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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第9页 > K4E661612D
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
CMOS DRAM
4M X 16位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×16位扩展数据输出模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机
存储单元的同一行内的访问。刷新周期（ 4K参考文献或8K参考） ，访问时间（-45 ， -50或-60 ），功耗（去甲
发作或低功率）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS -before -R AS刷新， RAS - 只刷新和隐藏
刷新功能。此外，自刷新操作是在L型版本。这4Mx16 EDO DRAM模式是家庭制作
美国I N克S-一米每秒加利克
′
sadvanced CMOS processtorealizehighb和 - 宽度， lowpowerconsumptionan dhighreliability 。
特点
零件识别
- K4E661612D -TI / P （ 3.3V ， 8K REF）
- K4E641612D -TI / P （ 3.3V ， 4K REF）
R A S -只和隐藏刷新功能
快速并行测试模式功能
自刷新功能（L -版本只）
有源功率耗散
单位：男女
速度
-45
-50
-60
8K
324
288
252
4K
468
432
396
LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供塑料TSOP （ II ）包
+ 3 . 3 V
±
0 。 3 V P 2 O宽E R 5 ü P P L
我ndustrial牛逼emperatureoperating
( - 4 0 ~ 8 5
°
C
)
扩展数据输出模式操作
2 CAS字节/字的读/写操作
C A S-前-R A S刷新功能
刷新周期
部分
号
K4E661612D*
K4E641612D
刷新
周期
8K
4K
刷新时间
正常
64ms
L-版本
128ms
RAS
UCAS
LCAS
W
控制
钟
VCC
VSS
功能框图
VBB发生器
*
接入方式& R A仅S刷新模式
： 8K周期/ 64ms的（普通） ， 8K循环/ 128毫秒（L -VER ）。
CAS - 前-RAS & iddenrefreshmode
： 4K周期/ 64ms的（普通） ， 4K周期/ 128毫秒（L -VER ）。
刷新控制
存储阵列
4,194,304 x 16
细胞
刷新计时器
行解码器
S恩发E A M P s & I / O
低
DATA IN
卜FF器
低
数据输出
卜FF器
上
DATA IN
卜FF器
上
数据输出
卜FF器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-45
-50
-60
刷新计数器
OE
Q
8
to
DQ15
t
R A
45ns
50ns
60ns
t
C A C
12ns
13ns
15ns
t
R C
74ns
84ns
104ns
t
P·C
17ns
20ns
25ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A8
(A0~A9)*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
注） * 1： 4K刷新
S A M传ü体中 L E （C T） R 0 N I （C S） C 0 。 ， L T 。
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
CMOS DRAM
引脚配置
（俯视图）
K4E661612D-T
K4E641612D-T
V CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
（ 400mil TSOP （ II ） ）
* （ N.C ） ： N.C为4K刷新产品
引脚名称
A0 - A12
A0 - A11
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入（ 8K产品）
地址输入（ 4K产品）
IN / OUT数据
地
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+3.3V)
无连接
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
C C
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN，
V
O u那样牛逼
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
地址
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
单位
V
V
°C
W
mA
CMOS DRAM
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
C C
V
SS
V
I H
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3
*2
（参考电压到Vss ，T
A
= -40 85 ℃）下
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
* 1： Vcc的+ 1.3V的脉冲宽度
≤15ns
该测量V
C C
* 2： -1.3在脉冲width≤15ns其测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
I N
≤V
CC
+0.3V,
所有其它引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
=-2mA)
输出低电压电平（I
OL
=2mA)
符号
I
I（L）
民
-5
最大
5
单位
uA
I
O（ L）
V
V
OL
-5
2.4
-
5
-
0.4
uA
V
V
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
DC和工作特性
符号
动力
速度
K4E661612D
-45
I
C C 1
0：N
′
T C A R é
-50
-60
正常
L
90
80
70
1
1
90
80
70
100
90
80
0.5
200
130
120
110
350
350
K4E641612D
130
120
110
1
1
130
120
110
100
90
80
0.5
200
130
120
110
350
350
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
