【SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）CMOS SDRAM128Mb的电子芯】,IC型号K4S281632E-TC75,K4S281632E-TC75 PDF资料,K4S281632E-TC75经销商,ic,电子元器件-51电子网

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

128Mb的电子芯片SDRAM规格

修订版1.4

2004年2月

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

修订历史

版本1.0 （ 2002年11月）

- 第一次发布。

版本1.1 （ 2003年4月）

- X4 / X8 / X16合并规范。

版本1.2 （ 2003年5月）

- 删除-TC （L）的7C

版本1.3 （ 2004年1月）

- 从110毫安-> 140毫安修改ICC4目前支持x16

- 修正从0.8ns -> 1.0ns频率为166MHz tSH的。

版本1.4 （ 2004年2月）

- 修正错字。

CMOS SDRAM

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

8M X 4Bit的×4银行/ 4M X 8位×4银行/ 2米x 16Bit的×4银行SDRAM

特点

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

四家银行的操作

MRS循环地址重点项目

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有输入进行采样，系统时钟的正边沿。

突发读取单个位的写操作

DQM （ X4，X8 ） & L（ U） DQM （ X16 ）的屏蔽

自动&自我刷新

64ms的刷新周期（ 4K周期）

概述

该K4S280432E / K4S280832E / K4S281632E是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个

8388608字由4位/ 4× 4,194,304字由8位/ 4× 2,097,152字×16位，制造与三星的高perfor-

曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的

在每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备，以

针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

订购信息

产品型号

K4S280432E-TC(L)75

K4S280832E-TC(L)75

K4S281632E-TC(L)60/75

Orgainization

32M ×4

16M ×8

8M ×16

最大频率。

133MHz

166MHz

接口

LVTTL

包

54pin TSOP

组织

32Mx4

16Mx8

8Mx16

行地址

A0~A11

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

A0-A8

行&列地址的配置

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

包装物理尺寸

CMOS SDRAM

0~8°C

0.25

典型值

0.010

#54

#28

0.45~0.75

0.018~0.030

0.05

民

0.002

( 0.50 )

0.020

11.76±

0.20

0.463±

0.008

22.62

最大

0.891

22.22

0.875

0.10

最大

0.004

(

0.71

)

0.028

0.10

0.004

#27

0.21

0.008

0.05

0.002

1.00

0.039

0.10

0.004

0.30

-0.05

0.012

+0.004

-0.002

+0.10

0.80

0.0315

54Pin TSOP封装尺寸

修订版1.4日。 2004年

10.16

0.400

0.125

+0.075

-0.035

0.005

+0.003

-0.001

1.20

最大

0.047

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

功能框图

CMOS SDRAM

I / O控制

LWE

LDQM

数据输入寄存器

BANK SELECT

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

SENSE AMP

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

刷新计数器

输出缓冲器

行解码器

行缓冲区

DQI

地址寄存器

CLK

添加

列解码器

上校缓冲区

延迟&突发长度

LRAS

LCBR

LCKE

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

注册时间

编程注册

LWCBR

LDQM

CLK

CKE

RAS

CAS

L（ U） DQM

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

128Mb的电子芯片SDRAM规格

修订版1.4

2004年2月

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

修订历史

版本1.0 （ 2002年11月）

- 第一次发布。

版本1.1 （ 2003年4月）

- X4 / X8 / X16合并规范。

版本1.2 （ 2003年5月）

- 删除-TC （L）的7C

版本1.3 （ 2004年1月）

- 从110毫安-> 140毫安修改ICC4目前支持x16

- 修正从0.8ns -> 1.0ns频率为166MHz tSH的。

版本1.4 （ 2004年2月）

- 修正错字。

CMOS SDRAM

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

8M X 4Bit的×4银行/ 4M X 8位×4银行/ 2米x 16Bit的×4银行SDRAM

特点

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

四家银行的操作

MRS循环地址重点项目

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有输入进行采样，系统时钟的正边沿。

突发读取单个位的写操作

DQM （ X4，X8 ） & L（ U） DQM （ X16 ）的屏蔽

自动&自我刷新

64ms的刷新周期（ 4K周期）

概述

该K4S280432E / K4S280832E / K4S281632E是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个

