K4S511632C
CMOS SDRAM
DDP的512M SDRAM
8M X 16位×4银行
同步DRAM
LVTTL
修订版0.1
2001年9月
三星不得要约出售或直接或通过与第三方的代理销售两种，而且包括DRAM内存产品"Multi ，模具
塑料DRAM"用作一般的和科学的计算机组件，例如，以举例的方式，大型机，服务器，工作站
或台式计算机的前三年任期五年本许可的。本文中没有限制三星的使用权多芯片
在其他产品或根据paragrangh其他应用，如移动，电信或非计算机应用塑料的DRAM （其包括
作为例子，膝上型或笔记本电脑，移动电话，电视机或视频监视器方式）
违反可能会受到客户的合法要求，并排除任何保证不受侵害，从Samsung."
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
K4S511632C
8M X 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
产品型号
K4S511632C-KC/L7C
K4S511632C-KC/L75
K4S511632C-KC/L1H
K4S511632C-KC/L1L
CMOS SDRAM
概述
该K4S511632C是536870912位同步的高数据速率
由16位组织成4× 8,392,608words动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。同步
异步的设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能的存储系统，应用程序
阳离子。
订购信息
最大频率。
133MHz(CL=2)
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
54pin
TSOP （II）的
接口封装
功能框图
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
2× 4M ×16
SENSE AMP
2× 4M ×16
2× 4M ×16
2× 4M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
K4S511632C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
2
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
时钟
RAS ， CAS，WE ， DQM
地址， CS ， CKE
DQ
0
？ DQ
8
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
5.0
5.0
5.0
4.0
最大
9.0
10.0
10.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
记
REV 。 2001年九月0.1
K4S511632C
CMOS SDRAM
DDP的512M SDRAM
8M X 16位×4银行
同步DRAM
LVTTL
修订版0.1
2001年9月
三星不得要约出售或直接或通过与第三方的代理销售两种，而且包括DRAM内存产品"Multi ，模具
塑料DRAM"用作一般的和科学的计算机组件，例如，以举例的方式，大型机，服务器，工作站
或台式计算机的前三年任期五年本许可的。本文中没有限制三星的使用权多芯片
在其他产品或根据paragrangh其他应用，如移动，电信或非计算机应用塑料的DRAM （其包括
作为例子，膝上型或笔记本电脑，移动电话，电视机或视频监视器方式）
违反可能会受到客户的合法要求，并排除任何保证不受侵害，从Samsung."
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
K4S511632C
8M X 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
产品型号
K4S511632C-KC/L7C
K4S511632C-KC/L75
K4S511632C-KC/L1H
K4S511632C-KC/L1L
CMOS SDRAM
概述
该K4S511632C是536870912位同步的高数据速率
由16位组织成4× 8,392,608words动态RAM ， fabri-
cated与三星的高性能CMOS技术。同步
异步的设计允许与使用精确的周期控制
系统时钟的I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能的存储系统，应用程序
阳离子。
订购信息
最大频率。
133MHz(CL=2)
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
54pin
TSOP （II）的
接口封装
功能框图
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
2× 4M ×16
SENSE AMP
2× 4M ×16
2× 4M ×16
2× 4M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
REV 。 2001年九月0.1
K4S511632C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
2
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
时钟
RAS ， CAS，WE ， DQM
地址， CS ， CKE
DQ
0
？ DQ
8
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
5.0
5.0
5.0
4.0
最大
9.0
10.0
10.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
记
REV 。 2001年九月0.1
QQ：2881677436 复制
