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SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
CMOS SDRAM
16MB H- SDRAM芯片规格
修订版1.5
2004年8月
三星电子公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
修订历史
版本0.0 （ 2003年5月）
- 目标规范发布。
版本0.1 （ 2003年10月）
- 修正TRDL从1CLK到2CLK 。
版本0.2 （ 2003年10月）
- 删除AC参数注5 。
版本0.3 （ 2003年10月）
- 修正TRDL &删除的速度为200MHz 。
版本1.0 （ 2003年11月）
- 修订版1.0规范。释放。
版本1.1 （ 2003年12月）
- 修正了PKG维度。
版本1.2 （ 2004年1月）
- 删除-10 （为10ns ）的速度。
- 修正负荷上限50pF的-> 30pF的。
- 改进的直流电流。
版本1.3 （ 2004年1月）
- 修正错字
版本1.4 （ 2004年5月）
- 补充说明8.造句TRDL参数。
CMOS SDRAM
版本1.5 （ 2004年8月）
- 在AC特性改进的CLK周期时间（ TCC ）的参数。
（如果你想使用的CL = 2不CL = 3 ，最高工作频率为100MHz ，无论其速度仓）。
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
512K X 16位的电脑×2组SDRAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
两家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
CMOS SDRAM
概述
该K4S161622H是16777216位同步的高数据速率动态随机存储器组织成2× 524,288字（16位） ，制造
与三星的高性能CMOS技术。同步设计允许使用系统时钟I精确的周期控制/
O事务是可能在每个时钟周期。工作频率，可编程突发长度和可编程laten-范围
连锁商店允许在同一设备来对各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
订购信息
产品型号
K4S161622H-TC55
K4S161622H-TC60
K4S161622H-TC70
K4S161622H-TC80
最大频率。
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
LVTTL
50pin
TSOP （II）的
接口
包
组织
1Mx16
行地址
A0~A10
列地址
A0-A7
行&列地址的配置
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
包装物理尺寸
CMOS SDRAM
0~8°
11.76±
0.20
10.16
±
0.10
(0.50)
(10.76)
#50
#26
0.25 （典型值）
#1
#25
0.125
+0.075
-0.035
20.95
±
0.10
1.20MAX
1.00
±
0.10
0.10MAX
[
0.075MAX
]
(0.875)
0.30
+0.10
-0.05
0.35
+0.10
-0.05
0.80TYP
[0.80±0.08]
0.05MIN
50PIN TSOP （ II ）包装尺寸
修订版1.5 2004年8月
(0.50)
11.76
±
0.20
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
功能框图
CMOS SDRAM
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
512K ×16
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
512K ×16
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L（ U） DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
CMOS SDRAM
16MB H- SDRAM芯片规格
修订版1.5
2004年8月
三星电子公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
修订历史
版本0.0 （ 2003年5月）
- 目标规范发布。
版本0.1 （ 2003年10月）
- 修正TRDL从1CLK到2CLK 。
版本0.2 （ 2003年10月）
- 删除AC参数注5 。
版本0.3 （ 2003年10月）
- 修正TRDL &删除的速度为200MHz 。
版本1.0 （ 2003年11月）
- 修订版1.0规范。释放。
版本1.1 （ 2003年12月）
- 修正了PKG维度。
版本1.2 （ 2004年1月）
- 删除-10 （为10ns ）的速度。
- 修正负荷上限50pF的-> 30pF的。
- 改进的直流电流。
版本1.3 （ 2004年1月）
- 修正错字
版本1.4 （ 2004年5月）
- 补充说明8.造句TRDL参数。
CMOS SDRAM
版本1.5 （ 2004年8月）
- 在AC特性改进的CLK周期时间（ TCC ）的参数。
（如果你想使用的CL = 2不CL = 3 ，最高工作频率为100MHz ，无论其速度仓）。
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
512K X 16位的电脑×2组SDRAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
两家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
CMOS SDRAM
概述
该K4S161622H是16777216位同步的高数据速率动态随机存储器组织成2× 524,288字（16位） ，制造
与三星的高性能CMOS技术。同步设计允许使用系统时钟I精确的周期控制/
O事务是可能在每个时钟周期。工作频率，可编程突发长度和可编程laten-范围
连锁商店允许在同一设备来对各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
订购信息
产品型号
K4S161622H-TC55
K4S161622H-TC60
K4S161622H-TC70
K4S161622H-TC80
最大频率。
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
LVTTL
50pin
TSOP （II）的
接口
包
组织
1Mx16
行地址
A0~A10
列地址
A0-A7
行&列地址的配置
修订版1.5 2004年8月
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
包装物理尺寸
CMOS SDRAM
0~8°
11.76±
0.20
10.16
±
0.10
(0.50)
(10.76)
#50
#26
0.25 （典型值）
#1
#25
0.125
+0.075
-0.035
20.95
±
0.10
1.20MAX
1.00
±
0.10
0.10MAX
[
0.075MAX
]
(0.875)
0.30
+0.10
-0.05
0.35
+0.10
-0.05
0.80TYP
[0.80±0.08]
0.05MIN
50PIN TSOP （ II ）包装尺寸
修订版1.5 2004年8月
(0.50)
11.76
±
0.20
SDRAM 16Mb的H-模具（ X16 ）
功能框图
CMOS SDRAM
I / O控制
LWE
LDQM
数据输入寄存器
BANK SELECT
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
512K ×16
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
512K ×16
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
注册时间
编程注册
LWCBR
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L（ U） DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
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