uA
M A
M A
M A
uA
uA
CMOS DRAM
（续）
最大
单位
I
C C 2
0：N
′
T C A R é
-45
I
C C 3
0：N
′
T C A R é
-50
-60
-45
I
C C 4
0：N
′
T C A R é
-50
-60
正常
L
I
C C 5
0：N
′
T C A R é
-45
I
C C 6
0：N
′
T C A R é
-50
-60
I
C C 7
I
（C S）
L
L
0：N
′
T C A R é
0：N
′
T C A R é
I
C C 1
*：操作摄像光凭目前 （ RAS和UCAS ， LCAS ，A ddresscycling @
t
R C
= M I N 。 ）
I
C C 2
： tandby光凭目前 （ RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
C C 3
*： RAS - 那么仅仅红色efresh光凭目前 （ UCAS LCAS = = V
IH
，R A S ， A D ，D R （E S） S·C C L I N克@
t
R C
= M I N 。 ）
I
C C 4
*电子xtended ATA UT模式光凭目前 （ RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，A ddresscycling @
t
P·C
= M I N 。 ）
I
C C 5
： tandby光凭目前 （ RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
- 0 . 2 V )
I
C C 6
*： CAS - B安伏 - RASR efresh光凭目前 （ RAS UCAS和LCAS或骑自行车@
t
R C
= M I N）
I
C C 7
： B atteryback - upcurrent ，A veragepowersupplycurr耳鼻喉科，B atteryback - upmode
I N P ü吨H I克H V L T A G E（ V
IH
) = V
C C
- 0 。 2 V ， I N P U被T L O w制备V L T A G E（ V
IL
）= 0 。 2 V ， UCAS ， LCAS = CAS - 前 - RAS cyclingor 0 。 2 V
W， E = V
IH
， A D ，D R （E S） S = D 2 O
′
T C A R E，D Q = O P·E N，T
R C
= 3 1 。 2 5美
I
（C S）
：发E升量F r 由于F R （E S）矫顽ü R R简吨
中，R a = U C A S = L C A S = 0 。 2 V，W = O E = A 0 A 1 2 （A 1 ） = V
C C
- 0 。 2 V R 0 。 2 V ，D Q 0 Q 1 5 = V
CC
- 0 . 2 V ,
0.2V或打开
*注意：
I
C C 1
, I
C C 3
, I
C C 4
A N D I
C C 6
aredependentonoutputl oadingandcyclerates 。 S pecifiedvaluesareobta inedwiththeoutputopen 。
I
C C
isspecifiedasanaverag ecurrent 。 I N我
C C 1
, I
C C 3
A N D I
C C 6 ,
addresscanbechangedma ximumoncewhile RAS = V
I L
。 I N我
C C 4
,
addresscanbechangedma ximumoncewithinone EDO modecycletime ，
t
HPC
.
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
电容
(T
A
= 2 5
°
C，V
CC
= 3 。 3 V ， F = 1 M·H Z）
参数
输入电容[ A0 A12 ]
我nputcapacitance [ RAS ， UCAS ， LCAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ15 ]
CMOS DRAM
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
最大
5
7
7
其未
pF
pF
pF
AC特性
( - 4 0
°
C
≤
T
A
≤
8 5
°
C，S E E N 2 O T E 2 ）
率T e S T C 0 N D I T I O N：V
CC
= 3 . 3 V
±
0 。 3 V ，V I H / V I L = 2 。 2/0 。 7 V ，V H / V 0 1 = 2 。 0 / 0 。 8 V
-45
参数
符号
民
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
访问时间fromRAS
访问时间fromCAS
从列地址访问时间
C A S到输出低Z
输出缓冲关断从C A S延迟
E至输出低Z
转换时间（上升和下降）
中，R a预充电时间
R A S脉冲宽度
中，R a保持时间
A S保持时间
C A S脉冲宽度
中，R a为C A S D E升A Y T I M E
R A S到列地址的延迟时间
C A S到R A S·P 权证小时的R G é T I M E
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址与R A S交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令R A的后尘时间
写命令到C A S交货时间
数据建立时间
-50
最大
民
84
113
45
12
23
50
13
25
3
13
3
3
50
1
30
10K
50
8
38
5K
33
22
8
11
9
5
0
7
0
7
25
0
0
0
7
7
8
7
0
10K
37
25
10K
50
13
3
3
3
1
40
60
10
40
10
14
12
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
10
10
0
-60
最大
民
104
138
60
15
30
单位
最大
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13
ns
ns
50
ns
ns
10K
ns
ns
ns
10K
45
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
; R P
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
W P
t
RWL
t
CWL
t
S
74
101
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,20
3
2
3
3
3
1
25
45
8
35
7
11
9
5
0
7
0
7
23
0
0
0
7
6
8
7
0
4
10
