K4R271669B/K4R441869B
直接RDRAM
128 / 144Mbit的RDRAM （B-模）
256K X 16/18位x 32S银行
直接RDRAM
TM
1.11版本
2000年10月
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版本1.11 2000年10月
K4R271669B/K4R441869B
更改历史记录
版本1.11 （ 2000年10月） - 初步
*根据Rambus公司1.11ver 。 128 / 144Mbit （ 32S银行） RDRAM的数据表。
直接RDRAM
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版本1.11 2000年10月
K4R271669B/K4R441869B
概观
Rambus公司的RDRAM直接是一种通用的高
适合于在广泛的使用性能存储装置
的应用，包括计算机存储器，图形范围
视频和任何其他应用程序，其中高带宽和
低等待时间是必需的。
该一百四十四分之一百二十八兆位直接Rambus公司的DRAM （ RDRAM ）是
超高速CMOS DRAM的组织为8M
字由16或18位。采用RAMBUS信号电平的
（ RSL ）技术允许600MHz至800MHz的传输
而使用传统的系统和电路板设计速度
技术。直接RDRAM的设备能够
每两个字节1.25 ns的持续数据传输（每10ns的
16个字节）。
对了Direct RDRAM的结构允许的最高
持续的带宽为多，同时随机
寻址的存储器事务。单独的控制和
数据总线具有独立的行和列控产量
95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32银行
最多支持四个同步交易。
体系化的特点为移动，图形和大
存储系统包括电源管理，字节屏蔽，
和X18组织。在×18的2位数据组织
灰是通用的，可用于额外的存储和
带宽或进行纠错。
直接RDRAM
三星
050
K4Rxxxx69B-Nxxx
三星050
K4Rxxxx69B-Mxxx
M
一。普通包装
B 。镜像包
图1 ：直接RDRAM CSP封装
该一百四十四分之一百二十八兆位了Direct RDRAM提供的CSP
横向封装，适合台式机和低端
简介附加卡和移动应用。
关键时序参数/部件号
速度
组织
箱子
256Kx16x32s
a
-CK8
-CK7
-CG6
256Kx18x32s
a
-CK8
-CK7
-CG6
I / O
频率。
兆赫
800
711
600
800
711
600
t
RAC
（行
ACCESS
时间） NS
45
45
53.3
45
45
53.3
产品型号
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
K4R271669B-N
b
（M ）C
c
K8
K4R271669B-N(M)CK7
K4R271669B-N(M)CG6
K4R441869B-N(M)CK8
K4R441869B-N(M)CK7
K4R441869B-N(M)CG6
- 1.6GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列控制总线的
简单的调度和最高性能
- 32银行：四笔交易可以发生simul-
taneously全带宽的数据传输速率
低延迟特性
。一个“ 32S ” - 32银行的使用
“分裂”
银行建筑。
。 B“ N” - 正常的包，
“M”
- 镜像包。
C“ C” - RDRAM核心采用普通电源自刷新。
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理：
- 直接RDRAM从2.5伏电源供电
- 多种低功耗状态可在电源的灵活性
消费随时间转变到激活状态
- 掉电自刷新
组织： 1K字节页和32的银行中，x 16/18
- X18组织允许ECC配置或
增加了存储/带宽
- x16组织的低成本应用
采用RAMBUS信号级（ RSL）的高达800MHz
手术
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K4R271669B/K4R441869B
引脚排列及定义
中心键合设备
这些表显示的中心键合的引脚分配
RDRAM包。顶部的表是在正常的包，
直接RDRAM
和底部表是用于镜像包。该mechan-
这个包的iCal的尺寸显示在后面的章节。
请参阅第"Center保税UBGA Package"页
18.
b.
