K4M563233E - M（ E） E / N / G / C / L / F
2米x 32位×4银行移动SDRAM的90FBGA
特点
3.0V & 3.3V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 4K周期） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
扩展温度操作（ -25 ° C 85°C ） 。
2Chips DDP 90Balls FBGA封装，具有0.8mm焊球间距
（ -MXXX ：含铅， -EXXX ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4M563233E是268435456位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4M563233E-M(E)E/N/G/C/L/F75
K4M563233E-M(E)E/N/G/C/L/F80
K4M563233E-M(E)E/N/G/C/L/F1H
K4M563233E-M(E)E/N/G/C/L/F1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
125MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
90 FBGA
有铅（无铅）
接口
包
- M（ E） E / N / G：普通/低/低功耗，宽温（ -25 ° C 85°C ）
- M（ E） C / L / F ：普通/低/低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星不得要约出售或直接或通过与第三方的代理销售两种，而且包括DRAM内存产品"Multi ，塑料模具
DRAM"用作一般的和科学的计算机部件，例如，通过例如，大型机，服务器，工作站或台式方式
电脑的前三年任期五年本许可的。本文中没有限制三星的使用权在其他多芯片DRAM塑料
产品或根据paragrangh其中包括例如笔记本电脑或其他方式应用，如移动，电信或非计算机应用（
笔记本电脑，移动电话，电视机或视频监视器）
违反可能会受到客户的合法要求，并排除任何保证不受侵害，从Samsung."
3.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
2004年2月
QQ：2881677436 复制
