256MB sTSOPII
输入/输出功能说明
符号
CK ， CK
DDR SDRAM
TYPE
输入
描述
时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号SAM-
PLED的CK和CK的下降沿的上升沿。输出（读出）的数据被引用到
CK的两边。内部时钟信号是由CK / CK 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，
装置的输入缓冲器和输出驱动器。停用时钟提供了预充电
掉电和自刷新操作（所有银行闲置）或有源功率DOWN
（行积极参与任何银行） 。 CKE是同步的所有功能，除了禁止输出，
这是异步实现。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE被禁用
在断电期间和自刷新模式，提供低待机功耗。 CKE将识别
一个LVCMOS低电平之前， VREF是稳定的上电。
芯片选择： CS使（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS提供了外部
在与多家银行系统，银行的选择。 CS被认为是命令代码的一部分。
命令输入： RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义命令被输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问采样以及输入数据高。 DM采样上都
DQS的边缘。 DM引脚包括虚拟负载在内部，以匹配DQ和DQS负载
ING 。对于x16的， LDM对应于DQ0 - DQ7数据; UDM correspons到数据上
DQ8-DQ15.
银行ADDRES输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或PRE-
充电命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令和列地址
和自动预充电位读/写命令，选择一个位置出来的
在各自的组存储器阵列。预充电命令时A10采样
确定是否预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10
HIGH ） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址
投入也是一个模式寄存器设置命令时提供的操作码。 BA0和BA1
定义模式寄存器设置命令时加载哪个模式寄存器（MRS或
EMRS ） 。
数据输入/输出：数据总线
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑
在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。对于x16的， LDQS对应于数据上
DQ0 - DQ7 ; UDQS对应于DQ8 - DQ15数据。
无连接：无内部电气连接是否存在。
DQ电源： + 2.5V
±
0.2V.
DQ地面。
电源： + 2.5V
±
0.2V （设备特定的） 。
地面上。
SSTL_2参考电压。
CKE
输入
CS
输入
RAS ， CAS ， WE
LDM ， （ U） DM
输入
输入
BA0 ， BA1
A [ N： 0 ]
输入
输入
DQ
LDQS ， （ U） DQS
I / O
I / O
NC
V
D D
Q
V
SS
Q
V
D D
V
SS
V
F
-
供应
供应
供应
供应
输入
- 5 -
Rev.0.0月。 “
02
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