DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
DDR SDRAM
256Mb的E-死DDR SDRAM规格
66 TSOP -II
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修订版1.3日。 2005年
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
256Mb的E-死修订历史
版本1.0 （ 2003年4月）
- 第一次发布。
版本1.1 （ 2003年8月）
- 修正错字。
Revision1.2 （10月， 2004）
- 修正错字。
Revision1.3 （ 2005年4月）
- 增加了通知，并纠正错字。
DDR SDRAM
修订版1.3日。 2005年
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
主要特点
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通（ DQS ）
四家银行的操作
差分时钟输入（ CK和CK ）
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟2 ， 2.5 （时钟）
- 。突发长度（ 2，4， 8）
- 。突发类型（顺序&交错）
除数据& DM所有输入进行采样，系统时钟的正边沿（CK）
数据I /数据选通信号的两边O事务
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
DM为只写屏蔽（ X4，X8 ）
自动&自我刷新
7.8us刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）
最大连拍数量刷新周期： 8
66pin TSOP II封装
DDR SDRAM
订购信息
产品型号
K4H560438E-TC/LB3
K4H560438E-TC/LAA
K4H560438E-TC/LA2
K4H560438E-TC/LB0
K4H560838E-TC/LB3
K4H560838E-TC/LAA
K4H560838E-TC/LA2
K4H560838E-TC/LB0
32M ×8
64M ×4
组织。
最大频率。
B3(DDR333@CL=2.5)
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
B3(DDR333@CL=2.5)
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
SSTL2
66pin TSOP II
SSTL2
66pin TSOP II
接口
包
工作频率
B3(DDR333@CL=2.5)
速度@ CL2
速度@ CL2.5
* CL ： CAS延迟
133MHz
166MHz
AA(DDR266@CL=2.0)
133MHz
133MHz
A2(DDR266@CL=2.0)
133MHz
133MHz
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
修订版1.3日。 2005年
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
引脚说明
DDR SDRAM
32MB ×8
64MB ×4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
（ 400mil X 875mil ）
（ 0.65毫米引脚间距）
银行地址
BA0~BA1
自动预充电
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
256MB TSOPII封装引脚
组织
64Mx4
32Mx8
行地址
A0~A12
A0~A12
列地址
A0-A9, A11
A0-A9
DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。
行&列地址的配置
修订版1.3日。 2005年
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
包装物理尺寸
DDR SDRAM
单位：毫米
(0.80)
(0.50)
(10×)
(10×)
0.125
+0.075
-0.035
(0.50)
0×~8×
(R
0.2
5
)
#66
#34
10.16±0.10
(1.50)
#1
(1.50)
#33
0.665±0.05
0.210±0.05
(0.80)
0.
15
)
0.05分钟
(0.71)
0.65TYP
0.65±0.08
0.30±0.08
(10×)
0.10最大
[
0.075 MAX]
记
1. (
）为参考
2. [
] IS总成素质
(R
66pin TSOPII /包尺寸
修订版1.3日。 2005年
(R
0.
25
)
(4
×
)
(R
0.1
5)
(10×)
1.20MAX
22.22±0.10
1.00±0.10
0.25TYP
0.45~0.75
11.76±0.20
(10.16)
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