V

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

LC （ L） CC

FC （ L） CC

LC （ L） CC

LC （ L） / C （L ） CC

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)B3/C(L)B0

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

LC(L)CC/C(L)B3

HC(L)CC/C(L)B3

组织。

4M ×16

4M ×16

8M ×16

8M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

接口

SSTL_2

SSTL_2

SSTL_2

SSTL_2

刷新

4K/64m

4K/64m

4K/64m

4K/64m

电源（ V）

2.5±0.2V

2.5±0.2V

2.5±0.2V

*1

2.5±0.2V

*1

2.5±0.2V

*2

包

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

66pinTSOPII

66pinTSOPII

无济于事。

NOW

2Q’10

NOW

2Q’10

SSTL_2

8K/64m

66pinTSOPII

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

66pinTSOPII

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

66pinTSOPII

60Ball FBGA

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

NOW

SSTL_2

8K/64m

2.5±0.2V

*2

NOW

2. V

DD

/V

DDQ

SPEC 256 / 512Mb的DDR

DDR400

V

DD

/V

DDQ

2.6V ± 0.1V

DDR333/266

2.5V ± 0.2V

-4-

产品指南

2.3 DDR2 SDRAM

密度

128MB O型模具

256MB I-模

256MB N-二模

512MB G-模

银行

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

产品型号

K4T28163QO

K4T56163QI

K4T56163QN

K4T51083QG

K4T51163QG

K4T51043QI

512MB I-模

4Banks

K4T51083QI

K4T51163QI

1GB电子芯片

8Banks

8Banks

K4T1G084QE

K4T1G164QE

K4T1G084QF

K4T1G164QF

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HCF8/E7/F7/E6

Z

*1

C(L)E7/F7/E6/D5/CC

HCF8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)E7/F7/E6

HC(L)E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

HC(L)F8/E7/F7/E6

BC(L)F8/E7/F7/E6

BC(L)F8/E7/F7/E6

组织。

8M ×16

16M ×16

16M ×16

64M ×8

32M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

128M ×8

64M ×16

128M ×8

64M ×16

SSTL_18

SSTL_18

8K/64m

8K/64m

SSTL_18

8K/64m

接口

SSTL_18

SSTL_18

SSTL_18

SSTL_18

刷新

4K/64m

8K/64m

8K/64m

8K/64m

2010年4月

消费者的记忆

电源（ V）

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

包

84Ball FBGA

84Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

NOW

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

1.8V±0.1V

60Ball FBGA

84Ball FBGA

60Ball FBGA

84Ball FBGA

1GB F-模

记

1. 128Mb的I-死DDR2 84ball FBGA支持无卤素封装

2.4 DDR3 SDRAM

密度

1GB电子芯片

2GB B-模

银行

8Banks

8Banks

产品型号

K4B1G0846E

K4B1G1646E

K4B2G0846B

K4B2G1646B

K4B2G0846C

K4B2G1646C

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F7/F8/H9/K0

HC(L)F8/H9/K0

HC(L)F8/H9/K0

组织。

128M ×8

64M ×16

256M ×8

128M ×16

256M ×8

128M ×16

接口

SSTL_15

SSTL_15

刷新

8K/64m

8K/64m

电源（ V）

1.5V±0.075V

1.5V±0.075V

PKG

78ball FBGA

96ball FBGA

78ball FBGA

96ball FBGA

78ball FBGA

96ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

2GB C-模

8Banks

SSTL_15

8K/64m

1.5V±0.075V

NOW

2.5 + DDR3 SDRAM

密度

1GB电子芯片

2GB C-模

银行

8Banks

8Banks

产品型号

K4B1G1646E

K4B2G1646C

包装&电力，

温度。 （-C / -L ） &速度

HQH9

HQH9

组织。

64M ×16

128M ×16

接口

SSTL_15

SSTL_15

刷新

8K/64m

8K/64m

电源（ V）

1.5V±0.075V

1.5V±0.075V

PKG

96ball FBGA

96ball FBGA

无济于事。

NOW

NOW

记

：有关产品的规格或技术文件的详细信息，请与我们联系"semiconductor@samsung.com"

-5-

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

同步DRAM

256Mb的J- SDRAM芯片规格

54 TSOP -II

无铅&无卤

（符合RoHS ）

信息在本文档提供有关三星产品，

并受更改，恕不另行通知。本条中的任何文件应当

解释为授予任何许可，明示或暗示，被禁止的或其它 -

WISE ，在三星的产品知识产权的任何权利技

OGY 。所有信息在本文档提供作为"AS IS"无基础

担保或任何形式的担保。

1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。

2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途

应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失

国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

1 15

1.22修订版2008年8月

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

同步DRAM

目录

1.0产品特点....................................................................................................................................... 4

2.0概述................................................................................................................... 4

3.0订购信息.................................................................................................................. 4

4.0包装物理尺寸.............................................. .................................................. 5 ...