8388608字由4位/ 4× 4,194,304字由8位/ 4× 2,097,152字×16位，制造与三星的高perfor-

曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的

在每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备，以

针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

订购信息

产品型号

K4S280432E-TC(L)75

K4S280832E-TC(L)75

K4S281632E-TC(L)60/75

Orgainization

32M ×4

16M ×8

8M ×16

最大频率。

133MHz

166MHz

接口

LVTTL

包

54pin TSOP

组织

32Mx4

16Mx8

8Mx16

行地址

A0~A11

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

A0-A8

行&列地址的配置

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

包装物理尺寸

CMOS SDRAM

0~8°C

0.25

典型值

0.010

#54

#28

0.45~0.75

0.018~0.030

0.05

民

0.002

( 0.50 )

0.020

11.76±

0.20

0.463±

0.008

22.62

最大

0.891

22.22

0.875

0.10

最大

0.004

(

0.71

)

0.028

0.10

0.004

#27

0.21

0.008

0.05

0.002

1.00

0.039

0.10

0.004

0.30

-0.05

0.012

+0.004

-0.002

+0.10

0.80

0.0315

54Pin TSOP封装尺寸

修订版1.4日。 2004年

10.16

0.400

0.125

+0.075

-0.035

0.005

+0.003

-0.001

1.20

最大

0.047

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

功能框图

CMOS SDRAM

I / O控制

LWE

LDQM

数据输入寄存器

BANK SELECT

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

SENSE AMP

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

刷新计数器

输出缓冲器

行解码器

行缓冲区

DQI

地址寄存器

CLK

添加

列解码器

上校缓冲区

延迟&突发长度

LRAS

LCBR

LCKE

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

注册时间

编程注册

LWCBR

LDQM

CLK

CKE

RAS

CAS

L（ U） DQM

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

128Mb的电子芯片SDRAM规格

修订版1.4

2004年2月

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

修订历史

版本1.0 （ 2002年11月）

- 第一次发布。

版本1.1 （ 2003年4月）

- X4 / X8 / X16合并规范。

版本1.2 （ 2003年5月）

- 删除-TC （L）的7C

版本1.3 （ 2004年1月）

- 从110毫安-> 140毫安修改ICC4目前支持x16

- 修正从0.8ns -> 1.0ns频率为166MHz tSH的。

版本1.4 （ 2004年2月）

- 修正错字。

CMOS SDRAM

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

8M X 4Bit的×4银行/ 4M X 8位×4银行/ 2米x 16Bit的×4银行SDRAM

特点

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

四家银行的操作

MRS循环地址重点项目

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有输入进行采样，系统时钟的正边沿。

突发读取单个位的写操作

DQM （ X4，X8 ） & L（ U） DQM （ X16 ）的屏蔽

自动&自我刷新

64ms的刷新周期（ 4K周期）

概述

该K4S280432E / K4S280832E / K4S281632E是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个

8388608字由4位/ 4× 4,194,304字由8位/ 4× 2,097,152字×16位，制造与三星的高perfor-

曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的

在每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备，以

针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

订购信息

产品型号

K4S280432E-TC(L)75

K4S280832E-TC(L)75

K4S281632E-TC(L)60/75

Orgainization

32M ×4

16M ×8

8M ×16

最大频率。

133MHz

166MHz

接口

LVTTL

包

54pin TSOP

组织

32Mx4

16Mx8

8Mx16

行地址

A0~A11

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

A0-A8

行&列地址的配置

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

包装物理尺寸

CMOS SDRAM

0~8°C

0.25

典型值

0.010

#54

#28

0.45~0.75

0.018~0.030

0.05

民

0.002

( 0.50 )

0.020

11.76±

0.20

0.463±

0.008

22.62

最大

0.891

22.22

0.875

0.10

最大

0.004

(

0.71

)