13
13
8
8
16
9,19
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
CMOS DRAM
4M X 16位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×16位扩展数据输出模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机
存储单元的同一行内的访问。刷新周期（ 4K参考文献或8K参考） ，访问时间（-45 ， -50或-60 ），功耗（去甲
发作或低功率）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS -before -R AS刷新， RAS - 只刷新和隐藏
刷新功能。此外，自刷新操作是在L型版本。这4Mx16 EDO DRAM模式是家庭制作
美国I N克S-一米每秒加利克
′
sadvanced CMOS processtorealizehighb和 - 宽度， lowpowerconsumptionan dhighreliability 。
特点
零件识别
- K4E661612D -TI / P （ 3.3V ， 8K REF）
- K4E641612D -TI / P （ 3.3V ， 4K REF）
R A S -只和隐藏刷新功能
快速并行测试模式功能
自刷新功能（L -版本只）
有源功率耗散
单位：男女
速度
-45
-50
-60
8K
324
288
252
4K
468
432
396
LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供塑料TSOP （ II ）包
+ 3 . 3 V
±
0 。 3 V P 2 O宽E R 5 ü P P L
我ndustrial牛逼emperatureoperating
( - 4 0 ~ 8 5
°
C
)
扩展数据输出模式操作
2 CAS字节/字的读/写操作
C A S-前-R A S刷新功能
刷新周期
部分
号
K4E661612D*
K4E641612D
刷新
周期
8K
4K
刷新时间
正常
64ms
L-版本
128ms
RAS
UCAS
LCAS
W
控制
钟
VCC
VSS
功能框图
VBB发生器
*
接入方式& R A仅S刷新模式
： 8K周期/ 64ms的（普通） ， 8K循环/ 128毫秒（L -VER ）。
CAS - 前-RAS & iddenrefreshmode
： 4K周期/ 64ms的（普通） ， 4K周期/ 128毫秒（L -VER ）。
刷新控制
存储阵列
4,194,304 x 16
细胞
刷新计时器
行解码器
S恩发E A M P s & I / O
低
DATA IN
卜FF器
低
数据输出
卜FF器
上
DATA IN
卜FF器
上
数据输出
卜FF器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-45
-50
-60
刷新计数器
OE
Q
8
to
DQ15
t
R A
45ns
50ns
60ns
t
C A C
12ns
13ns
15ns
t
R C
74ns
84ns
104ns
t
P·C
17ns
20ns
25ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A8
(A0~A9)*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
注） * 1： 4K刷新
S A M传ü体中 L E （C T） R 0 N I （C S） C 0 。 ， L T 。
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
CMOS DRAM
引脚配置
（俯视图）
K4E661612D-T
K4E641612D-T
V CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
（ 400mil TSOP （ II ） ）
* （ N.C ） ： N.C为4K刷新产品
引脚名称
A0 - A12
A0 - A11
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入（ 8K产品）
地址输入（ 4K产品）
IN / OUT数据
地
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+3.3V)
无连接
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
C C
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN，
V
O u那样牛逼
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
地址
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
单位
V
V
°C
W
mA
CMOS DRAM
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
C C
V
SS
V
I H
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3
*2
（参考电压到Vss ，T
A
= -40 85 ℃）下
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
Vcc+0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
* 1： Vcc的+ 1.3V的脉冲宽度
≤15ns
该测量V
C C
* 2： -1.3在脉冲width≤15ns其测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
I N
≤V
CC
+0.3V,
所有其它引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
=-2mA)
输出低电压电平（I
OL
=2mA)
符号
I
I（L）
民
-5
最大
5
单位
uA
I
O（ L）
V
V
OL
-5
2.4
-
5
-
0.4
uA
V
V
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
DC和工作特性
符号
动力
速度
K4E661612D
-45
I
C C 1
0：N
′
T C A R é
-50
-60
正常
L
90
80
70
1
1
90
80
70
100
90
80
0.5
200
130
120
110
350
350
K4E641612D
130
120
110
1
1
130
120
110
100
90
80
0.5
200
130
120
110
350
350
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
M A
uA
M A
M A
M A
uA
uA
CMOS DRAM
