K4G323222A
修订历史
版本1.3 （二零零零年十二月十二日）
删除WPB （写每比特）的功能。
CMOS SGRAM
版本1.2 （ 2000年8月1日）
删除K4G323222A -40
从0.7ns改变K4G323222A的tSH的到1.0ns
版本1.1 （ 2000年6月27日）
更改K4G323222A -40 /45 /50 /七十○分之六十〇 ICC5 ：参考"DC特点table"第6页。
版本1.0 （ 2000年6月7日）
删除K4G323222A -55 ，并添加K4G323222A -70
版本0.3 （ 2000年3月6日）
对于-60/70设备， TRDL如果能自动预充电是不是在设计中采用可编程为1CLK
K4G323222A -60 更改TCH / TCL从2ns的时间来为2.5ns
版本0.0 （ 2000年1月14日） -
目标规格
定义目标规格
修订版1.3 （ 2000年12月）
-2-
K4G323222A
512K X 32位×2组同步图形RAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双行操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟（ 2,3）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM 0-3字节屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
100引脚PQFP ， TQFP （ 14 ×20 MM）
CMOS SGRAM
概述
该K4G323222A是33554432位同步高速数据
率动态RAM组织为2× 524,288字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
8列阻止写入显卡提高性能系
TEMS 。
订购信息
产品型号
K4G323222A-PC/L45
K4G323222A-PC/L50
K4G323222A-PC/L7C
K4G323222A-PC/L60
K4G323222A-PC/L70
K4G323222A-QC/L45
K4G323222A-QC/L50
K4G323222A-QC/L7C
K4G323222A-QC/L60
K4G323222A-QC/L70
最大频率。
接口封装
222MHz
200MHz
133MHz的@ CL2 LVTTL 100 PQFP
166MHz
143MHz
222MHz
200MHz
100 TQFP
133MHz的@ CL2 LVTTL
166MHz
143MHz
图形功能
SMRS周期。
- 。负载套色
块写（ 8列）
功能框图
DQMi
块
写
控制
逻辑
CLK
CKE
CS
写
控制
逻辑
面膜
颜色
注册
MUX
输入缓冲器
COLUMN
面膜
DQMi
DQI
(i=0~31)
注册时间
SENSE
扩音器
RAS
CAS
WE
DSF
DQMi
512Kx32
CELL
ARRAY
512Kx32
CELL
ARRAY
排Decorder
银行的选择
串行
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新
计数器
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
时钟地址（A
0
~A
10
， BA ）
通知。
地址寄存器
输出缓冲器
潜伏期&
突发长度
程序设计
注册
COLUMN
decorder
修订版1.3 （ 2000年12月）
-3-
K4G323222A
绝对最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0
~
4.6
-1.0
~
4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SGRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
10
见图1
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
记
5
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
4
注意：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD.
5. K4G323222A -45 /50 / 7C / 60的VDD条件为3.135V 3.6V 。
电容
(V
DD
/V
DDQ
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz的）
针
时钟
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
5.0
单位
pF
pF
pF
pF
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
i
， DSF
地址
DQ
i
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
V之间的退耦电容
DD
和V
SS
V之间的退耦电容
DDQ
和V
SSQ
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
uF
uF
注意：
1. V
DD
和V
DDQ
销彼此分开。
所有V
DD
引脚连接在芯片上。所有V
DDQ
引脚连接在芯片上。
2. V
SS
和V
SSQ
销彼此分开
所有V
SS
引脚连接在芯片上。所有V
SSQ
引脚连接在芯片上。
修订版1.3 （ 2000年12月）
-5-
K4G323222A
修订历史
版本1.3 （二零零零年十二月十二日）
删除WPB （写每比特）的功能。
CMOS SGRAM
版本1.2 （ 2000年8月1日）
删除K4G323222A -40
从0.7ns改变K4G323222A的tSH的到1.0ns
版本1.1 （ 2000年6月27日）
更改K4G323222A -40 /45 /50 /七十○分之六十〇 ICC5 ：参考"DC特点table"第6页。
版本1.0 （ 2000年6月7日）
删除K4G323222A -55 ，并添加K4G323222A -70
版本0.3 （ 2000年3月6日）
对于-60/70设备， TRDL如果能自动预充电是不是在设计中采用可编程为1CLK
K4G323222A -60 更改TCH / TCL从2ns的时间来为2.5ns
版本0.0 （ 2000年1月14日） -
目标规格
定义目标规格
修订版1.3 （ 2000年12月）
-2-
K4G323222A
512K X 32位×2组同步图形RAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双行操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟（ 2,3）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM 0-3字节屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
100引脚PQFP ， TQFP （ 14 ×20 MM）
CMOS SGRAM
概述
该K4G323222A是33554432位同步高速数据
率动态RAM组织为2× 524,288字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用
曼斯存储器系统的应用程序。
8列阻止写入显卡提高性能系
TEMS 。
订购信息
产品型号
K4G323222A-PC/L45
K4G323222A-PC/L50
K4G323222A-PC/L7C
K4G323222A-PC/L60
K4G323222A-PC/L70
K4G323222A-QC/L45
K4G323222A-QC/L50
K4G323222A-QC/L7C
K4G323222A-QC/L60
K4G323222A-QC/L70
最大频率。
接口封装
222MHz
200MHz
133MHz的@ CL2 LVTTL 100 PQFP
166MHz
143MHz
222MHz
200MHz
100 TQFP
133MHz的@ CL2 LVTTL
166MHz
143MHz
图形功能
SMRS周期。
- 。负载套色
块写（ 8列）
功能框图
DQMi
块
写
控制
逻辑
CLK
CKE
CS
写
控制
逻辑
面膜
颜色
注册
MUX
输入缓冲器
COLUMN
面膜
DQMi
DQI
(i=0~31)
注册时间
SENSE
扩音器
RAS
CAS
WE
DSF
DQMi
512Kx32
CELL
ARRAY
512Kx32
CELL
ARRAY
排Decorder
银行的选择
串行
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新
计数器
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
时钟地址（A
0
~A
10
， BA ）
通知。
地址寄存器
输出缓冲器
潜伏期&
突发长度
程序设计
注册
COLUMN
decorder
修订版1.3 （ 2000年12月）
-3-
K4G323222A
绝对最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0
~
4.6
-1.0
~
4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SGRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
10
见图1
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
记
5
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
4
注意：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD.
5. K4G323222A -45 /50 / 7C / 60的VDD条件为3.135V 3.6V 。
电容
(V
DD
/V
DDQ
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz的）
针
时钟
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
5.0
单位
pF
pF
pF
pF
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
i
， DSF
地址
DQ
i
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
V之间的退耦电容
DD
和V
SS
V之间的退耦电容
DDQ
和V
SSQ
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
uF
uF
注意：
1. V
DD
和V
DDQ
销彼此分开。
所有V
DD
引脚连接在芯片上。所有V
DDQ
引脚连接在芯片上。
2. V
SS
和V
SSQ
销彼此分开
所有V
SS
引脚连接在芯片上。所有V
SSQ
引脚连接在芯片上。
修订版1.3 （ 2000年12月）
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QQ：2880707522 复制