0.028

0.10

0.004

#27

0.21

0.008

0.05

0.002

1.00

0.039

0.10

0.004

0.30

-0.05

0.012

+0.004

-0.002

+0.10

0.80

0.0315

54Pin TSOP封装尺寸

修订版1.4日。 2004年

10.16

0.400

0.125

+0.075

-0.035

0.005

+0.003

-0.001

1.20

最大

0.047

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

功能框图

CMOS SDRAM

I / O控制

LWE

LDQM

数据输入寄存器

BANK SELECT

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

SENSE AMP

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

刷新计数器

输出缓冲器

行解码器

行缓冲区

DQI

地址寄存器

CLK

添加

列解码器

上校缓冲区

延迟&突发长度

LRAS

LCBR

LCKE

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

注册时间

编程注册

LWCBR

LDQM

CLK

CKE

RAS

CAS

L（ U） DQM

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

128Mb的电子芯片SDRAM规格

修订版1.4

2004年2月

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

修订历史

版本1.0 （ 2002年11月）

- 第一次发布。

版本1.1 （ 2003年4月）

- X4 / X8 / X16合并规范。

版本1.2 （ 2003年5月）

- 删除-TC （L）的7C

版本1.3 （ 2004年1月）

- 从110毫安-> 140毫安修改ICC4目前支持x16

- 修正从0.8ns -> 1.0ns频率为166MHz tSH的。

版本1.4 （ 2004年2月）

- 修正错字。

CMOS SDRAM

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

CMOS SDRAM

8M X 4Bit的×4银行/ 4M X 8位×4银行/ 2米x 16Bit的×4银行SDRAM

特点

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

四家银行的操作

MRS循环地址重点项目

- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有输入进行采样，系统时钟的正边沿。

突发读取单个位的写操作

DQM （ X4，X8 ） & L（ U） DQM （ X16 ）的屏蔽

自动&自我刷新

64ms的刷新周期（ 4K周期）

概述

该K4S280432E / K4S280832E / K4S281632E是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个

8388608字由4位/ 4× 4,194,304字由8位/ 4× 2,097,152字×16位，制造与三星的高perfor-

曼斯CMOS技术。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的

在每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许在同一台设备，以

针对各种不同的高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。

订购信息

产品型号

K4S280432E-TC(L)75

K4S280832E-TC(L)75

K4S281632E-TC(L)60/75

Orgainization

32M ×4

16M ×8

8M ×16

最大频率。

133MHz

166MHz

接口

LVTTL

包

54pin TSOP

组织

32Mx4

16Mx8

8Mx16

行地址

A0~A11

列地址

A0-A9, A11

A0-A9

A0-A8

行&列地址的配置

修订版1.4日。 2004年

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

包装物理尺寸

CMOS SDRAM

0~8°C

0.25

典型值

0.010

#54

#28

0.45~0.75

0.018~0.030

0.05

民

0.002

( 0.50 )

0.020

11.76±

0.20

0.463±

0.008

22.62

最大

0.891

22.22

0.875

0.10

最大

0.004

(

0.71

)

0.028

0.10

0.004

#27

0.21

0.008

0.05

0.002

1.00

0.039

0.10

0.004

0.30

-0.05

0.012

+0.004

-0.002

+0.10

0.80

0.0315

54Pin TSOP封装尺寸

修订版1.4日。 2004年

10.16

0.400

0.125

+0.075

-0.035

0.005

+0.003

-0.001

1.20

最大

0.047

SDRAM 128Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）

功能框图

CMOS SDRAM

I / O控制

LWE

LDQM

数据输入寄存器

BANK SELECT

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

SENSE AMP

8M ×4 / 4M ×8 / 2M ×16

刷新计数器

输出缓冲器

行解码器

行缓冲区

DQI

地址寄存器

CLK

添加

列解码器

上校缓冲区

延迟&突发长度

LRAS

LCBR

LCKE

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

注册时间

编程注册

LWCBR

LDQM

CLK

CKE

RAS

CAS

L（ U） DQM

*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。

修订版1.4日。 2004年