（续）
最大
单位
I
C C 2
0：N
′
T C A R é
-45
I
C C 3
0：N
′
T C A R é
-50
-60
-45
I
C C 4
0：N
′
T C A R é
-50
-60
正常
L
I
C C 5
0：N
′
T C A R é
-45
I
C C 6
0：N
′
T C A R é
-50
-60
I
C C 7
I
（C S）
L
L
0：N
′
T C A R é
0：N
′
T C A R é
I
C C 1
*：操作摄像光凭目前 （ RAS和UCAS ， LCAS ，A ddresscycling @
t
R C
= M I N 。 ）
I
C C 2
： tandby光凭目前 （ RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
C C 3
*： RAS - 那么仅仅红色efresh光凭目前 （ UCAS LCAS = = V
IH
，R A S ， A D ，D R （E S） S·C C L I N克@
t
R C
= M I N 。 ）
I
C C 4
*电子xtended ATA UT模式光凭目前 （ RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，A ddresscycling @
t
P·C
= M I N 。 ）
I
C C 5
： tandby光凭目前 （ RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
- 0 . 2 V )
I
C C 6
*： CAS - B安伏 - RASR efresh光凭目前 （ RAS UCAS和LCAS或骑自行车@
t
R C
= M I N）
I
C C 7
： B atteryback - upcurrent ，A veragepowersupplycurr耳鼻喉科，B atteryback - upmode
I N P ü吨H I克H V L T A G E（ V
IH
) = V
C C
- 0 。 2 V ， I N P U被T L O w制备V L T A G E（ V
IL
）= 0 。 2 V ， UCAS ， LCAS = CAS - 前 - RAS cyclingor 0 。 2 V
W， E = V
IH
， A D ，D R （E S） S = D 2 O
′
T C A R E，D Q = O P·E N，T
R C
= 3 1 。 2 5美
I
（C S）
：发E升量F r 由于F R （E S）矫顽ü R R简吨
中，R a = U C A S = L C A S = 0 。 2 V，W = O E = A 0 A 1 2 （A 1 ） = V
C C
- 0 。 2 V R 0 。 2 V ，D Q 0 Q 1 5 = V
CC
- 0 . 2 V ,
0.2V或打开
*注意：
I
C C 1
, I
C C 3
, I
C C 4
A N D I
C C 6
aredependentonoutputl oadingandcyclerates 。 S pecifiedvaluesareobta inedwiththeoutputopen 。
I
C C
isspecifiedasanaverag ecurrent 。 I N我
C C 1
, I
C C 3
A N D I
C C 6 ,
addresscanbechangedma ximumoncewhile RAS = V
I L
。 I N我
C C 4
,
addresscanbechangedma ximumoncewithinone EDO modecycletime ，
t
HPC
.
工业温度
K4E661612D,K4E641612D
电容
(T
A
= 2 5
°
C，V
CC
= 3 。 3 V ， F = 1 M·H Z）
参数
输入电容[ A0 A12 ]
我nputcapacitance [ RAS ， UCAS ， LCAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ15 ]
CMOS DRAM
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
最大
5
7
7
其未
pF
pF
pF
AC特性
( - 4 0
°
C
≤
T
A
≤
8 5
°
C，S E E N 2 O T E 2 ）
率T e S T C 0 N D I T I O N：V
CC
= 3 . 3 V
±
0 。 3 V ，V I H / V I L = 2 。 2/0 。 7 V ，V H / V 0 1 = 2 。 0 / 0 。 8 V
-45
参数
符号
民
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
访问时间fromRAS
访问时间fromCAS
从列地址访问时间
C A S到输出低Z
输出缓冲关断从C A S延迟
E至输出低Z
转换时间（上升和下降）
中，R a预充电时间
R A S脉冲宽度
中，R a保持时间
A S保持时间
C A S脉冲宽度
中，R a为C A S D E升A Y T I M E
R A S到列地址的延迟时间
C A S到R A S·P 权证小时的R G é T I M E
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址与R A S交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令R A的后尘时间
写命令到C A S交货时间
数据建立时间
-50
最大
民
84
113
45
12
23
50
13
25
3
13
3
3
50
1
30
10K
50
8
38
5K
33
22
8
11
9
5
0
7
0
7
25
0
0
0
7
7
8
7
0
10K
37
25
10K
50
13
3
3
3
1
40
60
10
40
10
14
12
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
10
10
0
-60
最大
民
104
138
60
15
30
单位
最大
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13
ns
ns
50
ns
ns
10K
ns
ns
ns
10K
45
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
; R P
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
W P
t
RWL
t
CWL
t
S
74
101
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,20
3
2
3
3
3
1
25
45
8
35
7
11
9
5
0
7
0
7
23
0
0
0
7
6
8
7
0
4
10
13
13
8
8
16
9,19
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