5.0功能块Diagram......................................................................................................... 6

6.0引脚配置（顶视图） ..................................................................................................... 7

7.0引脚功能说明........................................................................................................... 7

8.0绝对最大Ratings........................................................................................................8

9.0 DC工作条件........................................................................................................... 8

10.0 Capacitance............................................................................................................................... 8

11.0直流特性（ X4，X8 ） ......................................................................................................9

12.0直流特性（ X16 ） ........................................................................................................10

13.0 AC运行试验条件............................................. .................................................. 11

14.0操作AC参数........................................................................................................11

15.0 AC特性..................................................................................................................12

16.0 DQ缓冲输出驱动特性............................................ ................................... 12

17.0 IBIS规范.....................................................................................................................13

18.0简体真值表............................................................................................................15

2 15

1.22修订版2008年8月

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

同步DRAM

MONTH

六月

十月

一月

三月

八月

YEAR

2007

2007

2008

2008

2008

- 版本1.0版的SPEC

- 改变IDD电流SPEC

- 包维修错字

- 增加了无卤素的支持意见

- 增加了200Mhz的速度

- 增加了封装引脚输出引脚宽度

- 增加了200MHz的电流SPEC

- 修正了字体格式

历史

修订历史

调整

1.0

1.1

1.2

1.21

1.22

3 15

1.22修订版2008年8月

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

同步DRAM

16M X 4Bit的×4银行/ 8M X 8位×4银行/ 4M X 16Bit的×4银行SDRAM

1.0功能

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

四家银行的操作

MRS周期与解决关键程序

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有的输入进行采样的系统时钟的正边沿。

突发读取单位写操作

DQM （ X4，X8 ） & L（ U） DQM （ X16 ）的屏蔽

自动&自我刷新

64ms的刷新周期（ 8K循环）

无铅&无卤素封装

符合RoHS

2.0概述

该K4S560432J / K4S560832J / K4S561632J是268435456位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个

16777216字由4位/ 4× 8,388,608字由8位/ 4× 4,194,304字由16位，制造与三星的高perfor-

曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的

在每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备，以

针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

3.0订购信息

产品型号

K4S560432J-U

*1

C/L75

K4S560832J-UC/L75

K4S561632J-UC/L50

K4S561632J-UC/L60

K4S561632J-UC/L75

16M ×16

Orgainization

64M ×4

32M ×8

最大频率。

为133MHz （CL = 3）

为133MHz （CL = 3）

为200MHz （CL = 3）

为166MHz （CL = 3）

为133MHz （CL = 3）

LVTTL

54pin TSOP （II）的

无铅&无卤

*1

接口

包

注1 ： 256Mb的J-死SDR DRAM的支持无铅&无卤封装，无铅封装代码（ -U ） 。

组织

64Mx4

32Mx8

16Mx16

行地址

A0~A12

A0~A12

A0~A12

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

A0-A8

行&列地址的配置

4 15

1.22修订版2008年8月

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

同步DRAM

4.0包装物理尺寸

(0.80)

(0.50)

#54

#28

单位：mm

10.16

±

0.10

(1.50)

(0.80)

0.665

±

0.05

0.210

±

0.05

1.00

±

0.10

22.22

±

0.10

(R

0.1

5)

(10°)

1.20 MAX

0.125

- 0.035

+0.075

(0.50)

#1

(1.50)

#27

(10°)

(10°)

11.76

±

0.20

(10.76)

0.05分钟

0.

15

)

(0.71)

0.80TYP

[0.80

±

0.08]

(R

0.075 MAX

0.

25

)

(R

(R

0.

25

)

细节A

DETAIL B

记

1.（） IS参考

2. []是一个总成素质

细节A

0.30

- 0.05

+0.10

DETAIL B

(0°

8°)

0.35

- 0.05

+0.10

54Pin TSOP （ II ）包装尺寸

5 15

[

(10°)

[

(4°)

0.10最大

1.22修订版2008年8月

0.45 ~ 0.75

0.25TYP

一般信息

SDRAM

SDRAM产品指南

2007年11月

存储事业部

2007年11月

一般信息

A. SDRAM组件订购信息

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

SDRAM

4 S X X X X X X X - X X X X

三星内存

DRAM

产品

密度&刷新

组织

速度

温度&电源

套餐类型

调整

接口（V

DD

, V

DDQ

)

银行

1.三星内存：K

8.修订

M

A

B

C

D

E

F

H

:

第一将军

:

第二届创

:

第三将军

:

第四将军

:

第五将军

:

第六届将军

:

第七代

:

第9代

J

:

第11届创

K

:

第12代

N

:

14根

2. DRAM ： 4

3.产品

S

:

SDRAM

4.密度&刷新

16

:

16MB， 4K / 64ms的

64

:

64MB， 4K / 64ms的

28

:

128MB， 4K / 64ms的

56

:

256MB， 8K / 64ms的

51

:

512MB， 8K / 64ms的

5.组织

04

:

06

:

07

:

08

:

16

:

32

:

6.银行

2

:

2银行

3

:

4银行

x4

×4栈（ Flex的帧）

×8堆栈（ Flex的帧）

x8

x16

x32

9.包装类型

U

:

TSOP II （无铅）

*1

T

:

TSOP II

V

:

sTSOP II （无铅）

*1

N

:

sTSOP II

L

:

TSOP II （无铅&无卤）

*1

注1：所有无铅和无卤素产品是

符合ROHS

10.温度&电源

C

:

商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &普通电源

L

:

商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &低功耗

I

:

工业温度（ -40 ° C 85°C ） &普通电源

P

:

工业温度（ -40 ° C 85°C ） &低功耗

11.速度（默认CL = 3 ）

75

:

7.5ns ， PC133 （ 133MHz的CL = 3 ）

60

:

6.0ns （ 166MHz的CL = 3 ）

50

:

5.0ns （ 200MHz的CL = 3）的

7.接口（V

DD

, V

DDQ

)

2

:

LVTTL （ 3.3V ， 3.3V ）

2007年11月

一般信息

B. SDRAM组件产品指南

密度

银行

产品型号

K4S640832K

64MB K-模

4Banks

K4S641632K

K4S640832N

64MB N-二模

4Banks

K4S641632N

K4S280432I

128MB I-模

4Banks

K4S280832I

K4S281632I

K4S280432K

128MB K-模

4Banks

K4S280832K

K4S281632K

K4S560432H

256MB H-模

4Banks

K4S560832H

K4S561632H

K4S560432J

256Mb的J-模

4Banks

K4S560832J

K4S561632J

K4S510432D

512MB D-死

4Banks

K4S510832D

K4S511632D

注1 ：

U： TSOP （ II ） （无铅）

L： TSOP （ II ） （无铅&无卤）

注2 ：

温度和功率

C

L

描述

温度，正常功耗

温度，低功耗

包

*1

＆放大器;电源

*2

＆放大器;

速度

*3

UC75

UL75

UC50/C60/C75

UL50/L60/L75

LC75

LL75

LC50/C60/C75

LL50/L60/L75

UC75

UL75

UC75

UL75

UC60/C75

UL60/L75

U

*4

C75

UL75

UC75

UL75

UC60/C75

UL60/L75

UC75

UL75

UC75

UL75

UC60/C75

UL60/L75

U

*4

C75

UL75

UC75

UL75

UC60/C75

UL60/L75

UC75

UL75

UC75

UL75

UC75

UL75

组织。

8M ×8

LVTTL

4M ×16

8M ×8

LVTTL

4M ×16

32M ×4

16M ×8

8M ×16

32M ×4

16M ×8

8M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

64M ×4

32M ×8

16M ×16

128M ×4

64M ×8

32M ×16

LVTTL

8K/64ms

3.3

±

0.3V

LVTTL

8K/64ms

3.3

±

0.3V

LVTTL

8K/64ms

3.3

±

0.3V

LVTTL

4K/64ms

3.3

±

0.3V

LVTTL

4K/64ms

3.3

±

0.3V

4K/64ms

3.3

±

0.3V

4K/64ms

3.3

±

0.3V

接口

刷新

电源（ V）

包

SDRAM

无济于事。

无铅54pin TSOP （ II ）

EOL

十二月'08

无铅&卤素 -

免费

54pin TSOP （II）的

4Q’07

CS

无铅54pin TSOP （ II ）

EOL

八月'08

无铅&卤素 -

免费

54pin TSOP （II）的

*4

NOW

无铅54pin TSOP （ II ）

EOL

九月'08

无铅&卤素 -

免费

54pin TSOP （II）的

*4

NOW

无铅54pin TSOP （ II ）

NOW

注3 ：

速度

75

60

50

描述

7.5ns ， PC133 （ 133Mhz的@ CL = 3 ）

6.0纳秒（ 166MHZ @ CL = 3 ）

5.0纳秒（ 200Mhz的@ CL = 3 ）

*所有的产品都与PC100的向后兼容性。

- 商用温度（0°C <钽< 70 ° C）

注4 ：128MB K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）

2007年11月

一般信息

C.