顶部标记
例如正常的包
表1-1：一。中心键合设备（顶视图为正常包）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
ROW
COL
GND
VDD
VDD
GND
SCK
Vcmos
DQA8*
DQA6
GND
DQA3
DQA1
VDD
DQA0
VREF
GND
CTMN
RQ7
GND
CTM
RQ1
VDD
RQ4
DQB2
GND
RQ0
DQB6
GND
DQB3
SIO0
Vcmos
DQB8*
DQA7
GND
CMD
DQA4
VDD
DQA5
CFM
GND
DQA2
CFMN
GNDA
VDDA
RQ5
VDD
RQ6
RQ3
GND
RQ2
DQB0
VDD
DQB1
DQB4
VDD
DQB5
DQB7
GND
SIO1
GND
VDD
VDD
GND
三星050
K4Rxxxx69B-Nxxx
对于普通封装，引脚1 （第1行， COL A）是
位于上侧和A1在A1的位置
位置标记由标记
“ “.
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
J
芯片
表1-2 ：一。中心键合设备（顶视图为镜像包）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
ROW
COL
GND
VDD
VDD
GND
CMD
GND
DQA7
DQA5
VDD
DQA4
DQA2
GND
CFM
VDDA
GNDA
CFMN
RQ6
VDD
RQ5
RQ2
GND
RQ3
DQB1
VDD
DQB0
DQB5
VDD
DQB4
SIO1
GND
DQB7
DQA8*
Vcmos
SCK
DQA3
GND
DQA6
DQA0
VDD
DQA1
CTMN
GND
VREF
CTM
GND
RQ7
RQ4
VDD
RQ1
RQ0
GND
DQB2
DQB3
GND
DQB6
DQB8*
Vcmos
SIO0
GND
VDD
VDD
GND
* DQA8 / DQB8只是用于144MB RDRAM 。
这两个引脚是NC （无连接）的128Mb的
RDRAM 。
B 。热门标记的例子
镜像包
三星050
K4Rxxxx69B-Mxxx
M
A
B
C
D
E
F
G
H
J
对于镜像封装，引脚1 （第1行， COL A）是
位于上侧和A1在A1位式
位置的标志是字母
“M“.
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表2 ：引脚说明
信号
SIO1,SIO0
I / O
I / O
TYPE
CMOS
a
CMOS
a
排名第
引脚
2
描述
直接RDRAM
串行输入/输出。引脚用于读取和写入控制寄存器
使用串行访问协议字符。也可用于电源管理。
指令输入。配合使用SIO0和SIO1用于读取标签
从和写入到控制寄存器。也可用于电源管理
换货。
串行时钟输入。用于读取和写入到所述时钟源
控制寄存器
电源电压的RDRAM芯和接口逻辑。
电源电压为RDRAM模拟电路。
电源电压CMOS输入/输出引脚。
对RDRAM的核心和接口的参考地。
对RDRAM的模拟电路的参考地。
数据字节A.九个管脚携带的读取或写入的数据之间的字节
通道和RDRAM 。 DQA8不使用（无连接）由
RDRAMs与x16组织。
时钟的主。接口时钟用于从接收信号RSL
海峡。正极性。
时钟的主。接口时钟用于从接收信号RSL
海峡。负极性
逻辑阈值的参考电压信号RSL
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。负极性。
时钟掌握。接口时钟用于发送的RSL信号到
通道。正极性。
行访问控制。三个引脚包含控制和地址信息
重刑行的访问。
列访问控制。五个引脚包含控制和地址信息
重刑列的访问。
数据字节B.九个管脚携带的读取或写入的数据之间的字节
通道和RDRAM 。 DQB8不使用（无连接）由
RDRAMs与x16组织。
CMD
I
1
SCK
I
CMOS
a
1
V
DD
V
DDA
V
CMOS
GND
GNDA
DQA8..DQA0
I / O
RSL
b
10
1
2
13
1
9
CFM
I
RSL
b
RSL
b
1
CFMN
I
1
V
REF
CTMN
I
RSL
b
RSL
b
RSL
b
RSL
b
RSL
b
1
1
CTM
I
1
RQ7..RQ5或
ROW2..ROW0
RQ4..RQ0或
COL4..COL0
DQB8..
DQB0
I
3
I
5
I / O
9
每包的总针数
62
一。所有CMOS信号是高真;高电压是逻辑1和低电压是逻辑零。
B 。所有RSL信号是低电平有效;低电压为逻辑1和高电压是逻辑零。
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