K4S281632C-TI(P)
2米x 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
工业温度操作（ - 40 85
°C)
CMOS SDRAM
概述
该K4S281632C是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字16
位，制造与三星的高性能CMOS
技术。同步设计，可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编
竹叶提取脉冲串长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S281632C-TI/P75
K4S281632C-TI/P1H
K4S281632C-TI/P1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
接口封装
54
TSOP （II）的
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
2M ×16
2M ×16
2M ×16
2M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
LRAS
LCBR
延迟&突发长度
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版0.1 2001年6月
K4S281632C-TI(P)
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
S T摹
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T = -40 85
°C
)
A
符号
V
D D
, V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
I H
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
,
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
时钟
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
记
1
2
2
3
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
注意事项：
1. -75唯一指定的3.5pF的最大值
2. -75只指定3.8pF的最大值
3. -75只指定6.0pF的最大值
修订版0.1 2001年6月
K4S281632C-TI(P)
2米x 16Bit的×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
工业温度操作（ - 40 85
°C)
CMOS SDRAM
概述
该K4S281632C是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字16
位，制造与三星的高性能CMOS
技术。同步设计，可以精确控制周期
通过使用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编
竹叶提取脉冲串长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S281632C-TI/P75
K4S281632C-TI/P1H
K4S281632C-TI/P1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
接口封装
54
TSOP （II）的
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
2M ×16
2M ×16
2M ×16
2M ×16
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
LRAS
LCBR
延迟&突发长度
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版0.1 2001年6月
K4S281632C-TI(P)
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
I N
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
S T摹
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T = -40 85
°C
)
A
符号
V
D D
, V
DDQ
V
I H
V
IL
V
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
I H
（最大值） = 5.6V AC.The过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
,
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
时钟
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
5.0
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
记
1
2
2
3
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
Q
0
？ DQ
15
注意事项：
1. -75唯一指定的3.5pF的最大值
2. -75只指定3.8pF的最大值
3. -75只指定6.0pF的最大值
修订版0.1 2001年6月
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