工业温度

SDRAM组件产品指南

密度

64Mb

K-模

64Mb

N-二模

128Mb

I-死

128Mb

K-模

256Mb

H-模

256Mb

J-模

银行

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

4Banks

产品型号

KS641632K

KS641632N

K4S281632I

K4S281632K

K4S561632H

K4S561632J

包

*1

＆放大器;电源

*2

&速度

*3

UI60/I75

UP60/P75

LI60/I75

LP60/P75

UI60/I75

UP60/P75

U

*4

I60/I75

UP60/P75

UI60/I75

UP60/P75

U

*4

I60/I75

UP60/P75

组织。

4M ×16

4M ×16

8M ×16

8M ×16

16M ×16

16M ×16

接口

LVTTL

LVTTL

LVTTL

LVTTL

LVTTL

LVTTL

刷新

4K/64ms

4K/64ms

4K/64ms

4K/64ms

8K/64ms

8K/64ms

电源（ V）

3.3

±

0.3V

3.3

±

0.3V

3.3

±

0.3V

3.3

±

0.3V

3.3

±

0.3V

3.3

±

0.3V

包

SDRAM

无济于事。

EOL

DEC.’08

1Q’08

EOL

AUG.’08

NOW

EOL

SEP.’08

NOW

无铅54pin TSOP （ II ）

无铅&无卤

54pin TSOP （II）的

无铅54pin TSOP （ II ）

无铅&无卤

54pin TSOP （II）的

*4

无铅54pin TSOP （ II ）

无铅&无卤

54pin TSOP （II）的

*4

注1 ：

U： TSOP （ II ） （无铅）

L： TSOP （ II ） （无铅&无卤）

注2 ：

温度和功率

I

P

描述

工业级温度，正常功耗

工业级温度，低功耗

注3 ：

速度

75

60

50

描述

7.5ns ， PC133 （ 133Mhz的@ CL = 3 ）

6.0纳秒（ 166MHZ @ CL = 3 ）

5.0纳秒（ 200Mhz的@ CL = 3 ）

- 工业温度（ -40°C <钽< 85°C ）

注4 ：128MB K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）

2007年11月

一般信息

D. SDRAM模块订购信息

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

SDRAM

米乘X个S X X X X X X X - X X X

内存模块

DIMM配置

数据位

特征

深度

刷新， ＃银行的比较。 &接口

速度

动力

PCB版本&类型

包

组件版本

组成成分

1.内存模块：M

7.组成成分

0

3

4

8

9

:

:

:

:

:

x4

x8

x16

×4栈（ Flexframe ）

×8堆栈（ Flexframe ）

2. DIMM配置

3

:

DIMM

4

:

SODIMM

3.数据位

63 : x63

PC100 / PC133

μSODIMM

与SPD为144pin

64 : x64

PC100 / PC133 SODIMM

与SPD为144pin （英特尔/ JEDEC ）

66 : x64

无缓冲DIMM

与SPD为144pin / 168PIN （英特尔/ JEDEC ）

74 : x72

/ ECC无缓冲DIMM

与SPD为168PIN （英特尔/ JEDEC ）

77 : x72

/ ECC PLL +注册DIMM

与SPD为168PIN （英特尔PC100 ）

90 : x72

/ ECC PLL +注册DIMM

与SPD为168PIN （ JEDEC PC133 ）

4.功能

S

:

SDRAM

5.深度

16

:

16M

32

:

32M

64

:

64M

28

:

128M

56

:

256M

09

17

33

65

29

59

:

8M （为128MB / 512MB的）

:

16M （为128MB / 512MB的）

:

32M （为128MB / 512MB的）

:

64M （为128MB / 512MB的）

:

128M （为128MB / 512MB的）

:

256M （为128MB / 512MB的）

8.组件版本

M

B

D

F

J

:

第一将军

:

第三将军

:

第五将军

:

7将军

:

11H将军

A

C

E

H

:

:

:

:

第二届创

第四将军

第六届将军

9H将军

9.包

T

N

U

V

:

:

:

:

TSOP （II）的

(400mil)

sTSOP （II）的

(400mil)

TSOP （ II ），无铅（ 400mil ）

sTSOP （ II ）无铅（ 400mil ）

10. PCB版本&类型

0

:

母亲PCB

2

:

第二个版本

U

:

薄型DIMM

1

:

第一个版本

3

:

第3版本

S

:

4Layer PCB 。

11.电源

C

:

商业师范大学

L

:

商用低

( 0°C ~ 70°C)

( 0°C ~ 70°C)

6.刷新，在补偿＃银行。 &接口

2

:

5

:

4K / 64ms的参考， 4Banks & LVTTL

8K / 64ms的参考， 4Banks & LVTTL

12.速度（默认CL = 3 ）

7A

:

PC133 （ 133MHz的CL = 3 / PC100 CL2 ）

2007年11月