K4S511633C-YL/N/P
CMOS SDRAM
32Mx16
移动SDRAM
54CSP 1 / CS
（ VDD / VDDQ 3.0V / 3.0V和3.3V / 3.3V ）
修订版1.2
2002年12月
修订版1.2 2002年12月
K4S511633C-YL/N/P
8M X 16Bit的×4银行移动SDRAM
特点
3.0V电源
LVCMOS兼容复用的地址
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 1 & 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
1 / CS支持。
商业操作温度（ -25 ° C 70
°C).
扩展温度操作（ -25 ° C 85°C ） 。
工业温度操作（ -40 ° C 85°C ） 。
54balls DDP CSP
K4S511633C-YL/N80
K4S511633C-YL/N1H
K4S511633C-YL/N1L
CMOS SDRAM
概述
该K4S511633C是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 8,388,608字由16位，
制造与三星的高性能CMOS技术。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品型号
最大频率。
125MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
54 CSP
接口
包
- YN ：低功耗，工作温度： -25 ° C 85
°C.
- YL ：低功耗，工作温度： -25 ° C 70
°C.
- YP ：低功耗，工作温度： -40
°C
~ 85
°C.
注意：
1.对于33MHz的频率， CL1可以得到支持。
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
8M ×16
SENSE AMP
8M ×16
8M ×16
8M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
通知。
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
修订版1.2 2002年12月
K4S511633C-YL/N/P
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
D D
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
O u那样牛逼
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
=商用，扩展和工业）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
D D
V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
2.7
2.7
2.2
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.0
3.0
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
DDQ
+0.3
0.5
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值）= 5.3V交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
时钟
(V
DD
= 3.0V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
最大
9.0
9.0
4.5
9.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
记
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE
DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
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CMOS SDRAM
32Mx16
移动SDRAM
54CSP 1 / CS
（ VDD / VDDQ 3.0V / 3.0V和3.3V / 3.3V ）
修订版1.2
2002年12月
修订版1.2 2002年12月
K4S511633C-YL/N/P
8M X 16Bit的×4银行移动SDRAM
特点
3.0V电源
LVCMOS兼容复用的地址
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 1 & 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
1 / CS支持。
商业操作温度（ -25 ° C 70
°C).
扩展温度操作（ -25 ° C 85°C ） 。
工业温度操作（ -40 ° C 85°C ） 。
54balls DDP CSP
K4S511633C-YL/N80
K4S511633C-YL/N1H
K4S511633C-YL/N1L
CMOS SDRAM
概述
该K4S511633C是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 8,388,608字由16位，
制造与三星的高性能CMOS技术。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能的存储系统
应用程序。
订购信息
产品型号
最大频率。
125MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
54 CSP
接口
包
- YN ：低功耗，工作温度： -25 ° C 85
°C.
- YL ：低功耗，工作温度： -25 ° C 70
°C.
- YP ：低功耗，工作温度： -40
°C
~ 85
°C.
注意：
1.对于33MHz的频率， CL1可以得到支持。
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
8M ×16
SENSE AMP
8M ×16
8M ×16
8M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
通知。
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
修订版1.2 2002年12月
K4S511633C-YL/N/P
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
D D
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
O u那样牛逼
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
=商用，扩展和工业）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
D D
V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
2.7
2.7
2.2
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.0
3.0
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
3.6
V
DDQ
+0.3
0.5
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大值）= 5.3V交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ 。
电容
时钟
(V
DD
= 3.0V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=0.9V
±
50毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
IN
C
添加
C
OUT
民
3.0
3.0
1.5
3.0
3.0
最大
9.0
9.0
4.5
9.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
记
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE
DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
修订版1.2 2002年12月
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