K4E661611D ， K4E641611D
CMOS DRAM
4M X 16位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×16位扩展数据输出模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机
存储单元的同一行内的访问。刷新周期（ 4K参考或8K参考） ，访问时间（ -50或-60 ）是这一可选功能
家庭。所有这些家庭都有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。这4Mx16 EDO DRAM模式
系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高带宽宽，低功耗和高可靠性制造。
特点
零件识别
- K4E661611D -TC （ 5.0V ， 8K REF）
- K4E641611D -TC （ 5.0V ， 4K REF）
扩展数据输出模式操作
2 CAS字节/字的读/写操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
快速并行测试模式功能
TTL （ 5.0V ）兼容的输入和输出
有源功率耗散
单位：毫瓦
速度
-50
-60
8K
495
440
4K
660
605
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供塑料TSOP （ II ）包
+ 5.0V ± 10 ％电源
刷新周期
部分
号
K4E661611D*
K4E641611D
刷新
周期
8K
4K
刷新时间
正常
64ms
RAS
UCAS
LCAS
W
控制
钟
VBB发生器
VCC
VSS
低
DATA IN
卜FF器
读出放大器& I / O
低
数据输出
卜FF器
上
DATA IN
卜FF器
上
数据输出
卜FF器
功能框图
*访问模式& RAS只刷新模式
： 8K周期/ 64ms的
CAS先于RAS &隐藏刷新模式
： 4K周期/ 64ms的
刷新计时器
刷新控制
行解码器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-50
-60
刷新计数器
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
84ns
104ns
t
HPC
20ns
25ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A8
(A0~A9)*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
存储阵列
4,194,304 x 16
细胞
OE
列解码器
DQ8
to
DQ15
注） * 1： 4K刷新
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
K4E661611D ， K4E641611D
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
地址
等级
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
-55到+150
1
50
CMOS DRAM
单位
V
V
°C
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.6
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.7
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 2.0V的脉冲width≤20ns其测量V
CC
* 2 ：在-2.0脉冲width≤20ns其测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
CC
+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-5mA)
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
K4E661611D ， K4E641611D
DC和工作特性
（续）
最大
符号
动力
速度
K4E661611D
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
不在乎
正常
不在乎
不在乎
正常
不在乎
-50
-60
不在乎
-50
-60
-50
-60
不在乎
-50
-60
90
80
2
90
80
100
90
1
120
110
K4E641611D
120
110
2
120
110
110
100
1
120
110
CMOS DRAM
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC1
*：工作电流（ RAS和UCAS ， LCAS ，地址自行车@
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ UCAS LCAS = = V
IH
， RAS ，地址自行车@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：扩展数据输出模式电流（ RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，地址自行车@
t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS UCAS和LCAS或骑自行车@
t
RC
=分钟）
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6,
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可一旦人们EDO模式的周期时间内改变最大
t
HPC
.
K4E661611D ， K4E641611D
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A12 ]
输入电容[ RAS ， UCAS ， LCAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ15 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
见注1,2 ）
测试条件： V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ， VIH /德维尔= 2.6 / 0.7V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
OE为输出低Z
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据建立时间
符号
民
-50
最大
民
104
138
50
13
25
3
3
3
1
30
50
13
38
8
20
15
5
0
10
0
8
25
0
0
0
10
10
13
8
0
10K
37
25
10K
50
13
3
3
3
1
40
60
15
45
10
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
10
0
10K
45
30
10K
50
13
60
15
30
-60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
9,19
8
8
13
13
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,21
3
2
单位
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
84
116
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