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DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
DDR SDRAM
256Mb的E-死DDR SDRAM规格
60Ball FBGA ( X4 / X8 )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者类似用途
应用在生活中还是个人或人身伤害,或任何军事损失的产品故障或couldresult
国防应用,或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
, 2005年修订版1.3月
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
256Mb的E-死修订历史
版本1.0 ( 2003年6月)
- 首次发行
版本1.1 ( 2003年8月)
- 修正错字
Revision1.2 (10月, 2004)
- 修正错字。
Revision1.3 ( 2005年4月)
- 增加了通知,并纠正错字。
DDR SDRAM
, 2005年修订版1.3月
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
主要特点
双数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据传输
双向数据选通
[ DQ ] ( X4,X8 )
四家银行的操作
差分时钟输入( CK和CK )
DLL对齐DQ和DQS与CK过渡转型
MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟2 , 2.5 (时钟)
- 。突发长度( 2,4, 8)
- 。突发类型(顺序&交错)
除数据& DM所有输入进行采样,系统时钟的正边沿(CK)
数据I /数据选通信号的两边O事务
边沿对齐的数据输出,居中对齐数据输入
DM为只写屏蔽( X4,X8 )
自动&自我刷新
7.8us刷新间隔( 8K / 64ms的刷新)
最大连拍数量刷新周期: 8
60Ball FBGA封装
DDR SDRAM
订购信息
产品型号
K4H560438E-GC/LB3
K4H560438E-GC/LA2
K4H560438E-GC/LB0
K4H560838E-GC/LB3
K4H560838E-GC/LA2
K4H560838E-GC/LB0
32M ×8
64M ×4
组织。
最大频率。
B3(DDR333@CL=2.5)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
B3(DDR333@CL=2.5)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
SSTL2
60 FBGA
SSTL2
60 FBGA
接口
工作频率
B3(DDR333@CL=2.5)
CL- tRCD的-TRP
速度@ CL2
速度@ CL2.5
2.5-3-3
133MHz
166MHz
A2(DDR266@CL=2)
2-3-3
133MHz
133MHz
B0(DDR266@CL=2.5)
2.5-3-3
100MHz
133MHz
* CL : CAS延迟
, 2005年修订版1.3月
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
球说明(下
VIEW )
DDR SDRAM
64M X 4位
1
2
3
7
8
9
VSSQ
NC
VSS
A
VDD
NC
VDDQ
NC
VDDQ
DQ3
B
DQ0
VSSQ
NC
NC
VSSQ
NC
C
NC
VDDQ
NC
NC
VDDQ
DQ2
D
DQ1
VSSQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
E
NC
VDDQ
NC
VREF
VSS
DM
F
NC
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11
A9
J
BA1
BA0
A8
A7
K
A0
A10/AP
A6
A5
L
A2
A1
A4
VSS
M
VDD
A3
32M X 8bit的
1
2
3
7
8
9
VSSQ
DQ7
VSS
A
VDD
DQ0
VDDQ
NC
VDDQ
DQ6
B
DQ1
VSSQ
NC
NC
VSSQ
DQ5
C
DQ2
VDDQ
NC
NC
VDDQ
DQ4
D
DQ3
VSSQ
NC
NC
VSSQ
的DQ
E
NC
VDDQ
NC
VREF
VSS
DM
F
NC
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11
A9
J
BA1
BA0
A8
A7
K
A0
A10/AP
A6
A5
L
A2
A1
A4
VSS
M
VDD
A3
组织
64Mx4
32Mx8
行地址
A0~A12
A0~A12
列地址
A0-A9, A11
A0-A9
DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。
行&列地址的配置
, 2005年修订版1.3月
DDR SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 )
包装物理尺寸
(单位:毫米)
DDR SDRAM
8.00
±
0.10
0.10最大
0.80 x 8 = 6.40
密封区
0.80 x 4 = 3.20
1.60
9
8
7
6
5
1.60
4
3
2
1
0.80
1.00
0.50
5.50
1.00 x 11 = 11.00
A
B
C
D
14.00
±
0.10
E
14.0
±
0.10
F
G
H
0.45
±
0.05
J
K
L
M
0.50
5.50
8.0 0± 0.10
0.35
±
0.05
60 - 0.45
π
±
0.05
(0.90)
(1.80)
(0.90)
顶视图
1.10± 0.10
底部视图
60Ball FBGA封装尺寸
, 2005年修订版1.3月
14.00
±
0.10
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